一种使用超微晶冲片、坡莫合金屏蔽的高性能互感器制造技术

技术编号:20108112 阅读:38 留言:0更新日期:2019-01-16 10:08
本实用新型专利技术涉及一种使用超微晶冲片、坡莫合金屏蔽的高性能互感器,这一种使用超微晶冲片、坡莫合金屏蔽的高性能互感器采用超微晶,具有导磁率高的优点,保证互感器的一致性优于同级产品,同时采用坡莫合金屏蔽罩,减小外界磁场对互感器的造成的干扰,本互感器可以测试小电流的能力高于同级产品,采用两边绕线对称安装,可以减小互感器漏抗,降低互感器的损耗,提高互感器的准确度,一般厂家互感器受限于技术工艺,只能单边绕线,即使双边绕线,也是从互感器外边飞线,不够美观,而本实用新型专利技术采用内部快速连接,即美观实用,又大大加快了互感器的安装速度。

【技术实现步骤摘要】
一种使用超微晶冲片、坡莫合金屏蔽的高性能互感器
本技术涉及一种使用超微晶冲片、坡莫合金屏蔽的高性能互感器。
技术介绍
目前市面上的磁性材料,无论用做电感电抗还是互感器的磁芯,从成本考虑一般都是使用带材卷绕,如硅钢铁心、超微晶铁心、坡莫合金铁心。但是为了需要做成特殊的形状,有利于加工,则只能使用硅钢冲片或者坡莫合金冲片叠置而成。但是硅钢冲片的导磁率太低,难以达到互感器的精度要求;而如果使用坡莫合金冲片,则成本太高,同时其磁通密度太低,不利于做出大电流的互感器或者电抗器。如果能够使用超微晶冲片来加工则避免以上所有问题,因为超微晶拥有合适的磁通密度以及较高的导磁率,但是由于超微晶的单片太脆,无法做成冲片。
技术实现思路
本技术的目的在于克服上述不足,提供一种利用超微晶冲片,拥有合适的磁通密度以及较高的导磁率,并且可以减少磁场干扰的一种使用超微晶冲片、坡莫合金屏蔽的高性能互感器。本技术的目的是这样实现的:一种使用超微晶冲片、坡莫合金屏蔽的高性能互感器,它是由磁心、屏蔽罩和外壳组成;其中磁心包括左右两块冲片,每块冲片均是由多块单片超微晶片叠加而成,冲片的表面涂覆有树脂涂层,并且两个冲片上绕有线圈;所述屏蔽罩是由坡莫合金冲压而成,并且屏蔽罩由左右两块拼接而成,每块的形状与单块磁心的形状一致,并且左右两块都可以上下拆分让磁心放入其中,磁心放入后,左右两块屏蔽罩中间留有间隙;所述外壳由上下两个半壳拼接而成,磁心、屏蔽罩组成的组合件放入外壳后,外壳上下拼合并通过搭扣完成外壳与的磁心、屏蔽罩固定,从而组成了完整的互感器。外壳内设有端子的固定连接点。所述磁心、屏蔽罩组成的组合件放入外壳后,组合件两侧与外壳之间加入弹片。每块冲片均是由多块单片超微晶片叠加而成,单片超微晶片的厚度为30um。与现有技术相比,本技术的有益效果是:这一种使用超微晶冲片、坡莫合金屏蔽的高性能互感器采用超微晶,具有导磁率高的优点,保证互感器的一致性优于同级产品,同时采用坡莫合金屏蔽罩,减小外界磁场对互感器的造成的干扰,本互感器可以测试小电流的能力高于同级产品,采用两边绕线对称安装,可以减小互感器漏抗,降低互感器的损耗,提高互感器的准确度,一般厂家互感器受限于技术工艺,只能单边绕线,即使双边绕线,也是从互感器外边飞线,不够美观,而本专利技术采用内部快速连接,即美观实用,又大大加快了互感器的安装速度。附图说明图1为本技术一种使用超微晶冲片、坡莫合金屏蔽的高性能互感器的结构示意图。图2为本技术中磁心的结构示意图。图3为图2中的磁心中冲片的结构示意图。图4为图3中冲片的叠加结构图。图5为图3中的冲片缠绕线圈后的结构示意图。图6为本技术中屏蔽罩的结构示意图。图7为磁心罩上屏蔽罩前的示意图。图8为磁心和屏蔽罩放入外壳下半部时的示意图。