【技术实现步骤摘要】
半导体器件和制造方法本申请针对是申请日为2013年8月27日、申请号为201310378594.5、专利技术名称为“半导体器件和制造方法”的专利申请的分案申请。
本专利技术构思总体涉及半导体器件及其制造方法。
技术介绍
现代的半导体器件通过一系列复杂的制造工艺被制造。这些工艺中的一些包括准备衬底、沉积材料、选择性蚀刻材料部分、清洗衬底等。在所应用的集合中,复杂连续的半导体制造工艺形成非常微小的结构、组件、元件、区域、连接件、特征等。大部分新兴的半导体器件甚至比其前任者更密集的集成。因而,现代半导体器件的组成组件被设计为相互非常接近,并且通常以难以置信地小的几何结构为特征。这样的邻近变窄且尺寸减小要求在制造工艺的应用中大的精度,因为相对于预定设计的甚至非常小的偏离也会导致整体半导体器件的突然故障。几乎所有的现代半导体器件都包括布置在基本衬底上方的不同材料层的多个导电元件。分配任意的方向性到半导体器件,即,组成的材料层,因此由该材料层形成的许多组件和/或区域“横向地”延伸越过衬底的主表面或者在其上“横向地”延伸。在这方面,某些“垂直的”电连接件可以使用通常将被称为通路(via)的结构形成在下“导体”(例如,元件或区域)和上导体之间。因此,术语“通路”表示在两个或更多导体之间垂直延伸的导电互连,所述两个或更多导体至少部分地以(在Z方向上的)不同“高度”或“水平”设置在被制造于衬底的横向表面(X/Y方向)上的半导体器件上方。考虑以上提及的在不断地减小尺寸、比例、几何结构和半导体组件之间的分离距离方面的难题,下导体、上导体和相应的连接通路的精确制造是细心考虑和麻烦执 ...
【技术保护点】
1.一种半导体器件,包括:在基板上的鳍型图案;栅电极,设置在所述鳍型图案上并且交叉所述鳍型图案;设置在所述栅电极的两侧的第一源/漏极区域和第二源/漏极区域;第一接触,设置在所述第一源/漏极区域上,并且具有第一接触侧壁表面和与所述第一接触侧壁表面连接的第一顶表面,所述第一顶表面包括第一边缘部分和第一中心部分;第一阻挡膜,具有直接设置在所述第一接触侧壁表面上的第一阻挡膜侧壁;第一通路,设置在所述第一接触的所述第一顶表面和所述第一阻挡膜上;第二接触,设置在所述第二源/漏极区域上,并且具有第二接触侧壁表面和与所述第二接触侧壁表面连接的第二顶表面;第二阻挡膜,具有直接设置在所述第二接触侧壁表面上的第二阻挡膜侧壁;和第二通路,设置在所述第二接触的所述第二顶表面上,其中所述第一阻挡膜侧壁的第一顶表面设置在比所述第一接触的所述第一顶表面低的水平。
【技术特征摘要】
2012.08.28 KR 10-2012-00944781.一种半导体器件,包括:在基板上的鳍型图案;栅电极,设置在所述鳍型图案上并且交叉所述鳍型图案;设置在所述栅电极的两侧的第一源/漏极区域和第二源/漏极区域;第一接触,设置在所述第一源/漏极区域上,并且具有第一接触侧壁表面和与所述第一接触侧壁表面连接的第一顶表面,所述第一顶表面包括第一边缘部分和第一中心部分;第一阻挡膜,具有直接设置在所述第一接触侧壁表面上的第一阻挡膜侧壁;第一通路,设置在所述第一接触的所述第一顶表面和所述第一阻挡膜上;第二接触,设置在所述第二源/漏极区域上,并且具有第二接触侧壁表面和与所述第二接触侧壁表面连接的第二顶表面;第二阻挡膜,具有直接设置在所述第二接触侧壁表面上的第二阻挡膜侧壁;和第二通路,设置在所述第二接触的所述第二顶表面上,其中所述第一阻挡膜侧壁的第一顶表面设置在比所述第一接触的所述第一顶表面低的水平。2.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述第一接触侧壁表面、所述第一接触的所述第一顶表面的所述第一边缘部分和所述第一阻挡膜侧壁的所述第一顶表面在第一点处相接,所述第一接触的所述第一顶表面的所述第一边缘部分在第一向上方向上直接从所述第一点突出。3.根据权利要求2所述的半导体器件,其中所述第二顶表面包括第二边缘部分和第二中心部分,所述第二接触侧壁表面、所述第二接触的所述第二顶表面的所述第二边缘部分和所述第二阻挡膜侧壁的第二顶表面在第二点处相接,以及所述第二接触的所述第二顶表面的所述第二边缘部分在第二向上方向上直接从所述第二点突出。4.根据权利要求3所述的半导体器件,其中所述第二接触的所述第二顶表面的所述第二边缘部分在所述第二向上方向上凸起地圆化。5.根据权利要求3所述的半导体器件,其中所述第二阻挡膜侧壁的所述第二顶表面和所述第二接触的所述第二顶表面的所述第二边缘部分设置在比所述第二接触的所述第二顶表面的所述第二中心部分低的水平。6.根据权利要求2所述的半导体器件,其中所述第一接触的所述第一顶表面的所述第一边缘部分在所述第一向上方向上凸起地圆化。7.根据权利要求2所述的半导体器件,其中所述第一接触在所述第一点处在第一方向上的宽度小于或等于在所述第一通路的底部分处所述第一通路的在相反的侧表面之间的在所述第一方向上的宽度。8.根据权利要求1所述的半导体器件,还包括:第一绝缘膜,围绕所述第一接触、所述第二接触、所述第一阻挡膜和所述第二阻挡膜的组合,其中第一凹入区域存在于所述第一阻挡膜侧壁的所述第一顶表面之上且在所述第一绝缘膜的紧邻所述第一阻...
【专利技术属性】
技术研发人员:金东权,金基一,
申请(专利权)人:三星电子株式会社,
类型:发明
国别省市:韩国,KR
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