保护电路及具有该保护电路的充电设备制造技术

技术编号:20067748 阅读:35 留言:0更新日期:2019-01-14 03:26
一种保护电路,包括:比较电路,所述比较电路获取转换电路的测量电压;所述比较电路还根据所述测量电压与参考电压输出比较信号,当所述测量电压大于所述参考电压时,所述比较电路输出高电平的比较信号;控制电路,包括控制器,所述控制器包括选择引脚,所述控制电路连接于所述比较电路,当接收到所述高电平的比较信号时,所述控制电路将所述选择引脚的电平变为低电平,以使得所述控制器不输出脉冲信号给所述转换电路。本实用新型专利技术还提供了一种具有该保护电路的充电设备。上述保护电路及具有该保护电路的充电设备可在过流情况下,所述控制器则不输出脉冲信号,所述变压电路则不会输出电压,进而在电路中存在过流情况时达到保护电子元件的目的。

【技术实现步骤摘要】
保护电路及具有该保护电路的充电设备
本技术涉及一种电子电路,尤其涉及一种保护电路及具有该保护电路的充电设备。
技术介绍
锂电池是目前应用最广泛的可充电电池。在传统锂电池的充电电路中,以充电保护芯片为核心,用于控制充电电流、充电电压和判断充电是否结束,其中,充电电流保护中主要可包括过流保护。通过侦测充电设备中电流是否超过预设值;当超过预设值时,充电设备会降低输出给负载的电压。然而,降低输出给负载的电压仍可能存在过流的情况,进而可能造成电子元件的损坏。
技术实现思路
有鉴于此,有必要提供一种可减少元件损坏的保护电路及具有该保护电路的充电装置。一种保护电路,包括:比较电路,所述比较电路获取转换电路的测量电压;所述比较电路还根据所述测量电压与参考电压输出比较信号,当所述测量电压大于所述参考电压时,所述比较电路输出高电平的比较信号;控制电路,包括控制器,所述控制器包括选择引脚,所述控制电路连接于所述比较电路,当接收到所述高电平的比较信号时,所述控制电路将所述选择引脚的电平变为低电平,以使得所述控制器不输出脉冲信号给所述转换电路。进一步的,所述保护电路中,所述比较电路包括比较器及肖特基二极管,所述肖特基二极管包括第一端、第二端及第三端,所述比较器的正向输入端连接于肖特基二极管第三端,所述肖特基二极管的第二端用于获取测量电压,所述肖特基二极管的第一端连接于第一电源电路;所述比较器的反相输入端连接于参考电压,所述比较器的输出端连接于第一二极管的阳极,所述第一二极管的阴极用于输出所述比较信号。进一步的,所述保护电路中,所述控制电路包括电子开关,所述第一二极管的阴极连接于所述电子开关的第一端,所述电子开关的第二端接地,所述电子开关的第三端连接于第二二极管的阴极,所述第二二极管的阳极连接于所述控制器的选择引脚,所述电子开关第三端还连接于第二电源电路。进一步的,所述保护电路中,所述比较电路中的肖特基二极管的第一端通过第一电阻连接于所述第一电源电路,所述肖特基二极管的第三端通过第二电阻接地,所述肖特基二极管的第三端还通过第一电容接地;所述比较器的反相输入端通过第三电阻接收所述参考电压,所述比较器的反相输入端还通过第四电阻接地,所述比较器的同相输入端通过第二电容连接于反相输入端,所述比较器的同相输入端还通过第三电容连接于输出端。进一步的,所述保护电路中,所述控制电路中的电子开关为可控硅,所述可控硅的控制端为所述电子开关第一端,所述可控硅的阴极为所述电子开关的第二端,所述可控硅的阳极为所述电子开关的第三端,所述可控硅的阳极还通过第五电阻连接于所述第二电源电路。进一步的,所述保护电路中,所述第二电源电路包括第一稳压二极管,所述第一稳压二极管的阴极通过串联的第六、第七、第八及第九电阻连接于整流电路,所述第一稳压二极管的阳极通过并联的第四及第五电容连接于第四二极管的阴极,所述可控硅的阳极通过所述第五电阻连接于所述第一稳压二极管的阴极。进一步的,所述保护电路中,所述控制电路中的电子开关为NPN型三极管,所述NPN型三极管的基极为所述电子开关第一端,所述NPN型三极管的发射极为所述电子开关的第二端,所述NPN型三极管的集电极为所述电子开关的第三端,所述NPN型三极管的集电极还通过所述第五电阻连接于所述第二电源电路。进一步的,所述保护电路中,所述第一电源电路包括三极管,所述三极管的发射极通过所述第一电阻连接于所述肖特基二极管的第一端,所述三极管的基极连接于第二稳压二极管的阴极,所述第二稳压二极管的阳极通过第六电容连接于所述三极管的发射极,所述第二稳压二极管的阳极接地,所述三极管的基极通过第十电阻连接于所述三极管的集电极,还通过第十一电阻接地,第七电容与串联的第十及第十一电阻并联,所述三极管的集电极连接于第三二极管的阴极,所述第三二极管的阳极连接于绕组的第一端,所述绕组的第二端接地,所述三极管的发射极连接于所述第四二极管的阳极,所述第四二极管的阴极连接于所述第一稳压二极管的阴极,所述三极管为NPN型三极管。一种充电设备,包括滤波电路及如上述任一项所述保护电路,所述滤波电路连接于所述整流电路,所述整流电路于所述转换电路及保护电路。进一步的,所述充电设备中,所述转换电路包括功率管,所述功率管的栅极通过第十二电阻连接于所述控制器的驱动引脚,还通过第十三电阻连接于所述功率管的源极,所述功率管的漏极连接于连接于变压电路,所述功率管的源极还通过第十四电阻接地,所述肖特基二极管的第十端连接于所述功率管的源极及第十四电阻之间。上述保护电路及具有该保护电路的充电设备通过比较电路侦测变压电路的初级是否存在过流情况,当存在过流情况时,通过比较器输出低电平的比较信号,从而使得可控硅或三极管(两者可为电子开关)导通,所述控制器的选择引脚在电子开关导通时,变为低电平,如此,所述控制器则不输出脉冲信号,所述变压电路则不会输出电压,进而在电路中存在过流情况时达到保护电子元件的目的。附图说明图1是本技术充电装置的较佳实施方式的方框图。图2是图1中保护电路的较佳实施方式的方框图。图3是图1中保护电路的较佳实施方式的电路图。主要元件符号说明保护电路10滤波电路20抑制电路30整流电路40转换电路50变压电路60输出整流电路70反馈电路90控制电路110控制器112比较电路120第一电源电路132第二电源电路134电阻R1-R14绕线T1C电容C1-C6二极管D1、D2、D4、D5稳压二极管ZD1、ZD2可控硅SCR比较器U1功率管Q1三极管Q2绕组T1C肖特基二极管D3绕组电路80如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本技术。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图,对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本技术保护的范围。以下所描述的系统实施方式仅仅是示意性的,所述模块或电路的划分,仅仅为一种逻辑功能划分,实际实现时可以有另外的划分方式。此外,显然“包括”一词不排除其他单元或步骤,单数不排除复数。系统权利要求中陈述的多个单元或装置也可以由同一个单元或装置通过软件或者硬件来实现。第一,第二等词语用来表示名称,而并不表示任何特定的顺序。除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制本技术。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。请参阅图1,本技术充电设备90的较佳实施方式包括滤波电路20、抑制电路30、整流电路40、转换电路50、变压电路60、输出整流电路70、反馈电路80及保护电路10。本实施方式中,所述滤波电路20可接收交流市电,可用于对所述交流电进行滤波操作,所述滤波操作包括但不限于对所述交流电进行的EMI滤波操作。所述抑制电路30连接所述滤波电路20,可对滤波操作后的电流进行抑制,以减少产生的突入电流。所述整流电路40连接于所述抑制电路30,可用于对电流进行整流操作,如将交流电本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种保护电路,其特征在于,所述保护电路包括:比较电路,所述比较电路获取转换电路的测量电压;所述比较电路还根据所述测量电压与参考电压输出比较信号,当所述测量电压大于所述参考电压时,所述比较电路输出高电平的比较信号;控制电路,包括控制器,所述控制器包括选择引脚,所述控制电路连接于所述比较电路,当接收到所述高电平的比较信号时,所述控制电路将所述选择引脚的电平变为低电平,以使得所述控制器不输出脉冲信号给所述转换电路。