其中:磁心1、屏蔽罩2、外壳3、冲片4、线圈5、搭扣6。具体实施方式参见图1,本技术涉及一种使用超微晶冲片、坡莫合金屏蔽的高性能互感器,它是由磁心1、屏蔽罩2和外壳3组成。如图2至图5,其中磁心1包括左右两块冲片4,每块冲片4均是由多块30um厚度的单片超微晶片叠加回火固化,随后用冲床或者线切割,再二次回火固化而成的,冲片4的表面涂覆有树脂涂层起到绝缘作用,绝缘后在两个冲片4上绕有线圈5制成完整的磁心1。磁心1的制作方法为:单片超微晶的正常厚度为30um,把十片叠加在一起,用工装夹好,进退火炉回火,取出后,用高粘度胶水固化,固化后即可成为0.3mm的超微晶片,然后用冲床(数量少可以用线切割)做成需要的冲片4的外形,最后用所需的片数的冲片4用工装叠加在一起,二次回火,二次用胶水固化,端面用砂纸打磨,两片磁心对合不透光即可,随后在冲片4的表面涂覆树脂涂层起到绝缘作用,绝缘后在两个冲片4上绕线圈5并接二次端子,并接上内部连接端子制成磁心1。如图6和图7,所述屏蔽罩2是由坡莫合金冲压而成,并且屏蔽罩2由左右两块拼接而成,每块的形状与单块磁心1的形状一致,仅稍大于磁心1的规格,并且左右两块都可以上下拆分让磁心1放入其中形成组合件,磁心1放入后,左右两块屏蔽罩2的中间留有间隙,避免屏蔽罩2形成短路环。如图1和图8,所述外壳3由上下两个半壳拼接而成,磁心1、屏蔽罩2组成的组合件放入外壳3后,在组合件两边加入弹片,保证磁心1和连接头接触良好,此外在外壳3内设有专门固定连接端子的地方,防止磁心1滑动造成位置变化,外壳3上下拼合后,最后通过在外壳3外部的搭扣6完成外壳3与磁心1、屏蔽罩2的固定,并经过超声波清洗,便制成了完整的互感器。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种使用超微晶冲片、坡莫合金屏蔽的高性能互感器,其特征在于:它是由磁心(1)、屏蔽罩(2)和外壳(3)组成;其中磁心(1)包括左右两块冲片(4),每块冲片(4)均是由多块单片超微晶片叠加而成,冲片(4)的表面涂覆有树脂涂层,并且两个冲片(4)上绕有线圈(5);所述屏蔽罩(2)是由坡莫合金冲压而成,并且屏蔽罩(2)由左右两块拼接而成,每块的形状与单块磁心(1)的形状一致,并且左右两块都可以上下拆分让磁心(1)放入其中,磁心(1)放入后,左右两块屏蔽罩(2)中间留有间隙;所述外壳(3)由上下两个半壳拼接而成,磁心(1)、屏蔽罩(2)组成的组合件放入外壳(3)后,外壳(3)上下拼合并通过搭扣(6)完成外壳(3)与的磁心(1)、屏蔽罩(2)固定,从而组成了完整的互感器。

【技术特征摘要】
1.一种使用超微晶冲片、坡莫合金屏蔽的高性能互感器,其特征在于:它是由磁心(1)、屏蔽罩(2)和外壳(3)组成;其中磁心(1)包括左右两块冲片(4),每块冲片(4)均是由多块单片超微晶片叠加而成,冲片(4)的表面涂覆有树脂涂层,并且两个冲片(4)上绕有线圈(5);所述屏蔽罩(2)是由坡莫合金冲压而成,并且屏蔽罩(2)由左右两块拼接而成,每块的形状与单块磁心(1)的形状一致,并且左右两块都可以上下拆分让磁心(1)放入其中,磁心(1)放入后,左右两块屏蔽罩(2)中间留有间隙;所述外壳(3)由上下两个半壳拼接而成,磁心(1)、屏蔽罩(2)组成...

【专利技术属性】
技术研发人员:郑雷伟宋利峰钟晓杰张志新姚芸
申请(专利权)人:北京环磁伟业科技有限公司
类型:新型
国别省市:北京,11

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