附着物回收方法及装置、真空成膜系统制造方法及图纸

本发明专利技术是关于一种附着物回收方法及装置、真空成膜系统，属于设备余料回收技术领域，该附着物回收装置包括：回收腔体和连通件，回收腔体设置有开口；回收腔体的开口通过连通件与待清理装置的开口连通，回收腔体和待清理装置形成密闭空间，该附着物回收装置用于对待清理装置中的附着物进行加热，使得附着物转换为液体并流入回收腔体内，解决了相关技术中采用人工方式回收附着物时使真空成膜装置产生破损，而且回收的附着物的污染度较高的问题，可以起到保护待清理装置的作用，且降低了回收的附着物的污染度，本发明专利技术用于回收待清理装置中的附着物。

【技术实现步骤摘要】
附着物回收方法及装置、真空成膜系统
本专利技术涉及设备余料回收
，特别涉及一种附着物回收方法及装置、真空成膜系统。
技术介绍
近年来，有大量产品或设备需要镀膜技术来实现，其包括太阳能电池、液晶板的平板显示板、半导体装置和存储器等。上述产品和设备可通过使用溅射法、真空蒸镀法、离子喷镀法等真空成膜法的真空成膜装置制备，成膜材料中使用稀有金属的情况也很多。采用稀有金属，特别是铟或钽等稀有金属作为成膜材料使用存在其资源枯竭的问题。为了缓解上述问题，正在寻找能够控制在现有的生产阶段和使用阶段的废弃量的、回收并循环上述稀有金属的处理技术的确定和具体的对策。通常，采用上述真空成膜法，在形成薄膜的基板之外的地方，例如基板之外的真空容器内会厚厚地附着着成膜材料的附着物。由于这些真空成膜装置被反复使用，因此，附着在真空成膜装置上的附着物会变多，并且由于一些金属会对真空成膜装置产生腐蚀作用，从而会破坏真空成膜装置。相关技术中，为了保护真空成膜装置，并回收真空成膜装置上的附着物，常常是采用人工方式回收附着物，然而采用人工方式回收附着物时会使真空成膜装置产生破损，而且回收的附着物的污染度较高。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种附着物回收方法及装置、真空成膜系统，可以解决相关技术中采用人工方式回收附着物时使真空成膜装置产生破损，而且回收的附着物的污染度较高的问题。所述技术方案如下：根据本专利技术实施例的第一方面，提供一种附着物回收装置，包括：回收腔体和连通件，所述回收腔体设置有开口；所述回收腔体的开口通过所述连通件与待清理装置的开口连通，所述回收腔体和所述待清理装置形成密闭空间。可选的，所述连通件包括第一法兰接口、第二法兰接口以及连接部，所述第一法兰接口和所述第二法兰接口的直径不同，所述第一法兰接口与所述回收腔体的开口连接，所述第二法兰接口用于与所述待清理装置的开口连接，所述第一法兰接口和所述第二法兰接口通过所述连接部连接，所述连接部设置有中中心通孔。可选的，所述附着物回收装置还包括导流部，所述导流部包括连接端和导流条，所述连接端围绕所述中心通孔设置；所述导流条向所述回收腔体内延伸。可选的，所述导流部的数量大于或等于2。可选的，多个所述导流部围绕所述连接部的所述中心通孔对称设置。可选的，所述回收腔体的内部为锥形结构，所述锥形结构的开口的面积大于底面的面积。可选的，所述回收腔体的腔体壁上设置有真空设备接口，所述真空设备接口用于连接真空设备。可选的，所述回收腔体还包括冷却部，用于冷却所述回收腔体。根据本专利技术实施例的第二方面，提供一种真空成膜系统，包括真空成膜装置和根据第一方面所述的附着物回收装置，所述附着物回收装置的回收腔体的开口通过连通件与所述真空成膜装置的盛放腔体的开口连通。根据本专利技术实施例的第三方面，提供一种附着物回收方法，所述方法包括：将附着物回收装置的回收腔体的开口通过连通件与待清理装置的开口连通，所述回收腔体和所述待清理装置形成密闭空间；对所述回收腔体和所述待清理装置形成的密闭空间进行抽真空；对所述待清理装置中的附着物进行加热，使所述附着物转换为液体并流入所述回收腔体内；对所述回收腔体冷却，使回收的所述附着物凝固。本专利技术实施例提供的技术方案至少包括以下有益效果：回收腔体的开口通过连通件与待清理装置的开口连通，回收腔体和待清理装置形成密闭空间，该附着物回收装置用于对待清理装置中的附着物进行加热，能够使附着物转换为液体并流入回收腔体内，相较于相关技术中的人工方式，可以起到保护待清理装置的作用，且降低了回收的附着物的污染度。附图说明为了更清楚地说明本专利技术的实施例，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是相关技术中一种熔融设备的结构示意图；图2是本专利技术实施例提供的一种附着物回收装置的结构示意图；图3是本专利技术实施例提供的另一种附着物回收装置的结构示意图；图4是本专利技术实施例提供的连通件和导流部的结构示意图；图5是本专利技术实施例提供的一种回收腔体的结构示意图；图6是本专利技术实施例提供的一种真空成膜系统的结构示意图；图7是本专利技术实施例提供的一种附着物回收方法的流程图。