一种TN型阵列基板及显示面板制造技术

本实用新型专利技术提供了一种TN型阵列基板及显示面板，该TN型阵列基板包括多条数据线、多条栅极线、多个薄膜晶体管、多个像素电极、多个公共电极和多个遮光层；所述遮光层与所述公共电极一一对应，覆盖于所述公共电极与栅极线之间。本实用新型专利技术通过设置遮光层可以有效避免公共电极与栅极线之间因存在间隙而出现漏光现象，从而有效保证对比度，保证显示质量；通过使得遮光层与栅极层和漏极层材质一致且位于同层，可以采用现有工序完成制作，无需增加生产工序，提高了生产效率，降低了生产成本，同时也无需增加膜层结构，从而简化了阵列基板的结构。

【技术实现步骤摘要】
一种TN型阵列基板及显示面板
本技术涉及了显示
，特别是涉及了一种TN型阵列基板及显示面板。
技术介绍
随着各种显示设备的应用越来越普遍，对显示面板的需求不断增加，用户对显示面板的显示质量要求也越来越高。TN型显示面板因工艺简单，成本较低而应用广泛。在TN型显示面板，一般都是通过在阵列基板上设置与像素电极重叠的公共电极来形成存储电容的，但是这样会使得公共电极和与其相邻的栅极线之间出现间隙，此间隔会出现漏光现象，导致对比度降低，影响显示质量。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是能够有效解决现有的TN型阵列基板中公共电极和与其相邻的栅极线之间出现间隙导致漏光，使得比度降低影响显示质量的问题。为解决上述技术问题，本技术提供了一种TN型阵列基板，包括多条数据线、多条栅极线、多个薄膜晶体管、多个像素电极、多个公共电极和多个遮光层；所述遮光层与所述公共电极一一对应，覆盖于所述公共电极与栅极线之间。作为本技术的一种优选方案，所述薄膜晶体管包括与所述栅极线电性连接的栅电极、与所述数据线电性连接的源电极和与像素电极电性连接的漏电极。作为本技术的一种优选方案，所述遮光层与所述源电极和漏电极材质一致且处于同层。作为本技术的一种优选方案，所述公共电极与所述像素电极一一对应且位置重叠，形成存储电容。作为本技术的一种优选方案，所述公共电极三面环绕所述像素电极设置。本技术具有如下技术效果：本技术提供的一种TN型阵列基板通过设置遮光层可以有效避免公共电极与栅极线之间因存在间隙而出现漏光现象，从而有效保证对比度，保证显示质量，此外，通过使得遮光层与栅极层和漏极层材质一致且位于同层，可以采用现有工序完成制作，提高了生产效率，降低了生产成本，同时也无需增加膜层结构，从而简化了阵列基板的结构。附图说明图1为本技术提供的一种TN型阵列基板的结构示意图；图2为本技术提供的一种遮光层在图1A-A剖面位置的布置示意图。具体实施方式为使本技术的目的，技术方案和优点更加清楚，下面结合附图对本技术实施方式作进一步详细说明。显然，所描述的实施例是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本技术的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。除非另外定义，本技术使用的技术术语或者科学术语应当为本技术所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本技术中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。在本技术的描述中，需要理解的是，若有术语“上”、“下”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此附图中描述位置关系的用语仅用于示例性说明，不能理解为对本专利的限制，对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。如图1所示，其表示了本技术提供的一种TN型阵列基板。该TN型阵列基板包括多条数据线1、多条栅极线2、多个薄膜晶体管3、多个像素电极4、多个公共电极5和多个遮光层6；所述遮光层6与所述公共电极5一一对应，覆盖于所述公共电极5与栅极线2之间。这样，通过设置遮光层6之后，可以有效避免公共电极5与栅极线2之间因存在间隙而出现漏光现象，导致对比度降低，影响显示质量的问题。具体地，在本实施例中，每一个薄膜晶体管3、像素电极4和公共电极5均由一条数据线1和一条栅极线2限定，所述薄膜晶体管3电性连接于数据线1和栅极线2上，像素电极4电性连接于薄膜晶体管3上，公共电极5与像素电极4位置重叠设置形成存储电容。所述遮光层6设在每一个公共电极5和与其相邻的栅极线2之间，具体地，与其相邻的栅极线2为与限定该公共电极5的栅极线2相邻且位于公共电极5一侧的栅极线2。具体地，如图2所示，所述薄膜晶体管3包括与所述栅极线2电性连接的栅电极31、与所述数据线1电性连接的源电极32和与像素电极4电性连接的漏电极33，所示栅电极上还依次设有栅绝缘层34和有源层35；所述遮光层6与所述源电极32和漏电极33材质一致且处于同层。这样，由于遮光层6与所述源电极32和漏电极33材质一致且处于同层，从而使得在成型源电极32和漏电极33时，就可以同时一起成型遮光层6，这样一方面可以采用现有工序完成制作，不需要增加工序，有效提高了生产效率，降低了生产成本，同时也无需增加膜层结构，从而简化了阵列基板的结构。具体地，在本实施例中，所述公共电极5与所述像素电极4一一对应且位置重叠，形成存储电容。优选地，所述公共电极5三面环绕所述像素电极设置。进一步地，提供一种显示面板，包括以上所述的TN型阵列基板。以上所述实施例仅表达了本技术的实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本技术专利范围的限制，但凡采用等同替换或等效变换的形式所获得的技术方案，均应落在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种TN型阵列基板，其特征在于，包括多条数据线、多条栅极线、多个薄膜晶体管、多个像素电极、多个公共电极和多个遮光层；所述遮光层与所述公共电极一一对应，覆盖于所述公共电极与栅极线之间。

【技术特征摘要】
1.一种TN型阵列基板，其特征在于，包括多条数据线、多条栅极线、多个薄膜晶体管、多个像素电极、多个公共电极和多个遮光层；所述遮光层与所述公共电极一一对应，覆盖于所述公共电极与栅极线之间。2.根据权利要求1所述的TN型阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管包括与所述栅极线电性连接的栅电极、与所述数据线电性连接的源电极和与像素电极电性连接的漏电极。3.根据权利要求2...

【专利技术属性】
技术研发人员：庄崇营，于靖，李林，
申请(专利权)人：信利半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44