The invention discloses a patterning method, which comprises forming a hard mask layer on the target layer, a lower pattern transfer layer and an upper pattern transfer layer. Then the first SARP production process is carried out, and the upper pattern transfer layer pattern is transformed into the upper pattern mask. The second SARP production process is carried out to transform the lower pattern transfer layer pattern into the lower pattern mask. The upper pattern mask and the lower pattern mask define the hole pattern. The dielectric layer is filled in the pore pattern. The dielectric layer and the upper pattern mask are etched back until the lower pattern mask is exposed. The lower pattern mask is removed to form an island pattern. Then the island pattern is used as the etching hard mask, and the hard mask layer pattern is transformed into the hard mask pattern. Then the hard mask pattern is used as the etching hard mask, and the target layer pattern is transformed into the target pattern.
【技术实现步骤摘要】
图案化方法
本专利技术涉及集成电路制造领域,更具体地说,本专利技术涉及用于在芯片上形成集成电路特征结构的图案化方法。
技术介绍
随着技术的进步,集成电路(IC)的尺寸不断缩小。传统上,集成电路特征通过光刻制作工艺进行图案化。然而,目前的光刻制作工艺技术正面临其分辨率的极限。随着半导体元件的集成度的增加,使用超过分辨率极限的光刻制作工艺可能难以形成超细图案。在这个
中仍需要一种用于光刻制作工艺的分辨率增强方法,具有改进的可制造性。
技术实现思路
本专利技术的一个目的在于提供一种用于在芯片上形成具有改进的可制造性的集成电路特征的图案化方法。本专利技术的一实施例公开了一种图案化方法。先提供一基板,其上具有目标层。在目标层上形成硬掩模层。在硬掩模层上形成下部图案转移层。在下部图案转移层上形成上部图案转移层。进行第一自对准反向图案化(SARP)制作工艺以将上部图案转移层图案化成下部图案转移层上的上部图案掩模。进行第二自对准反向图案化制作工艺以将下部图案转移层图案化成下部图案掩模。上部图案掩模及下部图案掩模一起定义孔图案的阵列。在孔图案阵列填充有机介电层。有机介电层及上部图案掩模被回蚀直到下部图案掩模被暴露。移除下部图案掩模,留下硬掩模层上剩余的有机介电层以形成岛状图案。以岛状图案作为蚀刻硬掩模,将硬掩模层图案化为硬掩模图案。以硬掩模图案作为蚀刻硬掩模,将目标层图案化为目标图案。为让本专利技术上述目的、特征及优点能更明显易懂,下文特举优选实施方式,并配合所附的附图,作详细说明如下。然而优选实施方式与附图仅供参考与说明用,并非用来对本专利技术加以限制者。附图说明为本专 ...
【技术保护点】
1.一种图案化方法,其特征在于,包含有:提供一基板,其上具有目标层、硬掩模层,位于该目标层上、下部图案转移层,位于该硬掩模层上,及上部图案转移层,位于该下部图案转移层上;进行第一自对准反向图案化制作工艺,以将该上部图案转移层图案化成该下部图案转移层上的一上部图案掩模;进行第二自对准反向图案化制作工艺,以将该下部图案转移层图案化成一下部图案掩模,其中该上部图案掩模及该下部图案掩模一起定义孔图案的阵列;在该孔图案的阵列填充一有机介电层;回蚀该有机介电层及该上部图案掩模,直到该下部图案掩模被暴露出来;移除该下部图案掩模,留下该硬掩模层上剩余的该有机介电层以形成岛状图案;以该岛状图案作为蚀刻硬掩模,将该硬掩模层图案化为硬掩模图案;及以该硬掩模图案作为蚀刻硬掩模,将该目标层图案化为目标图案。
【技术特征摘要】
2017.07.04 US 15/641,2351.一种图案化方法,其特征在于,包含有:提供一基板,其上具有目标层、硬掩模层,位于该目标层上、下部图案转移层,位于该硬掩模层上,及上部图案转移层,位于该下部图案转移层上;进行第一自对准反向图案化制作工艺,以将该上部图案转移层图案化成该下部图案转移层上的一上部图案掩模;进行第二自对准反向图案化制作工艺,以将该下部图案转移层图案化成一下部图案掩模,其中该上部图案掩模及该下部图案掩模一起定义孔图案的阵列;在该孔图案的阵列填充一有机介电层;回蚀该有机介电层及该上部图案掩模,直到该下部图案掩模被暴露出来;移除该下部图案掩模,留下该硬掩模层上剩余的该有机介电层以形成岛状图案;以该岛状图案作为蚀刻硬掩模,将该硬掩模层图案化为硬掩模图案;及以该硬掩模图案作为蚀刻硬掩模,将该目标层图案化为目标图案。2.如权利要求1所述的图案化方法,其中该下部图案转移层包含多晶硅。3.如权利要求2所述的图案化方法,其中该上部图案转移层包含氮化硅。4.如权利要求1所述的图案化方法,其中该硬掩模层包含氮化硅。5.如权利要求1所述的图案化方法,其中该目标层包含钨。6.如权利要求1所述的图案化方法,其中该第一自对准反向图案化制作工艺包含:在该上部图案转移层上形成一第一结构层;进行光刻及蚀刻制作工艺,将该第一结构层图案化成形成沿一第一方向...
【专利技术属性】
技术研发人员:张峰溢,李甫哲,陈界得,
申请(专利权)人:联华电子股份有限公司,福建省晋华集成电路有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾,71
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