The invention provides a buffer circuit and a buffer. The buffer circuit includes: an input following circuit for following the voltage change of the first input signal; an input following linearity raising circuit for raising the following linearity of the input following circuit; a first voltage bootstrapping circuit for bootstrapping the voltage of the first input signal; and a second voltage bootstrapping circuit for bootstrapping the second input signal. The voltage of the signal; the third voltage bootstrap circuit, which provides the corresponding static operating point voltage; the compensation follower circuit, which follows the compensation voltage; the compensation follower linearity lifting circuit, which improves the follower linearity of the compensation follower circuit; the first load, which collects the buffer voltage; the bias circuit, which provides the bias current for the buffer; and the compensation follower linearity lifting circuit, which improves the follower linearity. The circuit is used to improve the linearity of the bias circuit, and the second load is used to generate the non-linear compensation current. The invention adopts the buffer circuit to improve the linearity of the input buffer and reduce its power consumption.
【技术实现步骤摘要】
缓冲电路及缓冲器
本专利技术涉及集成电路领域,特别是涉及一种高线性输入缓冲电路及缓冲器,其直接应用于对输入信号进行缓冲的模拟或混合信号电路,特别适用于高线性模数转换器。
技术介绍
在模数转换器的设计中,随着采样速度的不断提升,采样电容对信号源的kickback(回踢)效应变得更加显著,导致A/D(模数)转换器的采样线性度下降,为了解决这个问题,需要在A/D转换器前端增加一个输入缓冲器,用以隔离信号源与采样电容,但传统的输入缓冲器虽然增加了隔离度,其本身的非线性也将导致整个A/D转换器的线性度下降,如图1所示,由于偏置电压Vbias不随输入电压Vin的变化而变化,电流源管M12上的偏置电流不变,采样电容Cs上的电流随着输入电压Vin变化,导致跟随管M11上的电流随输入电压Vin变化,因此M11的源端阻抗随Vin变化,即采样网络上的阻抗随Vin变化,这是产生跟随非线性的主要原因。为了提升线性度,传统的解决方案是增加输入缓冲器的偏置电流,即增大M12的电流,由于M11的电流I11是M12电流I12与Cs电流Ics之和,通过增大I12来降低Ics在I11中的比例从而降低Ics变化对I11的影响。这样可以降低采样网络阻抗随Vin的变化。然而,传统解决方案依然存在以下几个方面的问题:(1)功耗高:增加功耗对线性度改善不明显,提升线性度的倍数与功耗成正比,例如提升6dB线性度需要2倍功耗,提升12dB线性度需要4倍功耗。(2)沟道调制导致非线性严重:M11漏源电压随Vin的变化而变化,对于高级工艺中的MOS器件,其沟道非常短,因此沟道调制效应更加严重,进一步导致线性度下 ...
【技术保护点】
1.一种缓冲电路,其特征在于,应用于输入缓冲器中,所述缓冲电路包括:输入跟随电路,其输入端连接第一输入信号,用于跟随所述第一输入信号的电压变化;输入跟随线性度提升电路,与输入跟随电路和第一电压自举电路相连,用于提升所述输入跟随电路的跟随线性度;第一电压自举电路,连接在所述第一输入信号与输入跟随线性度提升电路之间,其输出电压与输入电压的差值为固定电平,用于为所述输入跟随线性度提升电路提供相应的静态工作点电压;第二电压自举电路,其输入端连接第二输入信号,输出端连接补偿跟随电路的输入端,其输出电压与输入电压的差值为固定电平,用于为补偿跟随电路提供相应的静态工作点,其中,所述第二输入信号与所述第一输入信号大小相等方向相反;第三电压自举电路,其输入端连接所述第二电压自举电路输出端,用于为补偿跟随线性度提升电路提供相应的静态工作点电压;补偿跟随电路,其输入端连接第二电压自举电路输出端,用于跟随经第二电压自举电路自举后的补偿电压;补偿跟随线性度提升电路,其输入端连接第三电压自举电路输出端,用于提升所述补偿跟随电路的跟随线性度;第一负载,并联于所述输入跟随电路与补偿跟随线性度提升电路之间,用于采集缓冲 ...
