The invention provides a back passivation process for PERC batteries. In the process of making perc batteries, the thickness of alumina can be reduced by adding one step of silica passivation before alumina passivation, and the original alumina can be reduced by adding alumina, heat treatment process, four layers and multi-layers of silicon nitride on the back and one step of silica passivation before alumina passivation. The cost of material reaction increases the reflection of long wave, improves the conversion efficiency and increases the short circuit current of perc batteries. The invention provides a passivation process for the back of PERC batteries. Compared with the existing process, the efficiency of the passivation process can be equal to and improved with the existing process, and the efficiency can be improved by 0.10%, and the passivation and impurity absorption effect can be improved.
【技术实现步骤摘要】
PERC电池背面钝化工艺
本专利技术涉及太阳能电池板
,特别是涉及一种PERC电池背面钝化工艺。
技术介绍
PERC技术,即钝化发射极背面接触,通过在太阳能电池背面形成钝化层,可大幅降低背表面电学复合速率,形成良好的内部光学背反射机制,提升电池的开路电压、短路电流,从而提升电池的转换效率。PERC太阳能电池具有工艺简单,成本较低,且与现有电池生产线兼容性高的优点,是新开发出来的一种高效太阳能电池,得到了业界的广泛关注,有望成为未来高效太阳能电池的主流方向。常规硅太阳能电池的生产,PERC硅太阳能电池生产步骤如下:1、提供一P型硅基板,首先进行清洗;2、在P型硅基板上采用三氯氧化磷(POCl3)液态源扩散法来形成反向导电型的N型扩散层(N型发射极);3、在形成扩散层之后,用氢氟酸进行蚀刻,去除扩散产生的硅片截面边缘的PN结;4、在正面N型扩散层上淀积SiNx,形成介电层,在背面淀积AlOX/SiNx,形成钝化层;5、在PERC硅太阳能电池背面上的钝化层进行激光开窗;6、在电池正面上的介电层上进行丝网印刷,并干燥正面银浆,形成正面电极,在P型基板背面穿孔的钝化层上进行丝网印刷,并干燥背面银浆,形成背面电极;7、共烧,使电极充分干燥,同时形成良好电接触。PERC太阳能电池的核心是在硅片的背光面镀一层氧化铝薄膜覆盖,以对硅钝化,氧化铝的表面钝化受化学钝化和场效应钝化控制,氧化铝的化学钝化效应是氢钝化,不同条件下制备出来的氧化铝具有不同的氢含量,而氢是能够与硅片内部缺陷和晶界处的悬挂键结合,减少复合中心,从而实现钝化效果的重要因子,氢存在于薄膜的-OH基团或— ...
【技术保护点】
1.一种PERC电池背面钝化工艺,其特征在于:包括以下步骤:a、第一层镀氧化硅层:将进行洗磷后抛光的硅片放入石墨舟进入管式PECVD镀膜设备,炉内温度稳定在450±50℃,向炉内通入SiH4与N2O,并开放射频功率,完成硅片表面第一层镀膜;b、第二层镀氧化铝层:将硅片放入原子沉积腔,通入三甲基铝和水蒸汽,在温度200±30℃,进行原子沉积,完成硅片表面第二层镀膜;c、退火热处理工艺:将硅片放入600±50℃炉管设备中,对硅片进行热处理退火,工艺时间为600±50s;d、第三层镀氮化硅层:炉内温度稳定在420±50℃,向炉内通入SiH4与NH3,并开放射频功率,完成镀膜;e、第四层镀氮化硅层:炉内温度在420±50℃向炉内通入SiN4与NH3,并开放射频功率,完成镀膜;f、第五层镀氮化硅层:炉内温度在420±50℃向炉内通入SiN4与NH3,并开放射频功率,完成镀膜;g、第六层镀氮化硅层:炉内温度在420±50℃向炉内通入SiN4与NH3,并开放射频功率,完成镀膜;h、抽真空:镀膜完成后,对炉内进行抽真空,抽真空的时间控制在1min内,使炉内的压强为零;i、出炉:打开炉门,承载石墨舟托以 ...
【技术特征摘要】
1.一种PERC电池背面钝化工艺,其特征在于:包括以下步骤:a、第一层镀氧化硅层:将进行洗磷后抛光的硅片放入石墨舟进入管式PECVD镀膜设备,炉内温度稳定在450±50℃,向炉内通入SiH4与N2O,并开放射频功率,完成硅片表面第一层镀膜;b、第二层镀氧化铝层:将硅片放入原子沉积腔,通入三甲基铝和水蒸汽,在温度200±30℃,进行原子沉积,完成硅片表面第二层镀膜;c、退火热处理工艺:将硅片放入600±50℃炉管设备中,对硅片进行热处理退火,工艺时间为600±50s;d、第三层镀氮化硅层:炉内温度稳定在420±50℃,向炉内通入SiH4与NH3,并开放射频功率,完成镀膜;e、第四层镀氮化硅层:炉内温度在420±50℃向炉内通入SiN4与NH3,并开放射频功率,完成镀膜;f、第五层镀氮化硅层:炉内温度在420±50℃向炉内通入SiN4与NH3,并开放射频功率,完成镀膜;g、第六层镀氮化硅层:炉内温度在420±50℃向炉内通入SiN4与NH3,并开放射频功率,完成镀膜;h、抽真空:镀膜完成后,对炉内进行抽真空,抽真空的时间控制在1min内,使炉内的压强为零;i、出炉:打开炉门,承载石墨舟托以600±5mm/min的速度从炉内退出,在出炉过程中向炉内通入氮气,氮气流量为10000±1000sccm。2.如权利要求1所述的PERC电池背面钝化工艺,其特征在于:步骤a中,SiH4流量为1000±300sccm,N2O流量为3000±500sccm,射频功率为...
【专利技术属性】
技术研发人员:程平,朱露,张凯胜,姚伟忠,孙铁囤,
申请(专利权)人:常州亿晶光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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