一种n型太阳能电池制备方法及n型太阳能电池技术

本发明专利技术公开了一种n型太阳能电池制备方法，可以先在n型衬底层的第一表面设置一个厚度较薄的p型掺杂层，在该p型掺杂层表面可以较为容易的设置轻掺杂区与重掺杂区交替排列的选择性发射极；之后再通过氧化p型掺杂层可以在p型掺杂层表面形成一氧化层，该氧化层可以将制作完成的选择性发射极隔离并保护，同时该氧化层可以降低选择性发射极的复合电流密度；最终再设置n型掺杂层，并最终制备而成n型太阳能电池，从而可以制备出p型掺杂层中具有选择性发射极的n型太阳能电池。本发明专利技术还提供了一种n型太阳能电池，同样具有上述有益效果。

Preparation method of n-type solar cell and n-type solar cell

The invention discloses a preparation method of n-type solar cells. A thinner p-type doping layer can be set on the first surface of the n-type substrate layer, and selective emitters arranged alternately between light doping region and heavy doping region can be easily set on the surface of the p-type doping layer; then an oxide layer can be formed on the surface of the p-type doping layer by oxidizing the p-type doping layer. The layer can isolate and protect the selective emitter. At the same time, the oxide layer can reduce the composite current density of the selective emitter. Finally, the n-type doping layer is set up, and the n-type solar cell is finally prepared, so that the n-type solar cell with selective emitter in the p-type doping layer can be prepared. The invention also provides an n-type solar cell, which has the same beneficial effect.

