横向扩散金属氧化物半导体器件制造技术

本实用新型专利技术提供了一种横向扩散金属氧化物半导体器件，在所述横向扩散金属氧化物半导体器件中，将位于第一介质层和耐压层上方的导体层分为至少部分位于所述第一介质层的第一导体，以及至少部分位于所述耐压层上的第二导体，且使得所述第一导体和第二导体空间隔离，所述第一导体和第二导体可以接不同的电位，使得所述半导体器件在关断状态仍能保持较高的击穿电压。此外，所述半导体器件的源电极由所述源极区上方延伸至至少部分所述第二导体上方，可以避免所述第一导体和第二导体断开位置处的电场出现跌落的现象，从而改善了所述半导体器件的耐压性能。

【技术实现步骤摘要】
横向扩散金属氧化物半导体器件
本技术涉及半导体器件，更具体地，涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件。
技术介绍
在现有的横向扩散金属氧化物半导体器件100如图1所示，其一般包括P型衬底PSUB，位于P型衬底PSUB中的高压N型阱区HVNW，P型体区Pbody和N型漂移区N-drift均形成于高压N型阱区HVNW中，源极区N+与漏极区N+分别形成于P型体区Pbody和N型漂移区N-drift中，体接触区P+也形成于体区Pbody中并与源极区N+相接触，且在半导体器件100的表面，还设置有与源极区相邻的栅介质层(图中未标记)以及位于栅介质层和漏极区之间的厚氧层Oxide，栅极导体poly覆盖所述栅介质层并延伸至厚氧层Oxide上。由上可见，在于半导体器件100中，栅极导体Poly由栅介质层上直接延伸至厚氧层Oxide上，整个导体层Poly均作为栅极导体，其通过栅电极接收控制半导体器件100导通和关断的控制电压。因此，在半导体器件100处于关断状态时，厚氧层Oxdie上的电位不能辅助耗尽N型漂移区N-drift，无法保持器件的耐高压击穿性能。此外，栅电极延伸至N型漂移区N-drift上方，栅漏区脚叠较大，使得栅极电荷Qgd较大，使得半导体器件100的高频应用受限。
技术实现思路
有鉴于此，本技术提供一种横向扩散金属氧化物半导体器件，以使得横向扩散金属氧化物半导体器件既具有较高的耐击穿电压，又具有较低的导通电阻，且还具有较低的栅极电荷，使得所述半导器件适应于高频应用。一种横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，包括：基层，位于所述基层中源极区与漏极区，位于所述基层的第一表面且与所述源极区相邻的第一介质层，位于所述基层的第一表面的耐压层，所述耐压层位于所述第一介质层与所述漏极区之间，至少部分位于所述第一介质层上的第一导体，至少部分位于所述耐压层上的第二导体，与所述源极区电连接的源电极，其中，所述第一导体和第二导体空间隔离，且所述源电极由所述源极区上方延伸至至少部分所述第二导体的上方。优选地，所述的横向扩散金属氧化物半导体器件还包括位于所述基层的第一表面上的层间介质层，所述层间介质层裸露所述源极区，所述源电极包括穿过所述层间介质层而与所述源极区接触的第一部分，以及位于所述层间介质层表面并延伸至至少部分所述第二导体上方的第二部分。优选地，所述的横向扩散金属氧化物半导体器件还包括与所述第一导体电连接的栅电极，以及和第二导体电连接的第一场板电极，所述栅电极与所述第一场板电极接不同的电位。优选地，所述第一场板电极与所述源电极接相同的电位。优选地，所述的横向扩散金属氧化物半导体器件还包括至少一个第三导体，各个所述第三导体均位于所述耐压层上方，各个所述第三导体彼此空间隔离，且各个所述第三导体与所述第二导体空间隔离。优选地，所述的横向扩散金属氧化物半导体器件还包括与各个所述第三导体对应电连接的各个第二场板电极，在各个所述第二场板电极中，越靠近所述漏极区的第二场板电极所接的电位越高。优选地，所述第二导体和第一导体中的一个导体层的一部分覆盖在所述第一介质层和耐压层的交界处上方。优选地，所述耐压层为第二介质层，且所述第二介质层的厚度大于所述第一介质层。优选地，所述的横向扩散金属氧化物半导体器件还包括位于所述基层中的漂移区和体区，所述漏极区位于所述漂移区中，且所述耐压层的至少部分位于所述漂移区上方，所述源极区位于所述体区中，且所述第一介质层的至少部分位于所述体区上方。优选地，所述的横向扩散金属氧化物半导体器件还包括位于所述基层中的减小表面场效应层，所述减小表面场效应层位于所述体区和漂移区下方，且与所述体区具有相同掺杂类型，而与所述漂移区具有不同的掺杂类型。优选地，所述减小表面场效应层与所述漂移区之间的第一间距大于零。优选地，所述减小表面场效应层与所述体区之间的第二间距小于或等于所述第一间距。优选地，所述的横向扩散金属氧化物半导体器件还包括位于所述基层中，且位于所述减小表面场效应层下方的隔离层，所述隔离层将所述减小表面场效应层与所述基层隔离。优选地，所述漂移区的掺杂浓度越大，所述第一间距越小。优选地，所述基层包括半导体衬底和位于所述半导体衬底中的高压阱区，所述漂移区，体区和减小表面场效应区均位于所述高压阱区中，所述半导体衬底的掺杂类型与所述减小表面场效应层的掺杂类型相同，而所述高压阱区的掺杂类型与所述减小表面场效层的掺杂类型不同。由上可见，依据本技术提供的横向扩散金属氧化物半导体器件中，将位于第一介质层和耐压层上方的导体层分为至少部分位于所述第一介质层的第一导体，以及至少部分位于所述耐压层上的第二导体，且使得所述第一导体和第二导体空间隔离，所述第一导体和第二导体可以接不同的电位，使得所述半导体器件在关断状态仍能保持较高的击穿电压。此外，所述半导体器件的源电极由所述源极区上方延伸至至少部分所述第二导体上方，可以避免所述第一导体和第二导体断开位置处的电场出现跌落的现象，从而改善了所述半导体器件的耐压性能。附图说明通过以下参照附图对本技术实施例的描述，本技术的上述以及其他目的、特征和优点将更为清楚，在附图中：图1为现有的横向扩散金属氧化物半导体器件的器件示意图；图2为依据本技术实施例一提供的一种横向扩散金属氧化物半导体器件的器件示意图；图3为依据本技术实施例二提供的一种横向扩散金属氧化物半导体器件的器件示意图；图4为依据本技术实施例三提供的一种横向扩散金属氧化物半导体器件的器件示意图；图5为依据本技术实施例四提供的一种横向扩散金属氧化物半导体器件的器件示意图；图6为依据本技术实施例五提供的一种横向扩散金属氧化物半导体器件的器件示意图；图7为依据本技术实施例六提供的一种横向扩散金属氧化物半导体器件的器件示意图；图8为依据本技术实施例七提供的一种横向扩散金属氧化物半导体器件的器件示意图。具体实施方式以下将参照附图更详细地描述本技术。在各个附图中，相同的组成部分采用类似的附图标记来表示。为了清楚起见，附图中的各个部分没有按比例绘制。此外，可能未示出某些公知的部分。为了简明起见，可以在一幅图中描述经过数个步骤后获得的器件。在下文中描述了本技术的许多特定的细节，例如每个组成部分的器件、材料、尺寸、处理工艺和技术，以便更清楚地理解本技术。但正如本领域的技术人员能够理解的那样，可以不按照这些特定的细节来实现本技术。图2为依据本技术实施例一提供的一种横向扩散金属氧化物半导体器件200的结构示意图。依据本技术实施例一提供的半导体器件主要包括：基层，位于基层中源极区与漏极区，位于所述基层的第一表面且与所述源极区相邻的第一介质层，位于所述基层的第一表面的耐压层，所述耐压层位于所述第一介质层与所述漏极区之间，位于所述第一介质层上的第一导体，位于所述耐压层上的第二导体，与所述源极区电连接的源电极，其中，所述第一导体和第二导体空间隔离，且所述源电极由所述源极区上方延伸至至少部分所述第二导体的上方。其中，所述空间隔离是所述第一导体和第二导体在空间位置上是不接触的，是相互隔开的。在半导体器件200中，所述源极区和漏极区均为N型掺杂N+区域，在其它实施例中，所述源极区和漏极区也可均为P型掺杂P本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，包括：基层，位于所述基层中源极区与漏极区，位于所述基层的第一表面且与所述源极区相邻的第一介质层，位于所述基层的第一表面的耐压层，所述耐压层位于所述第一介质层与所述漏极区之间，至少部分位于所述第一介质层上的第一导体，至少部分位于所述耐压层上的第二导体，与所述源极区电连接的源电极，其中，所述第一导体和第二导体空间隔离，且所述源电极由所述源极区上方延伸至至少部分所述第二导体的上方。

