一种接触件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种接触件，包括一体成型的金属筒，所述金属筒侧壁呈凹凸起伏状且设有一条缝隙，所述金属筒侧壁包括沿金属筒长度延伸方向的多个内凹陷结构和多个外凸结构，所述内凹陷结构的凹陷方向朝向所述金属筒的中心轴线，所述外凸结构的凸起方向远离所述金属筒的中线轴线。本实用新型专利技术提供一种通载高电流及信号，并且低损耗的接触件。

【技术实现步骤摘要】
一种接触件
本技术涉及电源和信号的导通连接
，尤其涉及一种接触件。
技术介绍
现有电连接器接触件的插孔主要采用两种结构：第一种为弹片式，其结构由弹性金属条一端卷曲成弹片状。利用凸起的弹片结构与插针接触导通，但是弹片结构与插针实现导通的接触面积过小，导致其电阻过大，导通电流过小。第二种为簧片式，其结构由弹性金属片冲压分割成由若干条两端相连的栅栏状，然后卷圈并将其中部收腰使每一根金属条在中部弯曲向轴心收缩、形成两头大、中间小的结构。利用插针穿过中部小口径，会与每一根金属条接触以实现接触导通，虽然，此结构增大了插针与簧片导通的接触面积，即减小了电阻，实现了通载高电流及信号，但是金属条由插针接触点至两端点的导电距离过长，又增加了导体电阻，致使通过的电流有很大的损耗。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种通载高电流及信号，并且低损耗的接触件。本技术公开的接触件所采用的技术方案是:一种接触件，包括一体成型的金属筒，所述金属筒侧壁呈凹凸起伏状且设有一条缝隙，所述金属筒侧壁包括沿金属筒长度延伸方向的多个内凹陷结构和多个外凸结构，所述内凹陷结构的凹陷方向朝向所述金属筒的中心轴线，所述外凸结构的凸起方向远离所述金属筒的中线轴线。作为优选方案，所述凹陷结构的端部设有倾斜的截面，所述截面的倾斜方向为向金属筒内部中轴线倾斜。作为优选方案，多个所述内凹陷结构和多个所述外凸结构等间隔均匀排布呈瓦楞状。作为优选方案，所述外凸结构的顶部切线开设有槽体。作为优选方案，所述槽体沿金属筒两端的延伸方向交替开设。作为优选方案，所述金属筒外部套设有孔套，所述孔套口部设有固定金属筒的环形凸卡结构。本技术公开的接触件的有益效果是：1、内凹陷结构与插针接触增大了有效的导电截面积，降低了导体电阻，实现了通载高电流及信号；2、内凹陷结构顶部到外凸结构顶部的距离较短，即缩短了导电距离，又进一步降低了导体电阻，从而降低了电流及信号的损耗。附图说明图1是本技术接触件的结构示意图。图2是本技术接触件A区放大图。图3是本技术接触件的俯视图图。图4是本技术接触件装配关系分解示意图。图5是本技术接触件装配关系示意图。图6是本技术接触件装配关系剖视图。图7是本技术接触件装配关系俯视图。具体实施方式下面结合具体实施例和说明书附图对本技术做进一步阐述和说明:请参考图1、图2和图3，一种接触件，包括一体成型的金属筒10，金属筒10侧壁呈凹凸起伏状且设有一条缝隙11，金属筒10侧壁包括沿金属筒10长度延伸方向的多个内凹陷结构12和多个外凸结构13，内凹陷结构12的凹陷方向朝向金属筒10的中心轴线，外凸结构13的凸起方向远离金属筒的中线轴线。影响接触电阻R(Ω)的主要因素有：1.导体有效的导电距离L(m)、2.导体的电阻率ρ(Ω·mm2/m)、3.导体有效的导电截面积A(mm2)。换句话说影响接触件的导体电阻。其原理表达式为：本技术方案中，在不考虑导体的电阻率ρ，即导体材料相同的情况下。内凹陷结构12顶部与插针接触，增大了有效的导电截面积A，根据上述表达式可知，增大导电截面积A可以降低接触电阻R的阻值，实现了通载高电流及信号。内凹陷结构12顶部到外凸结构13顶部的距离较短，即缩短了导电距离L，根据上述表达式可知，减小导体有效的导电距离L可以降低接触电阻R的阻值。通过叠加两种降低接触电阻阻值的方法，使接触件通载大电流，降低电流及信号损耗的效果更佳。内凹陷结构12的端部设有倾斜的截面14，截面14的倾斜方向为向金属筒10内部中轴线倾斜，构成一环形倾斜面。