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部份实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。通常，采用真空成膜法，在形成薄膜的基板之外的地方，例如基板之外的真空容器内会厚厚地附着着成膜材料的附着物。由于这些真空成膜装置被反复使用，因此，附着在真空成膜装置上的附着物会变多，并且由于一些金属会对真空成膜装置产生腐蚀作用，从而会破坏真空成膜装置。例如，采用真空蒸镀法可以将成膜材料加热至熔融状态，成膜材料在熔融状态下产生的蒸气经真空室转移到基板表面凝结成薄膜。示例的，在太阳能电池的制备过程中，需要采用真空蒸镀法形成薄膜，比如形成铜铟镓硒化合物半导体薄膜，以作为太阳能电池的吸收层，该过程通常要用到熔融设备，该熔融设备如图1所示，主要包括盛放腔体11、坩埚12和加热部13，坩埚12和加热部13设置在盛放腔体11内。其中，坩埚12盛放成膜材料14，加热部13对坩埚12进行加热，使坩埚12中的成膜材料14融化至熔融状态并产生蒸气，蒸汽从盛放腔体11的开口喷出，到达基板表面，并附着在基板(图1中未画出)表面。而加热部13会厚厚地附着着成膜材料的附着物，由于熔融设备被反复使用，附着在加热部13上的附着物会变多，并且由于成膜材料中的硒元素会对熔融设备产生腐蚀作用，从而会破坏熔融设备。相关技术中，为了保护真空成膜装置，并回收真空成膜装置上的附着物，常常是采用人工方式回收附着物，然而采用人工方式回收附着物时会使真空成膜装置产生破损，而且回收的附着物的污染度较高。而本专利技术实施例提供的附着物回收装置用于对待清理装置中的附着物进行加热，使得附着物转换为液体并流入回收腔体内，可以起到保护真空成膜装置的作用，且降低了回收的附着物的污染度。图2是本专利技术实施例提供的一种附着物回收装置20的结构示意图，该附着物回收装置20包括：回收腔体21和连通件22，回收腔体21设置有开口213；回收腔体21的开口213通过连通件22与待清理装置30的开口301连通，回收腔体21和待清理装置30形成密闭空间。该附着物回收装置20用于对待清理装置30中的附着物31进行加热，使得附着物31转换为液体并流入回收腔体21内。综上所述，本专利技术实施例提供的附着物回收装置，回收腔体的开口通过连通件与待清理装置的开口连通，回收腔体和待清理装置形成密闭空间，该附着物回收装置用于对待清理装置中的附着物进行加热，能够使附着物转换为液体并流入回收腔体内，相较于相关技术中的人工方式，可以起到保护待清理装置的作用，且降低了回收的附着物的污染度。图3是本专利技术实施例在图2的基础上提供的另一种附着物回收装置的结构示意图，该附着物回收装置包括：回收腔体21，连通件22和导流部23。其中，回收腔体21设置有开口；回收腔本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种附着物回收装置，其特征在于，包括：回收腔体和连通件，所述回收腔体设置有开口；所述回收腔体的开口通过所述连通件与待清理装置的开口连通，所述回收腔体和所述待清理装置形成密闭空间。

【技术特征摘要】
1.一种附着物回收装置，其特征在于，包括：回收腔体和连通件，所述回收腔体设置有开口；所述回收腔体的开口通过所述连通件与待清理装置的开口连通，所述回收腔体和所述待清理装置形成密闭空间。2.根据权利要求1所述的附着物回收装置，其特征在于，所述连通件包括第一法兰接口、第二法兰接口以及连接部，所述第一法兰接口与所述回收腔体的开口连接，所述第二法兰接口用于与所述待清理装置的开口连接，所述第一法兰接口和所述第二法兰接口通过所述连接部连接，所述连接部设置有中心通孔。3.根据权利要求2所述的附着物回收装置，其特征在于，所述附着物回收装置还包括导流部，所述导流部包括连接端和导流条，所述连接端围绕所述中心通孔设置；所述导流条向所述回收腔体内延伸。4.根据权利要求3所述的附着物回收装置，其特征在于，所述导流部的数量大于或等于2。5.根据权利要求4所述的附着物回收装置，其特征在于，多个所述导流部围绕所述连接部的所述中心通孔对称设置。6.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：鲁玉泉，
申请(专利权)人：北京铂阳顶荣光伏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11