一种大棚种植霍山石斛的方法技术

本发明专利技术公开了一种大棚种植霍山石斛的方法，涉及农业技术领域，基于霍山石斛进入休眠期后叶片易掉落的问题而提出的，本发明专利技术的方法包括以下步骤：(1)覆盖棚膜，留通风口，保持种植基质表面湿度在75％以上，并持续管理；(2)当最低气温下降至10℃以下时，在霍山石斛苗床周围设置深色遮光膜，保持苗床湿度在50％以上；(3)当最低气温降至0℃以下时，白天保持棚内通风，夜晚进行保温；(4)待霍山石斛度过休眠期后去除深色遮光膜，恢复正常管理；本发明专利技术的有益效果在于：本发明专利技术的方法简单、易操作、易管理，能够提高霍山石斛冬季休眠期的管理效率和质量，防止霍山石斛在冬季休眠期掉叶。

A method of planting Dendrobium huoshanense in Greenhouse

The invention discloses a greenhouse planting method of Dendrobium huoshanense, which relates to the field of agricultural technology. Based on the problem that the leaves of Dendrobium huoshanense are easy to fall off after entering dormancy period, the method of the invention includes the following steps: (1) covering the greenhouse film, leaving ventilation vents, keeping the surface humidity of the planting matrix above 75%, and continuous management; (2) when the lowest temperature drops below 10 degrees Celsius, in Huoshan. A dark shading film is arranged around the Dendrobium seedbed to keep the humidity of the seedbed above 50%; (3) when the lowest temperature falls below 0 C, ventilation is maintained in the shed during the day and heat preservation is carried out at night; (4) after the dormancy period of Dendrobium huoshanensis, the dark shading film is removed and normal management is restored; the beneficial effect of the invention is that the method of the invention is simple, easy to operate and easy to manage, and the Huoshan seedbed can be improved. The management efficiency and quality of Dendrobium candidum during winter dormancy can prevent its leaves from falling during winter dormancy.