【技术特征摘要】
1.一种缓冲电路,其特征在于,应用于输入缓冲器中,所述缓冲电路包括:输入跟随电路,其输入端连接第一输入信号,用于跟随所述第一输入信号的电压变化;输入跟随线性度提升电路,与输入跟随电路和第一电压自举电路相连,用于提升所述输入跟随电路的跟随线性度;第一电压自举电路,连接在所述第一输入信号与输入跟随线性度提升电路之间,其输出电压与输入电压的差值为固定电平,用于为所述输入跟随线性度提升电路提供相应的静态工作点电压;第二电压自举电路,其输入端连接第二输入信号,输出端连接补偿跟随电路的输入端,其输出电压与输入电压的差值为固定电平,用于为补偿跟随电路提供相应的静态工作点,其中,所述第二输入信号与所述第一输入信号大小相等方向相反;第三电压自举电路,其输入端连接所述第二电压自举电路输出端,用于为补偿跟随线性度提升电路提供相应的静态工作点电压;补偿跟随电路,其输入端连接第二电压自举电路输出端,用于跟随经第二电压自举电路自举后的补偿电压;补偿跟随线性度提升电路,其输入端连接第三电压自举电路输出端,用于提升所述补偿跟随电路的跟随线性度;第一负载,并联于所述输入跟随电路与补偿跟随线性度提升电路之间,用于采集缓冲后的电压;偏置电路,其输入端连接偏置电压,用于为缓冲器提供偏置电流;偏置线性度提升电路,连接在所述补偿跟随电路与偏置电路之间,用于提升所述偏置电路的线性度;第二负载,并联于所述补偿跟随电路与偏置线性度提升电路之间,用于产生非线性补偿电流。2.根据权利要求1所述的缓冲电路,其特征在于,所述输入跟随电路包含m个NMOS管与m-1个控制开关,从第二个NMOS管起每个NMOS管的栅极均对应连接一个控制开关,所有控制开关的另一端与第一个NMOS管的栅极连接第一输入信号;所有NMOS管的源极均连接补偿跟随线性度提升电路,所有NMOS管的漏极均连接输入跟随线性度提升电路。3.根据权利要求1所述的缓冲电路,其特征在于,所述输入跟随线性度提升电路至少为一个NMOS管。4.根据权利要求3所述的缓冲电路,其特征在于,所述输入跟随线性度提升电路为一个NMOS管时,所述NMOS管的栅极连接第一电压自举电路的输出端,其漏极连接电源电压,其源极连接所述输入跟随电路的D端。5.根据权利要求3所述的缓冲电路,其特征在于,所述输入跟随线性度提升电路为多个NMOS管时,其对应的第一电压自举电路对应分为多个第一电压自举子电路;排在首个NMOS管的漏极连接电源电压,其栅极连接首个第一电压自举子电路的输出端,其源极连接下一个NMOS管的漏极;所述首个第一电压自举子电路的输入端分别连接其下一个NMOS管的栅极以及其下一个第一电压自举子电路的输出端,排在末尾的第一电压自举子电路的输入端连接第一输入信号,排在末尾NMOS管的源极连接所述输入跟随电路的D端。6.根据权利要求1所述的缓冲电路,其特征在于,所述输入跟随电路包含m个PMOS管与m-1个控制开关,从第二个PMOS管起每个PMOS管的栅极均对应连接一个控制开关,所有控制开关的另一端与第一个PMOS管的栅极连接第一输入信号;所有PMOS管的源极均连接补偿跟随线性度提升电路,所有PMOS管的漏极均连接输入跟随线性度提升电路。7.根据权利要求1所述的缓冲电路,其特征在于,所述输入跟随线性度提升电路至少为一个PMOS管。8.根据权利要求7所述的缓冲电路,其特征在于,所述输入跟随线性度提升电路为一个PMOS管时,所述PMOS管的栅极连接第一电压自举电路的输出端,其漏极连接电源电压,其源极连接所述输入跟随电路的D端。9.根据权利要求7所述的缓冲电路,其特征在于,所述输入跟随线性度提升电路为多个PMOS管时,其对应的第一电压自举电路对应分为多个第一电压自举子电路;排在首个PMOS管的漏极连接地电压,其栅极连接首个第一电压自举子电路的输出端,其源极连接下一个PMOS管的漏极;所述首个第一电压自举子电路的输入端分别连接其下一个PMOS管的栅极以及其下一个第一电压自举子电路的输出端,排在末尾的第一电压自举子电路的输入端连接第一输入信号,排在末尾PMOS管的源极连接所述输入跟随电路的D端。10.根据权利要求1所述的缓冲电路,其特征在于,所述第一电压自举电路的输入端与第一输入信号相连,其输出端连接所述输入跟随线性度提升电路的G端;所述输入跟随电路的D端和S端电压之差为固定电平,以消除所述输入跟随电路的沟道调制效应提升其线性度。11.根据权利要求1所述的缓冲电路,其特征在于,所述补偿跟随电路包括m个NMOS管与m-1个控制开关,从第二个NMOS管起每个NMOS管的栅极均对应连接一个控制开关,所有控制开关的另一端与第一个NMOS管的栅极连接经第二电压自举电路自举后的第二输入信号;所有NMOS管的源极均连接偏置线性度提升电路,所有NMOS管的漏极均连接补偿跟随线性度提升电路。12.根据权利要求1所述的缓冲电路,其特征在于,所述补偿跟随线性度提升电路至少为一个NMOS管。13.根据权利要求12所述的缓冲电路,其特征在于,所述补偿跟随线性度提升电路为一个NMOS管时,所述NM...
【专利技术属性】
技术研发人员:李婷,胡刚毅,李儒章,张勇,黄正波,倪亚波,黄兴发,王健安,陈光炳,付东兵,袁浚,
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第二十四研究所,
类型:发明
国别省市:重庆,50
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