复合阴极结构及有机电致发光器件制造技术

技术编号:20067146 阅读:28 留言:0更新日期:2019-01-14 03:02
本实用新型专利技术涉及一种复合阴极结构及有机电致发光器件,复合阴极结构包括层叠的第一金属层、第一金属氧化物层、第二金属层和第二金属氧化物层,所述第一金属层中的金属的功函数小于4.3eV,所述第一金属氧化物层中的金属氧化物的折射率大于1.8,所述第二金属层中的金属为Ag,所述第二金属氧化物层中的金属氧化物的折射率大于1.8。该复合阴极结构能够避免传统阴极结构导致的低透射率问题,同时又具有良好的导电性和电子注入能力,有助于提高OLED器件的发光性能,且该复合阴极结构可用真空蒸镀的方式制备,工艺简单可行。

【技术实现步骤摘要】
复合阴极结构及有机电致发光器件
本技术涉及显示领域,特别是涉及一种复合阴极结构及有机电致发光器件。
技术介绍
OLED(有机发光二级管)显示技术由于其优良的发光性能及其广泛的应用前景而受到广泛重视。其中,OLED器件(有机电致发光器件)按照驱动方式可分为被动式和主动式两种,被动式OLED显示器件主要用于小尺寸、低分辨率的显示屏幕,而主动式OLED器件为每一个像素配有TFT(薄膜场效应管)开关,可实现中、大尺寸的高清显示,已成为当前OLED显示技术发展的主流。而根据OLED器件的光出射方向的不同,主动式OLED器件可分为底发射型OLED器件和顶发射型OLED器件。如果从器件基板方向出射发射光,称为底发射型OLED器件;如果从器件背向基板的方向出射反射光,称为顶发射型OLED器件。由于顶发射型OLED器件所发出的光是从器件的顶部出射,不会受到TFT和金属线的遮挡,因此,顶发射型OLED器件的开口率相比于底发射型OLED器件有明显的提高。而对于顶发射型OLED器件的制备难点是透明阴极的制备,即阴极的透射率决定了器件出光的多少。目前主要是采用真空蒸镀的方式制备15~20nm左右的镁银金属合金层作为半透明阴极,但是其透光性较低,无法满足要求。虽然进一步降低其厚度能提高其透光性,但会导致电极导电性的下降以及电子注入能力的降低,并最终影响OLED器件的发光性能。
技术实现思路
基于此,有必要提供一种能够提高OLED器件的发光性能的复合阴极结构。一种复合阴极结构,包括层叠的第一金属层、第一金属氧化物层、第二金属层和第二金属氧化物层,所述第一金属层中的金属的功函数小于4.3eV,所述第一金属氧化物层中的金属氧化物的折射率大于1.8,所述第二金属层中的金属为Ag,所述第二金属氧化物层中的金属氧化物的折射率大于1.8。本技术的复合阴极结构中,第一金属层中的金属功函数小于4.3eV,与电子输入层之间的能级势垒越小,能够促进电子的注入,提高电极的导电性;第一金属氧化物层中的金属氧化物则折射率大于1.8,光的透过率很高,能达到70%以上的可见光透过率,且折射率大的金属氧化物薄膜能够提高光的耦合取出效率,避免光在Ag-金属氧化物界面处发生全反射导致的光损失;第二金属层中的金属为Ag,是所有金属薄膜中在可见光吸收范围内吸收最低的金属;第二金属氧化物层中的金属氧化物也是折射率大于1.8的金属氧化物,具有很好的光透过率,有利于提高电极的透光性。通过将第一金属层、第一金属氧化物层、第二金属层和第二金属氧化物层依次层叠设置,形成的复合阴极结构能够避免传统阴极结构导致的低透射率问题,同时又具有良好的导电性和电子注入能力,有助于提高OLED器件的发光性能,且该复合阴极结构可用真空蒸镀的方式制备,工艺简单可行。在其中一个实施例中,所述第一金属层中的金属为IA族金属元素、IIA族金属元素、Al或Yb,所述第一金属氧化物层中的金属氧化物为WO3、MoO3、ZnO、V2O5、ZrO2和TiO2中的至少一种,所述第二金属氧化物层中的金属氧化物为WO3、MoO3、ZnO、V2O5、ZrO2和TiO2中的至少一种。在其中一个实施例中,所述第一金属层中的金属为Al,所述第一金属氧化物层中的金属氧化物为WO3,所述第二金属氧化物层中的金属氧化物为MoO3。在其中一个实施例中,所述第一金属层中的金属为Ca,所述第一金属氧化物层中的金属氧化物为MoO3,所述第二金属氧化物层中的金属氧化物为TiO2。在其中一个实施例中,所述第一金属层中的金属为Yb,所述第一金属氧化物层中的金属氧化物为WO3,所述第二金属氧化物层中的金属氧化物为TiO2。在其中一个实施例中,所述第一金属层中的金属为Al,所述第一金属氧化物层中的金属氧化物为WO3,所述第二金属氧化物层中的金属氧化物为MoO3和WO3。在其中一个实施例中,所述第一金属层中的金属为Ca,所述第一金属氧化物层中的金属氧化物为MoO3,所述第二金属氧化物层中的金属氧化物为TiO2和WO3。在其中一个实施例中,所述第一金属层中的金属为Yb,所述第一金属氧化物层中的金属氧化物为WO3,所述第二金属氧化物层中的金属氧化物为TiO2和MoO3。在其中一个实施例中,所述第一金属层的厚度为2~5nm,所述第一金属氧化物层的厚度为30~50nm,所述第二金属层的厚度为10~20nm,所述第二金属氧化物层的厚度为20~50nm。本技术还提供了一种有机电致发光器件,包括层叠设置的阳极结构、发光单元和上述复合阴极结构,所述第一金属层位于靠近所述发光单元一侧。附图说明图1为一实施方式的复合阴极结构的结构示意图。具体实施方式为了便于理解本技术,下面将对本技术进行更全面的描述,并给出了本技术的较佳实施例。但是,本技术可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施例。相反地,提供这些实施例的目的是使对本技术的公开内容的理解更加透彻全面。除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制本技术。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。如图1所示,本技术一实施方式的复合阴极结构10,包括层叠的第一金属层11、第一金属氧化物层12、第二金属层13和第二金属氧化物层14。第一金属层11中的金属的功函数小于4.3eV,第一金属氧化物层12中的金属氧化物的折射率大于1.8,第二金属层13中的金属为Ag,第二金属氧化物层中的金属氧化物的折射率大于1.8。本实施方式的复合阴极结构10中,第一金属层11中的金属功函数小于4.3eV,与电子输入层之间的能级势垒越小,能够促进电子的注入,提高电极的导电性;第一金属氧化物层12中的金属氧化物则折射率大于1.8,光的透过率很高,能达到70%以上的可见光透过率,且折射率大的金属氧化物薄膜能够提高光的耦合取出效率,避免光在Ag-金属氧化物界面处发生全反射导致的光损失;第二金属层13中的金属为Ag,是所有金属薄膜中在可见光吸收范围内吸收最低的金属;第二金属氧化物层14中的金属氧化物也采用折射率大于1.8的金属氧化物,具有很好的光透过率,有利于提高电极的透光性。通过将第一金属层11、第一金属氧化物层12、第二金属层13和第二金属氧化物层14依次层叠设置,形成的复合阴极结构10能够避免传统阴极结构导致的低透射率问题,同时又具有良好的导电性和电子注入能力,有助于提高OLED器件的发光性能,且该复合阴极结构可用真空蒸镀的方式制备,工艺简单可行。具体地,第一金属层11中的金属为IA族金属元素、IIA族金属元素、Al或Yb,第一金属氧化物层12中的金属氧化物为WO3、MoO3、ZnO、V2O5、ZrO2和TiO2中的至少一种,第二金属氧化物层14中的金属氧化物为WO3、MoO3、ZnO、V2O5、ZrO2和TiO2中的至少一种。第一金属氧化物层12和第二金属氧化物层14可以是多种金属氧化物的混合物,并通过调节混合物中各组分的比例调节该层的折射率,折射率可以是1.8~2.5。可选地,第一金属层11中的金属为Al、Ca、B本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种复合阴极结构,其特征在于,包括层叠的第一金属层、第一金属氧化物层、第二金属层和第二金属氧化物层,所述第一金属层中的金属的功函数小于4.3eV,所述第一金属氧化物层中的金属氧化物的折射率大于1.8,所述第二金属层中的金属为Ag,所述第二金属氧化物层中的金属氧化物的折射率大于1.8。

