一种低功耗RS485通讯接口电路制造技术

本实用新型专利技术提供了一种低功耗RS485通讯接口电路，包括：驱动器，驱动器的第一端连接第一接口线，第二端连接第二接口线，第三端连接DI接口，第四端连接DE接口；接收器，接收器的第一端连接第一接口线，第二端连接第二接口线，第三端连接R0接口，第四端连接RE接口；第一MOS管，第一MOS管的漏极连接电源，第一MOS管的源极连接第一MOS管的栅极；第二MOS管，第二MOS管的漏极连接电源，第二MOS管的栅极连接第一MOS管的栅极；第三MOS管，第三MOS管的漏极连接电源，第三MOS管的栅极连接第一MOS管的栅极和第二MOS管的栅极，第三MOS管的源极连接接收器的第五端；开关，开关的第一端连接第二MOS管的源极，开关的第二端连接驱动器的第五端；其中，开关由DE接口控制开断。

【技术实现步骤摘要】
一种低功耗RS485通讯接口电路
本技术涉及通信领域，尤其涉及一种低功耗RS485通讯接口电路。
技术介绍
RS485通信是一种国际通用串口标准，因RS485总线通信模式具有结构简单、价格低廉、通信距离和数据传输速率适当等特点，而被广泛应用；RS485有4线的全双工模式和2线的半双工模式，基于成本考虑，目前基本采用半双工模式。半双工模式的RS485电路可以工作于发送模式或者接收模式；实际使用中，半双工RS485电路长时间处于接收模式，电路在接收模式下的工作电流基本等于电路的实际工作电流；目前的RS485电路没有特别针对接收模式的工作电流进行优化，接收模式、发送模式的工作电流均在0.5mA～2mA之间，在电池供电等一些对电路功耗要求高的场合，无法满足需求。
技术实现思路
本技术旨在至少克服上述缺陷之一提供一种低功耗RS485通讯接口电路，以使电路适用于电池供电等对电路功耗要求高的场合。为达到上述目的，本技术的技术方案具体是这样实现的：本技术的一个方面提供了一种低功耗RS485通讯接口电路，包括：第一接口线A；第二接口线B；驱动器D，驱动器D的第一端连接第一接口线A，驱动器D的第二端连接第二接口线B，驱动器D的第三端连接DI接口，驱动器D的第四端连接DE接口；接收器R，接收器R的第一端连接第一接口线A，接收器R的第二端连接第二接口线B，接收器R的第三端连接R0接口，接收器R的第四端连接RE接口；第一MOS管M1，第一MOS管M1的漏极连接电源VCC，第一MOS管M1的源极连接第一MOS管M1的栅极；第二MOS管M2，第二MOS管M2的漏极连接电源VCC，第二MOS管M2的栅极连接第一MOS管M1的栅极；第三MOS管M3，第三MOS管M3的漏极连接电源VCC，第三MOS管M3的栅极连接第一MOS管M1的栅极和第二MOS管M2的栅极，第三MOS管M3的源极连接接收器R的第五端；开关S1，开关S1的第一端连接第二MOS管M2的源极，开关S1的第二端连接驱动器D的第五端；其中，开关S1由DE接口控制开断。其中，第一MOS管M1为P沟道MOS管；第二MOS管M2为P沟道MOS管；第三MOS管M3为P沟道MOS管。其中，设置I1＝I2＝I3；其中，I1为第一MOS管M1输出的电流、I2为第二MOS管M2输出的电流、I3为第三MOS管M3输出的电流。其中，在VCC＝3.6V时，设置I1为0.4uA。其中，设置接收器R的静态工作电流IR＝3×I3；设置驱动器D的静态工作电流ID＜200×I2；在VCC＝3.6V时，设置I1＜0.5uA；接收模式时，电路无负载总静态工作电流ICC1＝I1+IR；驱动模式时，电路无负载总静态工作电流ICC2＝I1+IR+ID。其中，在VCC＝3.6V时，接收模式时，设置所述电路无负载总静态工作电流ICC1＜2uA。其中，在VCC＝3.6V时，设置所述ICC1为1.6uA。由上述本技术提供的技术方案可以看出，通过本技术实施例提供的低功耗RS485通讯接口电路，可以利用开关S1，在驱动器不工作时，断开开关S1，关闭驱动器D的工作电流；利用第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3来控制驱动器D、接收器R的工作电流；可以配合工作电流优化的驱动器D、接收器R，实现电路的接收状态的低功耗的目的。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他附图。图1为本技术实施例提供的低功耗RS485通讯接口电路的结构示意图。具体实施方式下面结合附图对本技术的实施方式进行详细说明。图1示出了本技术实施例提供的低功耗RS485通讯接口电路的结构示意图，参见图1，本技术实施例提供的低功耗RS485通讯接口电路，包括：第一接口线A；第二接口线B；驱动器D，驱动器D的第一端连接第一接口线A，驱动器D的第二端连接第二接口线B，驱动器D的第三端连接DI接口，驱动器D的第四端连接DE接口；接收器R，接收器R的第一端连接第一接口线A，接收器R的第二端连接第二接口线B，接收器R的第三端连接R0接口，接收器R的第四端连接RE接口；第一MOS管M1，第一MOS管M1的漏极连接电源VCC，第一MOS管M1的源极连接第一MOS管M1的栅极；第二MOS管M2，第二MOS管M2的漏极连接电源VCC，第二MOS管M2的栅极连接第一MOS管M1的栅极；第三MOS管M3，第三MOS管M3的漏极连接电源VCC，第三MOS管M3的栅极连接第一MOS管M1的栅极和第二MOS管M2的栅极，第三MOS管M3的源极连接接收器R的第五端；开关S1，开关S1的第一端连接第二MOS管M2的源极，开关S1的第二端连接驱动器D的第五端；其中，开关S1由DE接口控制开断。具体地，本技术包括驱动器D、接收器R、第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3以及开关S1。其中：作为本技术实施例的一个可选实施方式，第一MOS管M1为P沟道MOS管；第二MOS管M2为P沟道MOS管；第三MOS管M3为P沟道MOS管。作为本技术实施例的一个可选实施方式，设置I1＝I2＝I3；其中，I1为第一MOS管M1输出的电流、I2为第二MOS管M2输出的电流、I3为第三MOS管M3输出的电流。优选的，在VCC＝3.6V时，可以设置所述I1为0.4uA。其中，驱动器D的静态工作电流ID由第二MOS管M2输出的电流I2和通过I2镜像产生的电流组成。接收器R的静态工作电流IR由第三MOS管M3输出的电流I3和通过I3镜像产生的电流组成。第一MOS管M1、第二MOS管M2以及第三MOS管M3组成CMOS电流镜，其中，I1＝I2＝I3。开关S1由DE控制，DE为逻辑低电平时，开关S1断开，此时I2不能输入到驱动器D，驱动器D的静态工作电流为0；DE为逻辑高电平时，开关S1导通，此时I2输入到驱动器D，驱动器D的静态电流为ID；电路处于接收模式时，通过DE接口断开开关S1，此时接收器R工作，驱动器D关闭，电路总静态工作电流ICC1＝I1+IR。电路处于驱动模式时，通过DE接口闭合开关S1，此时接收器R关闭，驱动器D工作，电路总静态工作电流ICC2＝I1+IR+ID。作为本技术实施例的一个可选实施方式，设置接收器R的静态工作电流IR＝3×I3；设置驱动器D的静态工作电流ID＜200×I2；在VCC＝3.6V时，设置I1＜0.5uA；接收模式时，电路无负载总静态工作电流ICC1＝I1+IR；驱动模式时，电路无负载总静态工作电流ICC2＝I1+IR+ID。作为本技术实施例的一个可选实施方式，在VCC＝3.6V时，在接收模式时，设置电路无负载总静态工作电流ICC1＜2uA。优选的，在VCC＝3.6V时，设置ICC1为1.6uA。具体地，本技术设计的低功耗接收器R的静态工作电流IR＝3×I3；设计的低功耗驱动器D的静态工作电流ID＜200×I2；设计的偏置I1在VCC＝3.6V时，I1＜0.5uA，典型为0.4uA；电路在VCC＝3本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低功耗RS485通讯接口电路，其特征在于，包括：第一接口线A；第二接口线B；驱动器D，所述驱动器D的第一端连接所述第一接口线A，所述驱动器D的第二端连接所述第二接口线B，所述驱动器D的第三端连接DI接口，所述驱动器D的第四端连接DE接口；接收器R，所述接收器R的第一端连接所述第一接口线A，所述接收器R的第二端连接所述第二接口线B，所述接收器R的第三端连接R0接口，所述接收器R的第四端连接RE接口；第一MOS管M1，所述第一MOS管M1的漏极连接电源VCC，所述第一MOS管M1的源极连接所述第一MOS管M1的栅极；第二MOS管M2，所述第二MOS管M2的漏极连接电源VCC，所述第二MOS管M2的栅极连接所述第一MOS管M1的栅极；第三MOS管M3，所述第三MOS管M3的漏极连接电源VCC，所述第三MOS管M3的栅极连接所述第一MOS管M1的栅极和所述第二MOS管M2的栅极，所述第三MOS管M3的源极连接所述接收器R的第五端；开关S1，所述开关S1的第一端连接所述第二MOS管M2的源极，所述开关S1的第二端连接所述驱动器D的第五端；其中，所述开关S1由所述DE接口控制开断。

