The invention provides a mask plate, a display substrate, a manufacturing method thereof and a display device, belonging to the display technology field. The mask includes a light transmission area, a first opaque area and a first part of the light transmission area. The mask also includes a transition area between the first part of the light transmission area and the first part of the light transmission area. Under the same light intensity, the radiation energy through the transition area per unit area is less than the radiation energy through the first part of the light transmission area per unit area. Quantity. The technical scheme of the invention can avoid the phenomenon of metal layer residue and improve the transmittance of the display substrate.
【技术实现步骤摘要】
掩膜板、显示基板及其制作方法、显示装置
本专利技术涉及显示
,特别是指一种掩膜板、显示基板及其制作方法、显示装置。
技术介绍
现有的显示基板中,为了提高显示品质,在公共电极上还设置有金属图形,金属图形与公共电极直接接触,能够降低公共电极的电阻,进而减少画面泛绿的情况。在制作公共电极和金属图形时,首先形成层叠设置的透明导电层和金属层,在金属层上涂覆光刻胶,利用半色调掩膜板对光刻胶进行曝光,显影后形成光刻胶完全去除区域、光刻胶部分保留区域和光刻胶完全保留区域,刻蚀掉光刻胶完全去除区域的金属层,之后灰化掉光刻胶部分保留区域的光刻胶,以金属层为掩膜,刻蚀掉光刻胶完全去除区域的透明导电层,形成公共电极的图形;然后刻蚀掉光刻胶部分保留区域的金属层,形成金属图形;最后剥离光刻胶完全保留区域的光刻胶。在利用半色调掩膜板对光刻胶进行曝光之后,由于光刻胶完全去除区域和光刻胶部分保留区域存在段差,会影响光刻胶的流动,使得光刻胶部分保留区域中靠近光刻胶完全去除区域的部分的光刻胶的厚度较薄。在采用干法刻蚀灰化掉光刻胶部分保留区域的光刻胶时,利用电场控制等离子和自由基轰击光刻胶,由于光刻胶部分保留区域中靠近光刻胶完全去除区域的部分的光刻胶的厚度较薄,因此这部分的光刻胶最先灰化干净,会暴露出金属层,暴露出的金属层将会抵消一部分加载在等离子和自由基上的电场,使得电场减弱,光刻胶的灰化速率降低,导致灰化工艺后,光刻胶部分保留区域将存在光刻胶残留,进而导致后续刻蚀时无法完全去除光刻胶部分保留区域的金属层,出现金属层残留,进而影响显示基板的透过率。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是 ...
【技术保护点】
1.一种掩膜板,其特征在于,所述掩膜板包括透光区域、第一不透光区域和第一部分透光区域,所述掩膜板还包括位于所述第一部分透光区域与所述透光区域之间的过渡区,相同光照强度下,通过单位面积的所述过渡区的辐射能通量小于通过单位面积的所述第一部分透光区域的辐射能通量。
【技术特征摘要】
1.一种掩膜板,其特征在于,所述掩膜板包括透光区域、第一不透光区域和第一部分透光区域,所述掩膜板还包括位于所述第一部分透光区域与所述透光区域之间的过渡区,相同光照强度下,通过单位面积的所述过渡区的辐射能通量小于通过单位面积的所述第一部分透光区域的辐射能通量。2.根据权利要求1所述的掩膜板,其特征在于,所述过渡区包括:在从所述透光区域到所述第一部分透光区域的方向上、依次排布的第二部分透光区域和第二不透光区域。3.根据权利要求2所述的掩膜板,其特征在于,所述第二不透光区域在从所述透光区域到所述第一部分透光区域的方向上的宽度为1~1.2μm,所述第二部分透光区域在从所述透光区域到所述第一部分透光区域的方向上的宽度为1.5~2μm。4.根据权利要求3所述的掩膜板,其特征在于,所述第二部分透光区域的透光率与所述第一部分透光区域的透光率相等。5.根据权利要求1所述的掩膜板,其特征在于,所述第一部分透光区域的透光率为30-35%,所述过渡区的透光率为20-25%,所述过渡区在从所述透光区域到所述第一部分透光区域的方向上的宽度为3.5~6.5μm。6.根据权利要求1所述的掩膜板,其特征在于,所述过渡区为移相掩模结构。7.根据权利要求6所述的掩膜板,其特征在于,所述移相掩模结构的透光率与所述第一部分透光区域的透光率相等,所述移相掩模结构在从所述透光区域到所述第一部...
【专利技术属性】
技术研发人员:马涛,余巨峰,杨成绍,
申请(专利权)人:合肥鑫晟光电科技有限公司,京东方科技集团股份有限公司,
类型:发明
国别省市:安徽,34
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