【技术特征摘要】
1.一种横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，包括：基层，位于所述基层中源极区与漏极区，位于所述基层的第一表面且与所述源极区相邻的第一介质层，位于所述基层的第一表面的耐压层，所述耐压层位于所述第一介质层与所述漏极区之间，至少部分位于所述第一介质层上的第一导体，至少部分位于所述耐压层上的第二导体，与所述源极区电连接的源电极，其中，所述第一导体和第二导体空间隔离，且所述源电极由所述源极区上方延伸至至少部分所述第二导体的上方。2.根据权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，还包括位于所述基层的第一表面上的层间介质层，所述层间介质层裸露所述源极区，所述源电极包括穿过所述层间介质层而与所述源极区接触的第一部分，以及位于所述层间介质层表面并延伸至至少部分所述第二导体上方的第二部分。3.根据权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，还包括与所述第一导体电连接的栅电极，以及和第二导体电连接的第一场板电极，所述栅电极与所述第一场板电极接不同的电位。4.根据权利要求3所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述第一场板电极与所述源电极接相同的电位。5.根据权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，还包括至少一个第三导体，各个所述第三导体均位于所述耐压层上方，各个所述第三导体彼此空间隔离，且各个所述第三导体与所述第二导体空间隔离。6.根据权利要求5所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，还包括与各个所述第三导体对应电连接的各个第二场板电极，在各个所述第二场板电极中，越靠近所述漏极区的第二场板电极所接的电位越高。7.根据权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述第二导体和第一导体中的一个导体层的一部分覆...

【专利技术属性】
技术研发人员：游步东，喻慧，王猛，杜益成，彭川，黄贤国，
申请(专利权)人：矽力杰半导体技术杭州有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江,33