【技术实现步骤摘要】
一种n型太阳能电池制备方法及n型太阳能电池
本专利技术涉及太阳能电池
，特别是涉及一种n型太阳能电池制备方法及一种n型太阳能电池。
技术介绍
随着太阳能行业的不断发展，n型太阳能电池因具有较高的光电转化效率，较低的光致衰减，良好的稳定性和双面发电等特性而备受关注。为了进一步提升电池的光电转化效率，降低生产成本，越来越多的公司开始采用选择性发射极技术。所谓选择性发射极，是在栅线与硅片接触的部位进行重掺杂，在栅线之间位置进行轻掺杂所构成的发射极。选择性发射极可降低掺杂层复合，由此可提高光线的短波响应，同时减少栅线与硅片的接触电阻，使得短路电流、开路电压和填充因子都得到较好的改善，从而提高转换效率。但是在现有技术中，通常仅仅只能在n型掺杂层表面制作选择性发射极，而无法在p型掺杂层表面制作出符合要求的选择性发射极。所以如何在p型掺杂层表面制作出选择性发射极是本领域技术人员急需解决的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种n型太阳能电池制备方法，可以在p型掺杂层表面制作出选择性发射极；本专利技术的另一目的在于提供一种n型太阳能电池，在p型掺杂层表面制作有选择性发射极。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种n型太阳能电池制备方法，所述方法包括：在n型衬底层的第一表面设置p型掺杂层；在所述p型掺杂层表面设置选择性发射极；对设置有所述选择性发射极的所述p型掺杂层进行氧化，以在所述p型掺杂层表面设置一覆盖所述选择性发射极的氧化层；在设置完所述氧化层后，在所述p型衬底层与所述第一表面相对的第二表面设置n型掺杂层；在所述氧化层表面设置与所述选择性发射极相对位，且与所述选择性发射极电连接的第一栅线，并在所述n型掺杂层表面设置第二栅线，以制成所述n型太阳能电池。可选的，所述在所述p型掺杂层表面设置选择性发射极包括：在所述p型掺杂层表面的预设栅线区域涂布保护层；通过刻蚀液刻蚀所述p型掺杂层表面的非预设栅线区域，以制成所述选择性发射极；在制成所述选择性发射极之后，去除所述保护层。可选的，所述通过刻蚀液刻蚀所述p型掺杂层表面的非预设栅线区域包括：通过HF/HNO3混酸刻蚀液刻蚀所述p型掺杂层表面的非预设栅线区域。可选的，所述在所述p型掺杂层表面的预设栅线区域涂布保护层包括：在所述p型掺杂层表面的预设栅线区域涂布有机蜡保护层；所述去除所述保护层包括：去除所述有机蜡保护层。可选的，所述在所述p型衬底层与所述第一表面相对的第二表面设置n型掺杂层包括：刻蚀并暴露所述n型衬底层的所述第二表面；在所述n型衬底层的所述第二表面进行磷扩散，以形成所述n型掺杂层。可选的，在所述在所述p型衬底层与所述第一表面相对的第二表面设置n型掺杂层之后，所述方法还包括：对设置有所述n型掺杂层的所述n型衬底层进行钝化，以在所述氧化层表面形成第一钝化层，并在所述n型掺杂层表面形成第二钝化层；所述在所述氧化层表面设置与所述选择性发射极相对位，且与所述选择性发射极电连接的第一栅线包括：在所述第一钝化层表面设置所述第一栅线；所述在所述n型掺杂层表面设置第二栅线包括：在所述第二钝化层表面设置与所述n型掺杂层电连接的所述第二栅线。可选的，所述在n型衬底层的第一表面设置p型掺杂层包括：在所述n型衬底层的第一表面进行硼扩散，以形成所述p型掺杂层。可选的，所述在所述n型衬底层的第一表面进行硼扩散，以形成所述p型掺杂层包括：在所述n型衬底层的第一表面进行硼扩散，以形成所述p型掺杂层；其中，所述硼扩散的温度的取值范围为900℃至1050℃，包括端点值；所述硼扩散的时间的取值范围为10min至120min，包括端点值；所述p型掺杂层的厚度的取值范围为0.2μm至1.0μm，包括端点值。可选的，在所述在所述n型衬底层的第一表面进行硼扩散之后，所述方法还包括：刻蚀掉在所述n型衬底层的所述第二表面所形成的p型掺杂层。本专利技术还提供了一种n型太阳能电池，所述n型太阳能电池具体为采用上述任一项所述方法所制备的n型太阳能电池。本专利技术所提供的一种n型太阳能电池制备方法，可以先在n型衬底层的第一表面设置一个厚度较薄的p型掺杂层，在该p型掺杂层表面可以较为容易的设置轻掺杂区与重掺杂区交替排列的选择性发射极；之后再通过氧化p型掺杂层可以在p型掺杂层表面形成一氧化层，该氧化层可以将制作完成的选择性发射极隔离并保护，同时该氧化层可以降低选择性发射极的复合电流密度；最终再设置n型掺杂层，并最终制备而成n型太阳能电池，从而可以制备出p型掺杂层中具有选择性发射极的n型太阳能电池。本专利技术还提供了一种n型太阳能电池，在该n型太阳能电池的p型掺杂层表面设置有选择性发射极，同时在p型掺杂层表面设置有一用于降低选择性发射极的复合电流密度的氧化层，从而可以提高n型太阳能电池的转换效率。附图说明为了更清楚的说明本专利技术实施例或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例所提供的一种n型太阳能电池制备方法的流程图；图2为设置p型掺杂层后n型太阳能电池的结构示意图；图3为设置选择性发射极后n型太阳能电池的结构示意图；图4为氧化后n型太阳能电池的结构示意图；图5为设置n型掺杂层后n型太阳能电池的结构示意图；图6为本专利技术实施例所提供的一种n型太阳能电池的结构示意图；图7为本专利技术实施例所提供的一种具体的n型太阳能电池制备方法的流程图；图8为钝化后n型太阳能电池的结构示意图；图9为本专利技术实施例所提供的一种具体的n型太阳能电池的结构示意图；图10为本专利技术实施例所提供的另一种具体的n型太阳能电池制备方法的流程图。图中：1.n型衬底层、2.p型掺杂层、21.选择性发射极、3.氧化层、4.n型掺杂层、5.第一栅线、6.第二栅线、7.第一钝化层、8.第二钝化层。具体实施方式本专利技术的核心是提供一种n型太阳能电池制备方法。在现有技术中，通常仅仅只能在n型掺杂层表面制作选择性发射极，而无法在p型掺杂层表面制作出符合要求的选择性发射极。因为在现有技术中，p型掺杂层的厚度通常较厚，即通常n型太阳能电池中硼结的深度较深，从而难以在p型掺杂层中制作出符合要求的选择性发射极。例如若使用激光掺杂技术在p型掺杂层中制作选择性发射极，由于硼结的深度较深，通过激光不利于在p型掺杂层中形成重掺杂区。若使用反刻技术在p型掺杂层中制作选择性发射极，同样由于硼结的深度较深，在刻蚀过程中需要刻蚀深度足够深才能使得p型掺杂层中轻掺杂区的方阻达到目标方阻，但是同时会造成n型衬底层表面轻微抛光，从而提高了太阳能电池表面的发射率，反而出现太阳能电池转换效率下降的情况。而本专利技术所提供的一种n型太阳能电池制备方法，可以先在n型衬底层的第一表面设置一个厚度较薄的p型掺杂层，在该p型掺杂层表面可以较为容易的设置轻掺杂区与重掺杂区交替排列的选择性发射极；之后再通过氧化p型掺杂层可以在p型掺杂层表面形成一氧化层，该氧化层可以将制作完成的选择性发射极隔离并保护，同时该氧化层可以降低选择性发射极的复合电流密度；最终再设置n型掺杂层，并最终制备而成n型太阳能电池，从而可以制备出p型掺杂层中具有选择性发射极的n型太阳本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种n型太阳能电池制备方法，其特征在于，所述方法包括：在n型衬底层的第一表面设置p型掺杂层；在所述p型掺杂层表面设置选择性发射极；对设置有所述选择性发射极的所述p型掺杂层进行氧化，以在所述p型掺杂层表面设置一覆盖所述选择性发射极的氧化层；在设置完所述氧化层后，在所述p型衬底层与所述第一表面相对的第二表面设置n型掺杂层；在所述氧化层表面设置与所述选择性发射极相对位，且与所述选择性发射极电连接的第一栅线，并在所述n型掺杂层表面设置第二栅线，以制成所述n型太阳能电池。