当插针插入时起到一导向作用，使插针的插入过程更加顺畅。本实施例中，多个内凹陷结构12和多个外凸结构13等间隔均匀排布呈瓦楞状。外凸结构13的顶部切线开设有槽体15，使金属筒10的弹性更佳；槽体15沿金属筒10两端的延伸方向交替开设，使金属筒10受力更加均匀，防止单向变形。请参考图4、图5、图6和图7，金属筒10外部套设有孔套20，孔套20口部设有固定金属筒10的环形凸卡结构21。实施例1：本技术方案还提供一种制造上述接触件的方法，包括以下步骤：金属片状体冲压成凹凸结构；凹凸结构的内凹陷结构端部做倒角处理；凹凸结构顶部的切线冲槽；卷成金属筒状，凹陷结构设于金属筒内部，凹凸结构的外凸结构设于金属筒外部；将金属筒插入口部带有环形凸卡的孔套，待金属套回弹扩张贴合孔套壁。上述凹凸结构顶部的切线冲槽步骤中，其槽开设方向沿凹凸结构顶部的切线方向交替排布，冲槽位置设于外凸结构顶部的切线上。实施例1中的方法适用于已经过工厂热处理，弹性较好的铍铜材料(如C17410HT)。通过此工艺方法生产的接触件，能够通载高电流及信号，并且实现低能量损耗。在插拔过程顺畅，具有良好的弹性，不易变形，结构简单实用。实施例2：金属片状体冲压成凹凸结构；凹凸结构的凹陷结构端部做倒角处理；凹凸结构顶部的切线冲槽；卷成金属筒状，凹陷结构设于金属筒内部，凹凸结构的外凸结构设于金属筒外部；热处理，其加热温度为350℃至420℃，持续时间1小时至2.5小时；将金属筒插入口部带有环形凸卡的孔套，待金属套回弹扩张贴合孔套壁。上述凹凸结构顶部的切线冲槽步骤中，其槽开设方向沿凹凸结构顶部的切线方向交替排布，冲槽位置设于外凸结构顶部的切线上。实施例2中的方法适用于弹性较差的高铍铜材料(如美标牌号：C17200或国标牌号QBe2.0等)。通过此工艺方法生产的接触件，能够通载高电流及信号，并且实现低能量损耗。在插拔过程顺畅，具有良好的弹性，不易变形，结构简单实用。同时通过热处理使接触件弹性更佳，抗疲劳性更好。为了使接触件导电性能更佳，还需对接触件进行电镀处理，其电镀材料为导电性较好的金、银等材料。本技术提供一种接触件，1、内凹陷结构与插针接触增大了有效的导电截面积，降低了导体电阻，实现了通载高电流及信号；2、内凹陷结构顶部到外凸结构顶部的距离较短，即缩短了导电距离，又进一步降低了导体电阻，从而降低了电流及信号的损耗。最后应当说明的是，以上实施例仅用以说明本技术的技术方案，而非对本技术保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本技术作了详细地说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本技术的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本技术技术方案的实质和范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种接触件，包括一体成型的金属筒，其特征在于，所述金属筒侧壁呈凹凸起伏状且设有一条缝隙，所述金属筒侧壁包括沿金属筒长度延伸方向的多个内凹陷结构和多个外凸结构，所述内凹陷结构的凹陷方向朝向所述金属筒的中心轴线，所述外凸结构的凸起方向远离所述金属筒的中线轴线。

【技术特征摘要】
1.一种接触件，包括一体成型的金属筒，其特征在于，所述金属筒侧壁呈凹凸起伏状且设有一条缝隙，所述金属筒侧壁包括沿金属筒长度延伸方向的多个内凹陷结构和多个外凸结构，所述内凹陷结构的凹陷方向朝向所述金属筒的中心轴线，所述外凸结构的凸起方向远离所述金属筒的中线轴线。2.如权利要求1所述的接触件，其特征在于，所述凹陷结构的端部设有倾斜的截面，所述截面的倾斜方向为向金属筒内部中轴线倾斜。...

【专利技术属性】
技术研发人员：倪泉，
申请(专利权)人：深圳尼索科连接技术有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44