The invention provides a semiconductor structure and a preparation method thereof. The preparation method of the semiconductor structure comprises the following steps: 1) providing a substrate; 2) forming a groove with a preset depth on the surface of the substrate; 3) forming a dielectric layer in the groove, the dielectric layer filling the groove, and the exposed surface of the dielectric layer is in line with the surface of the groove formed on the base. By forming a groove on the surface of the base and then forming a dielectric layer in the groove, the dielectric layer located in the groove can indirectly provide a certain thickness of the dielectric layer. When passive devices need to be fabricated on the surface of the base, the passive devices can be fabricated directly above the groove, thereby reducing the number of coating processes of the dielectric layer and avoiding the cracking of the dielectric layer as far as possible. At the same time, the preparation method of the semiconductor structure of the invention does not occupy the front area of the substrate, does not affect the performance of the front power device, and is compatible with the back-channel packaging process of the integrated circuit.
【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制备方法
本专利技术属于高频封装
,特别是涉及一种半导体结构及其制备方法。
技术介绍
随着市场对电子器件小型化的迫切需要,芯片的加工制造技术和芯片封装技术正在向着高集成度、高性能、低成本的方向发展。利用圆片级封装技术,可以有效地减小芯片的封装尺寸,降低IC与PCB板的互联间距,并且缩短了生产周期。重布线技术是圆片级封装中的关键技术,其不仅可以实现引脚的重新分配,增大互连密度,还可以用于集成无源器件,这对于系统的小型化有重要意义。无源器件是电子系统不可或缺的一部分,传统的分立无源器件会在印刷电路板(PCB版)上占用大量面积,不利于电子器件的小型化。利用圆片级封装的再布线技术,可以将无源器件集成在再布线层(RDL)内,进而可以大大减小无源器件的封装体积,降低了互联传输距离,提高了系统的集成度,并减小欧姆损耗,还可以减小高频应用时产生的寄生效应。介质层制作工艺的好坏对于器件的性能以及可靠性十分重要,尤其对于应用在较高工作频段的器件,介质层的物理化学特性以及工艺特性能够直接决定器件的良率以及最终的电学性能。常用的圆片封装介质层材料有苯丙环丁烯(BCB)、聚酰亚胺(PI)、聚四氟乙烯(PTFE)等,这些有机材料的热膨胀系数(CTE)与衬底相差较大,当被用作RDL的介质层时,容易引发应力不匹配问题进而造成衬底严重翘曲,增加了后续工艺的难度,严重时会影响光刻对准,进而导致整个封装的失效。通过现有文献可知,介质层的厚度越大,衬底晶圆翘曲就会越严重,所以原则上应该在满足设计指标的前提下尽可能降低介质层的厚度。但是在当器件工作在较高的频段时,衬底损耗将越发 ...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的制备方法,其特征在于,所述半导体结构的制备方法包括如下步骤:1)提供一基底;2)于所述基底的表面形成具有预设深度的凹槽;3)于所述凹槽内形成介质层,所述介质层填满所述凹槽,且所述介质层裸露的表面与所述基底形成有所述凹槽的表面相平齐。
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制备方法,其特征在于,所述半导体结构的制备方法包括如下步骤:1)提供一基底;2)于所述基底的表面形成具有预设深度的凹槽;3)于所述凹槽内形成介质层,所述介质层填满所述凹槽,且所述介质层裸露的表面与所述基底形成有所述凹槽的表面相平齐。2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法,其特征在于,步骤1)中提供的所述基底包括晶圆。3.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法,其特征在于,步骤2)中,于所述基底的表面形成所述凹槽后还包括如下步骤:将所述基底形成有所述凹槽的表面进行预处理,以去除所述基底表面及所述凹槽表面残留的有机物;将预处理后的所述基底进行烘干处理,以去除所述基底表面的水分。4.根据权利要求3所述的半导体结构的制备方法,其特征在于,将所述基底置于等离子体氛围中进行预处理。5.根据权利要求4所述的半导体结构的制备方法,其特征在于,将所述基底置于氧等离子体或氮等离子体氛围中进行预处理,预处理的功率介于100W~300W之间;形成所述等离子体氛围所需气体的流量介于100ml/min~300ml/min。6.根据权利要求3所述的半导体结构的制备方法,其特征在于,将预处理后的所述基底进行烘干处理的温度介于100℃~150℃之间,烘干处理的时间介于60s~120s之间。7.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法,其特征在于,步骤2)与步骤3)之间还包括于所述基底形成有所述凹槽的表面形成增粘剂层的步骤,所述增粘剂层至少覆盖所述凹槽的底部及侧壁。8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体结构的制备方法,其特征在于,步骤3)包括如下步骤:3-1)于所述基底形成有所述凹槽的表面旋涂介质材料浆液,静置以使得所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:张伟博,罗乐,徐高卫,
申请(专利权)人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所,
类型:发明
国别省市:上海,31
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