The invention discloses an intelligent self-cleaning method for etching by-products, which is suitable for the dry etching process of semiconductors. It provides a process control system and a dry etching equipment. It also includes the following steps: 1. The process control system collects the dry etching process before the dry etching process corresponding to the dry etching equipment starts and the dry etching process before the dry etching equipment is executed. First process parameters; (2) Process control system obtains the second process parameters for self-cleaning of dry etching equipment according to the first process parameters; (4) Dry etching equipment performs self-cleaning process according to the second process parameters; (4) Dry etching equipment performs the corresponding dry etching process, which is to be returned after the dry etching process is completed. Go back. The technical scheme of the invention has the beneficial effect of reducing the particle source of etching defects caused by polymer accumulation in the etching process and improving the first effect problem of wafer batch operation.
【技术实现步骤摘要】
一种刻蚀副产物智能自清洁方法
本专利技术涉及集成电路制造
,尤其涉及一种刻蚀副产物智能自清洁方法。
技术介绍
随着集成电路技术进入超大规模集成电路时代,集成电路的工艺尺寸向着28nm以及更小尺寸的结构发展,同时对晶圆制造工艺提出了更高更细致的技术要求。在大规模晶圆制造过程中,随着晶圆加工数量的不断增加,刻蚀腔体的内部环境会随之发生变化,即前一片/批晶圆对后一片/批有着某种程度的影响,具有记忆效应。这种记忆效应其中主要体现在聚合物的堆积,即在刻蚀腔壁上不断累积聚合物,聚合物的类型会根据等离子体反应物和反应产物的不同而有所不同,主要分为无机聚合物和有机聚合物等。目前对于刻蚀工艺过程中聚合物在刻蚀腔壁的堆积引起的记忆效应的研究在工业上已给出了多种措施且已经具有很好的改善效果,其中使用最广泛的如无晶圆自动干法蚀刻清洁方法通常使用NF3等富氟气体去除无机类聚合物,使用O2等富氧气体去除有机类聚合物并在清洁之后的刻蚀腔体内壁上沉淀一层类似二氧化硅的聚合物,这些无晶圆自清洁步骤能有效抑制腔体的记忆效应。然而,现有大量产工艺上只是笼统地就批次晶圆和单片晶圆之间进行高强度自清洁,不能针对性不同性质聚合物进行清洁,导致刻蚀腔体在高射频时数时容易累积更多的聚合物,产生更多的颗粒污染物源。如图1所示,是某一金属沟槽和通孔一体化刻蚀流程示意图,在六步刻蚀过程中由于刻蚀材料和刻蚀气体差异生成的聚合物也会产生很大差异。
技术实现思路
针对上述问题,现提供一种旨在实现对刻蚀副产物进行智能化自清洁的方法。具体技术方案如下:一种刻蚀副产物智能自清洁方法,适用于对半导体干法刻蚀工艺过程,提供 ...
【技术保护点】
1.一种刻蚀副产物智能自清洁方法,适用于对半导体干法刻蚀工艺过程,其特征在于,提供一工艺控制系统及一干法刻蚀设备,所述工艺控制系统与所述干法刻蚀设备信号连接,还包括以下步骤:步骤S1,所述工艺控制系统于所述干法刻蚀设备对应的干法刻蚀工艺开始之前,采集所述干法刻蚀设备执行之前的干法刻蚀工艺过程中的第一工艺参数;步骤S2,所述工艺控制系统根据所述第一工艺参数,获得对所述干法刻蚀设备进行自清洁的第二工艺参数;步骤S3,所述工艺控制系统根据所述第二工艺参数对所述干法刻蚀设备执行自清洁工艺;步骤S4,所述干法刻蚀设备执行对应的干法刻蚀工艺,待所述干法刻蚀工艺执行完毕后返回所述步骤S1。
【技术特征摘要】
1.一种刻蚀副产物智能自清洁方法,适用于对半导体干法刻蚀工艺过程,其特征在于,提供一工艺控制系统及一干法刻蚀设备,所述工艺控制系统与所述干法刻蚀设备信号连接,还包括以下步骤:步骤S1,所述工艺控制系统于所述干法刻蚀设备对应的干法刻蚀工艺开始之前,采集所述干法刻蚀设备执行之前的干法刻蚀工艺过程中的第一工艺参数;步骤S2,所述工艺控制系统根据所述第一工艺参数,获得对所述干法刻蚀设备进行自清洁的第二工艺参数;步骤S3,所述工艺控制系统根据所述第二工艺参数对所述干法刻蚀设备执行自清洁工艺;步骤S4,所述干法刻蚀设备执行对应的干法刻蚀工艺,待所述干法刻蚀工艺执行完毕后返回所述步骤S1。2.如权利要求1所述的刻蚀副产物智能自清洁方法,其特征在于,所述第一工艺参数包括在所述干法刻蚀工艺过程中的刻蚀时间、刻蚀量、刻蚀气体。3.如权利要求1所述的刻蚀副产物智能自清洁方法,其特征在于,所述步骤S2中,根据所述第一工艺参数计算获得一刻蚀副产物参数。4.如权利要求3所述的刻蚀副产物智能自清洁方法,其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员:聂钰节,昂开渠,江旻,唐在峰,
申请(专利权)人:上海华力微电子有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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