【技术特征摘要】
1.一种n型太阳能电池制备方法，其特征在于，所述方法包括：在n型衬底层的第一表面设置p型掺杂层；在所述p型掺杂层表面设置选择性发射极；对设置有所述选择性发射极的所述p型掺杂层进行氧化，以在所述p型掺杂层表面设置一覆盖所述选择性发射极的氧化层；在设置完所述氧化层后，在所述p型衬底层与所述第一表面相对的第二表面设置n型掺杂层；在所述氧化层表面设置与所述选择性发射极相对位，且与所述选择性发射极电连接的第一栅线，并在所述n型掺杂层表面设置第二栅线，以制成所述n型太阳能电池。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述p型掺杂层表面设置选择性发射极包括：在所述p型掺杂层表面的预设栅线区域涂布保护层；通过刻蚀液刻蚀所述p型掺杂层表面的非预设栅线区域，以制成所述选择性发射极；在制成所述选择性发射极之后，去除所述保护层。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述通过刻蚀液刻蚀所述p型掺杂层表面的非预设栅线区域包括：通过HF/HNO3混酸刻蚀液刻蚀所述p型掺杂层表面的非预设栅线区域。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述p型掺杂层表面的预设栅线区域涂布保护层包括：在所述p型掺杂层表面的预设栅线区域涂布有机蜡保护层；所述去除所述保护层包括：去除所述有机蜡保护层。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述p型衬底层与所述第一表面相对的第二表面设置n型掺杂层包括：刻蚀并暴露所述n型衬底层的所述第二表面；在所述n型衬底层的所述第二表面进行磷扩散，以形成所述n型掺杂层。6.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐冠群，包健，张昕宇，金浩，
申请(专利权)人：浙江晶科能源有限公司，晶科能源有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33