【技术实现步骤摘要】
一种大棚种植霍山石斛的方法
本专利技术涉及农业
，具体涉及一种大棚种植霍山石斛的方法。
技术介绍
霍山石斛属兰科植物，为中药石斛中的上品，其具有清音明目、养胃清热、增强免疫和抗御肿瘤的功效，霍山石斛茎直立，肉质，不分枝，具3-7节，淡黄绿色，有时带淡紫红色斑点，干后淡黄色。叶革质，2-3枚互生于茎的上部，斜出，舌状长圆形。总状花序1-3个，从落了叶的老茎上部发出，具1-2朵花；花淡黄绿色，开展；花瓣卵状长圆形，先端钝，具5条脉；唇瓣近菱形，长和宽约相等。花期5月。霍山石斛株型饱满，形态优美，除了加工成传统的枫斗或深加工产品浸膏、颗粒外，还具有极高的观赏价值，目前市面上出现霍山石斛盆景大量售卖。霍山石斛依靠裸露的须根从空气中吸收水分，气孔开闭和光合作用受湿度影响较大，其从每年10月份后就进入休眠期，开始黄叶缩水，最终叶片几乎掉光，影响盆景的美观。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题在于霍山石斛进入休眠期后叶片易掉落。本专利技术是采用以下技术方案解决上述技术问题的：本专利技术提供一种大棚种植霍山石斛的方法，包括以下步骤：(1)覆盖棚膜，留通风口，保持种植基质表面湿度为75％以上，并持续管理；(2)当最低气温下降至0-10℃时，在霍山石斛周围设置深色遮光膜，保持种植基质表面湿度为50％以上；(3)当最低气温小于0℃时，白天保持棚内通风，夜晚进行保温；(4)待霍山石斛度过休眠期后去除深色遮光膜，恢复正常管理。优选的，所述步骤(1)中在9月中旬为大棚外侧覆盖棚膜。优选的，所述步骤(1)中的通风口为大棚两端通风口。优选的，所述步骤(1)中每1-3天对霍山石斛进行浇水。优选的，所述步骤(1)中的持续管理时间为1个月。优选的，所述步骤(2)中通过在霍山石斛上方设置呈网状支架，然后将深色遮光膜覆盖在网状支架上，且四周延长下垂至棚底。优选的，所述步骤(2)中通过在大棚两侧及两端牵拉钢丝绳形成网状支架。优选的，所述步骤(2)中的深色遮光膜为黑色无纺布。优选的，所述步骤(2)中每周浇水一次。优选的，所述步骤(3)中将大棚两端的棚膜覆盖通风口进行保温。本专利技术的有益效果在于：(1)本专利技术的方法简单、易操作、易管理，能够提高霍山石斛冬季休眠期的管理效率和质量；(2)通过本专利技术的方法，能够使霍山石斛在冬季休眠期不掉叶，同时使霍山石斛保持叶色肥绿、不缩水、品相好。附图说明图1为本专利技术种植方法的流程图。具体实施方式为使对本专利技术的结构特征及所达成的功效有更进一步的了解与认识，用以较佳的实施例对本专利技术进行详细的说明。本专利技术中，所涉及的组分和原料均为常规市售产品，或可通过本领域的常规技术手段获得。实施例1一种大棚种植霍山石斛的方法，包括以下步骤：其流程图如图1所示：(1)在9月中旬后在种植霍山石斛的大棚外侧覆盖棚膜，留大棚两端通风口保持通风，每2天采用地插自动喷淋浇水一次，保持种植基质表面湿度为75％，持续管理1个月；其中覆盖的棚膜较厚，能有效对大棚进行保温；(2)至10月中旬，当最低气温下降至10℃时，在霍山石斛苗床往上1米处，通过在大棚两侧及两端牵拉钢丝绳形成网状支架，将黑色无纺布覆盖在钢丝绳上，且四周延长下垂至棚底，能到遮挡霍山石斛的顶面及侧面，以达到遮光效果，降低霍山石斛的呼吸作用，同时平均每周浇水一次，保持种植基质表面湿度为50％；(3)至11月中旬，当最低气温降至-1℃时，白天保持棚内通风，夜晚将大棚两端的棚膜覆盖通风口进行保温；(4)保持步骤(3)中的步骤，直至次年3月份霍山石斛度过休眠期后，去除无纺、钢丝绳，使霍山石斛恢复正常管理；其中霍山石斛的正常管理为霍山石斛现有的栽培种植方法。实施例2一种大棚种植霍山石斛的方法，包括以下步骤：(1)在9月中旬后将霍山石斛大棚覆盖棚膜，留大棚两端通风口保持通风，每2天采用地插自动喷淋浇水一次，保持种植基质表面湿度为85％，持续管理1个月；(2)至10月中旬，当最低气温下降至8℃时，在霍山石斛苗床往上1米处，通过在大棚两侧及两端牵拉钢丝绳形成网状支架，将黑色无纺布覆盖在钢丝绳上，且四周延长下垂至棚底，能到遮挡霍山石斛的顶面及侧面，以达到遮光效果，降低霍山石斛的呼吸作用，同时平均每周浇水一次，保持种植基质表面湿度为60％；(3)至11月中旬，当最低气温降至-2℃时，白天保持棚内通风，夜晚将大棚两端的棚膜覆盖通风口进行保温；(4)保持步骤(3)中的步骤，直至次年3月份霍山石斛度过休眠期后，去除无纺、钢丝绳，使霍山石斛恢复正常管理；其中霍山石斛的正常管理为霍山石斛现有的栽培种植方法。实施例3一种大棚种植霍山石斛的方法，包括以下步骤：(1)在9月中旬后在种植霍山石斛的大棚外侧覆盖棚膜，留大棚两端通风口保持通风，每3天采用地插自动喷淋浇水一次，保持种植基质表面湿度为90％，持续管理1个月；其中覆盖的棚膜较厚，能有效对大棚进行保温；(2)至10月中旬，当最低气温下降至2℃时，在霍山石斛苗床往上1米处，通过在大棚两侧及两端牵拉钢丝绳形成网状支架，将黑色无纺布覆盖在钢丝绳上，且四周延长下垂至棚底，能到遮挡霍山石斛的顶面及侧面，以达到遮光效果，降低霍山石斛的呼吸作用，同时平均每周浇水一次，保持种植基质表面湿度为90％；(3)至11月中旬，当最低气温降至-4℃时，白天保持棚内通风，夜晚将大棚两端的棚膜覆盖通风口进行保温；(4)保持步骤(3)中的步骤，直至次年3月份霍山石斛度过休眠期后，去除无纺、钢丝绳，使霍山石斛恢复正常管理；其中霍山石斛的正常管理为霍山石斛现有的栽培种植方法。以上仅是本专利技术的优选实施方式，本专利技术的保护范围并不仅限于上述实施例，与本专利技术构思无差异的各种工艺方案均在本专利技术的保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种大棚种植霍山石斛的方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)覆盖棚膜，留通风口，保持种植基质表面湿度为75％以上，并持续管理；(2)当最低气温下降至0‑10℃时，在霍山石斛苗床周围设置深色遮光膜，保持苗床湿度为50％以上；(3)当最低气温小于0℃时，白天保持棚内通风，夜晚进行保温；(4)待霍山石斛度过休眠期后去除深色遮光膜，恢复正常管理。

【技术特征摘要】
1.一种大棚种植霍山石斛的方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)覆盖棚膜，留通风口，保持种植基质表面湿度为75％以上，并持续管理；(2)当最低气温下降至0-10℃时，在霍山石斛苗床周围设置深色遮光膜，保持苗床湿度为50％以上；(3)当最低气温小于0℃时，白天保持棚内通风，夜晚进行保温；(4)待霍山石斛度过休眠期后去除深色遮光膜，恢复正常管理。2.根据权利要求1所述的大棚种植霍山石斛的方法，其特征在于：所述步骤(1)中在9月中旬为大棚外侧覆盖棚膜。3.根据权利要求1所述的大棚种植霍山石斛的方法，其特征在于：所述步骤(1)中的通风口为大棚两端通风口。4.根据权利要求1所述的大棚种植霍山石斛的方法，其特征在于：所述步骤(1)中每1-3天对霍山石斛进行浇水。5.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴亚峰，黄跃华，王诗文，李诚，张恩亮，
申请(专利权)人：九仙尊霍山石斛股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34