【技术特征摘要】
1.一种低功耗RS485通讯接口电路，其特征在于，包括：第一接口线A；第二接口线B；驱动器D，所述驱动器D的第一端连接所述第一接口线A，所述驱动器D的第二端连接所述第二接口线B，所述驱动器D的第三端连接DI接口，所述驱动器D的第四端连接DE接口；接收器R，所述接收器R的第一端连接所述第一接口线A，所述接收器R的第二端连接所述第二接口线B，所述接收器R的第三端连接R0接口，所述接收器R的第四端连接RE接口；第一MOS管M1，所述第一MOS管M1的漏极连接电源VCC，所述第一MOS管M1的源极连接所述第一MOS管M1的栅极；第二MOS管M2，所述第二MOS管M2的漏极连接电源VCC，所述第二MOS管M2的栅极连接所述第一MOS管M1的栅极；第三MOS管M3，所述第三MOS管M3的漏极连接电源VCC，所述第三MOS管M3的栅极连接所述第一MOS管M1的栅极和所述第二MOS管M2的栅极，所述第三MOS管M3的源极连接所述接收器R的第五端；开关S1，所述开关S1的第一端连接所述第二MOS管M2的源极，所述开关S1的第二端连接所述驱动器D的第五端；其中，所述开关S1由所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：王勇，
申请(专利权)人：无锡景明电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32