【技术特征摘要】
1.一种保护电路,其特征在于,所述保护电路包括:比较电路,所述比较电路获取转换电路的测量电压;所述比较电路还根据所述测量电压与参考电压输出比较信号,当所述测量电压大于所述参考电压时,所述比较电路输出高电平的比较信号;控制电路,包括控制器,所述控制器包括选择引脚,所述控制电路连接于所述比较电路,当接收到所述高电平的比较信号时,所述控制电路将所述选择引脚的电平变为低电平,以使得所述控制器不输出脉冲信号给所述转换电路。2.如权利要求1所述的保护电路,其特征在于,所述比较电路包括比较器及肖特基二极管,所述肖特基二极管包括第一端、第二端及第三端,所述比较器的正向输入端连接于肖特基二极管第三端,所述肖特基二极管的第二端用于获取测量电压,所述肖特基二极管的第一端连接于第一电源电路;所述比较器的反相输入端连接于参考电压,所述比较器的输出端连接于第一二极管的阳极,所述第一二极管的阴极用于输出所述比较信号。3.如权利要求2所述的保护电路,其特征在于,所述控制电路包括电子开关,所述第一二极管的阴极连接于所述电子开关的第一端,所述电子开关的第二端接地,所述电子开关的第三端连接于第二二极管的阴极,所述第二二极管的阳极连接于所述控制器的选择引脚,所述电子开关第三端还连接于第二电源电路。4.如权利要求3所述的保护电路,其特征在于,所述比较电路中的肖特基二极管的第一端通过第一电阻连接于所述第一电源电路,所述肖特基二极管的第三端通过第二电阻接地,所述肖特基二极管的第三端还通过第一电容接地;所述比较器的反相输入端通过第三电阻接收所述参考电压,所述比较器的反相输入端还通过第四电阻接地,所述比较器的同相输入端通过第二电容连接于反相输入端,所述比较器的同相输入端还通过第三电容连接于输出端。5.如权利要求4所述的保护电路,其特征在于,所述控制电路中的电子开关为可控硅,所述可控硅的控制端为所述电子开关第一端,所述可控硅的阴极为所述电子开关的第二端,所述可控硅的阳极为所述电子开关的第三端,所述可控硅的阳极还通...

【专利技术属性】
技术研发人员:杨志强赵顺辉廖石波
申请(专利权)人:深圳市京泉华科技股份有限公司
类型:新型
国别省市:广东,44

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