【技术特征摘要】
1.一种复合阴极结构,其特征在于,包括层叠的第一金属层、第一金属氧化物层、第二金属层和第二金属氧化物层,所述第一金属层中的金属的功函数小于4.3eV,所述第一金属氧化物层中的金属氧化物的折射率大于1.8,所述第二金属层中的金属为Ag,所述第二金属氧化物层中的金属氧化物的折射率大于1.8。2.根据权利要求1所述的复合阴极结构,其特征在于,所述第一金属层中的金属为IA族金属元素、IIA族金属元素、Al或Yb,所述第一金属氧化物层中的金属氧化物为WO3、MoO3、ZnO、V2O5、ZrO2和TiO2中的至少一种,所述第二金属氧化物层中的金属氧化物为WO3、MoO3、ZnO、V2O5、ZrO2和TiO2中的至少一种。3.根据权利要求2所述的复合阴极结构,其特征在于,所述第一金属层中的金属为Al,所述第一金属氧化物层中的金属氧化物为WO3,所述第二金属氧化物层中的金属氧化物为MoO3。4.根据权利要求2所述的复合阴极结构,其特征在于,所述第一金属层中的金属为Ca,所述第一金属氧化物层中的金属氧化物为MoO3,所述第二金属氧化物层中的金属氧化物为TiO2。5.根据权利要求2所述的复合阴极结构,其特征在于,所述第一金属...

【专利技术属性】
技术研发人员:郑江波
申请(专利权)人:广东聚华印刷显示技术有限公司
类型:新型
国别省市:广东,44

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