The invention provides a method for preparing semiconductor devices, which includes: providing a substrate on which a number of spaced nuclear structures are formed; grouping two adjacent nuclear structures into a group, filling at least one set of gaps between the nuclear structures with a hard mask layer; and forming a gap wall on the exposed side wall of the nuclear structure, where the hard mask layer is used. The size along the arrangement direction of the nuclear structure is different from the thickness of the gap wall; the nuclear structure is removed; and the substrate is etched with the gap wall and the hard mask layer as a mask to form a nuclear pattern of different sizes in the substrate. The method can prepare patterns of different sizes, thereby avoiding single size patterns in the prior art, and the method is simpler.
【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件的制备方法
本专利技术涉及半导体
,具体而言涉及一种半导体器件的制备方法。
技术介绍
对于高容量的半导体存储装置需求的日益增加,这些半导体存储装置的集成密度受到人们的关注,为了增加半导体存储装置的集成密度,现有技术中采用了许多不同的方法,例如通过减小晶片尺寸和/或改变内结构单元而在单一晶片上形成多个存储单元,对于通过改变单元结构增加集成密度的方法来说,已经进行尝试通过改变有源区的平面布置或改变单元布局来减小单元面积。随着器件尺寸的减小,间隔物图案化技术(Spacerpatterningtechnology,SPT)以及自对准双图案技术(selfaligneddoublepatterning,SaDP)均可以用来制备纳米尺度的晶体管,其中自对准双图案技术(Self-aligneddoublepatterning,SaDP)在实现最小间距的蚀刻能力方面超出了对该方法的期待。所述自对准双图案技术(selfaligneddoublepatterning,SaDP)可以很好的解决对准问题,可以极大限度的减小由于对准带来的良率问题,但是带来的问题则是形成的线和空间的图案以及图案的尺寸过于单一,并且步骤繁琐。因此,现有技术中存在各种弊端,上述弊端成为亟需解决的问题,以进一步提高器件的性能和良率。
技术实现思路
在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念,这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本专利技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征,更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。针对现有技术的 ...
【技术保护点】
1.一种半导体器件的制备方法,其特征在于,所述方法包括:提供基底,在所述基底上形成有若干相互间隔的核结构;将两两相邻的所述核结构归为一组,使用硬掩膜层至少填充一组所述核结构之间的间隙;在所述核结构的裸露侧壁上形成间隙壁,其中所述硬掩膜层沿所述核结构排列方向上的尺寸不同于所述间隙壁的厚度;去除所述核结构;以所述间隙壁和所述硬掩膜层为掩膜蚀刻所述基底,以在所述基底中形成尺寸不同的核图案。
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制备方法,其特征在于,所述方法包括:提供基底,在所述基底上形成有若干相互间隔的核结构;将两两相邻的所述核结构归为一组,使用硬掩膜层至少填充一组所述核结构之间的间隙;在所述核结构的裸露侧壁上形成间隙壁,其中所述硬掩膜层沿所述核结构排列方向上的尺寸不同于所述间隙壁的厚度;去除所述核结构;以所述间隙壁和所述硬掩膜层为掩膜蚀刻所述基底,以在所述基底中形成尺寸不同的核图案。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述硬掩膜层为金属硬掩膜层。3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,通过旋涂所述金属硬掩膜层的方法填充所述间隙。4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述金属硬掩膜层包括无定型金属氧化物层。5.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述金属硬掩膜层包括TiOx、ZrOx和WOx中的一种。6.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,在旋涂所述金属硬掩膜层之后还进一步包括烘焙固化的步骤。7.根据权利要求6...
【专利技术属性】
技术研发人员:张海洋,纪世良,
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造上海有限公司,中芯国际集成电路制造北京有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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