供电电路、生成方法和控制方法技术

本发明专利技术提出一种供电电路、生成方法和控制方法，涉及智能穿戴技术领域。其中，本发明专利技术的一种供电电路包括：带隙基准电压源Bandgap；实时检测控制模块；和替代电压源模块；其中，实时检测控制模块与Bandgap和替代电压源模块连接，根据Bandgap的输出电压调整替代电压源模块的输出点电压；当替代电压源模块的输出点电压与Bandgap的输出电压相同时，关闭Bandgap，采用替代电压源模块供电。这样的供电电路能够根据Bandgap的输出电压校准替代电压源模块的输出点电压并替代供电，而Bandgap在完成电压校准后无需保持供电状态，从而实现了在提供稳定电压的基础上减少Bandgap的耗电量。

Power supply circuit, generation method and control method

The invention provides a power supply circuit, a generation method and a control method, which relates to the technical field of intelligent wear. A power supply circuit of the invention includes: bandgap reference voltage source Bandgap; real-time detection control module; and alternative voltage source module; where the real-time detection control module is connected with Bandgap and alternative voltage source module, and the output voltage of the alternative voltage source module is adjusted according to the output voltage of Bandgap; when the output voltage of the alternative voltage source module is connected with the output voltage of Bandgap, the output voltage of the alternative voltage source module is adjusted. When the voltage is the same, turn off Bandgap and use the alternative voltage source module to supply power. Such a power supply circuit can replace the output voltage of the voltage source module and replace the power supply according to the output voltage of Bandgap. Bandgap does not need to maintain the power supply state after the completion of voltage calibration, thus reducing the power consumption of Bandgap on the basis of providing stable voltage.

【技术实现步骤摘要】
供电电路、生成方法和控制方法
本申请涉及智能穿戴
，特别是一种供电电路、生成方法和控制方法。
技术介绍
随着穿戴式电子技术的演进，降低功耗以延长使用时间显得越来越重要。带隙基准电压源Bandgap作为稳定电压的提供来源，若能降低其功耗，则能够更适合用于穿戴式电子上。根据Bandgap的耗电及抗噪程度可以将Bandgap电路分为许多不同类型，但通常低耗电会伴随着抗噪性的程度下降，例如，Bandgap可分为10uA(抗噪强，可适用于各种设备)、5uA(抗噪稍弱，不适用于高速设备中ex:CPU、RF…)以及1uA(抗噪弱，仅适用于低速设备中)三种类型，1uA为目前技术极限，无法做得更小，但即使是1uA的Bandgap对于应用于穿戴式电子设备中来说也是一个巨大的损耗，影响了穿戴式电子设备的发展。
技术实现思路
本申请的一个目的在于提出一种在提供稳定电压的基础上降低Bandgap耗电量的方案。根据本申请的一个方面，提出一种供电电路，包括：Bandgap；实时检测控制模块；和替代电压源模块；其中，实时检测控制模块与Bandgap和替代电压源模块连接，根据Bandgap的输出电压调整替代电压源模块的输出点电压；当替代电压源模块的输出点电压与Bandgap的输出电压相同时，采用替代电压源模块供电。可选地，实时检测控制模块根据Bandgap的输出电压调整替代电压源模块的输出点电压包括：将Bandgap的输出点与替代电压源模块的输出点连接；根据Bandgap与替代电压源模块之间的电流大小调整替代电压源模块的输出点电压；当Bandgap的输出点与替代电压源模块的输出点之间的电流为0时，切断Bandgap的输出点与替代电压源模块的输出点的连接。可选地，还包括：当采用替代电压源模块供电时，实时检测控制模块检测替代电压源模块的输出点电压；若替代电压源模块的输出点电压低于预定低门限，则提高替代电压源模块的输出点电压；若替代电压源模块的输出点电压高于预定高门限，则降低替代电压源模块的输出点电压。可选地，替代电压源模块包括：PMOS管；NMOS管；第一电阻；第二电阻；和电容；其中，PMOS管的栅极与实时检测控制模块的PMOS管控制端连接，源极和漏极分别与输入高电平和第一电阻的第一端连接；NMOS管的栅极与实时检测控制模块的NMOS管控制端连接，源极和漏极分别与地和第二电阻的第二端连接；第一电阻的第二端与第二电阻的第一端连接，第一电阻和第二电阻中的至少一个为可变电阻，可变电阻的控制端与实时检测控制模块的电阻控制端连接；电容与地和第二电阻的第一端连接；第一电阻的第二端和/或第二电阻的第一端为替代电压源模块的输出点。可选地，实时检测控制模块根据Bandgap与替代电压源模块之间的电流大小调整替代电压源模块的输出点电压包括：实时检测控制模块调整可变电阻的阻值，以使Bandgap的输出点与替代电压源模块的输出点之间的电流为0；其中，Bandgap的输出点与替代电压源模块的输出点连接。可选地，当实时检测控制模块调整可变电阻的阻值时，实时检测控制模块为PMOS管的栅极提供低电平、为PMOS管的栅极提供高电平。可选地，还包括：当采用替代电压源模块供电时，实时检测控制模块检测替代电压源模块的输出点电压；若替代电压源模块的输出点电压低于预定低门限，则实时检测控制模块为PMOS管的栅极提供低电平、为NMOS管的栅极提供高电平；若替代电压源模块的输出点电压高于预定高门限，则实时检测控制模块为PMOS管的栅极提供高电平、为NMOS管的栅极提供低电平。可选地，还包括：当采用替代电压源模块供电时，实时检测控制模块以预定脉冲分别向PMOS管和NMOS管的栅极提供控制电平；其中，实时检测控制模块向PMOS管和NMOS管的栅极提供的控制电平相反。可选地，还包括：当替代电压源模块供电时间达到预定时长后，实时检测控制模块重新根据Bandgap的输出电压调整替代电压源模块的输出点电压以使替代电压源模块的输出点电压与Bandgap的输出电压相同。这样的供电电路能够根据Bandgap的输出电压校准替代电压源模块的输出点电压，进而采用替代电压源模块供电，而Bandgap在完成电压校准后无需保持供电状态，从而实现了在提供稳定电压的基础上减少Bandgap的耗电量。根据本申请的另一个方面，提出一种形成供电电路的方法，包括：将带隙基准电压源Bandgap与实时检测控制模块连接；将替代电压源模块与实时检测控制模块连接，其中，实时检测控制模块根据Bandgap的输出电压调整替代电压源模块的输出点电压；当替代电压源模块的输出点电压与Bandgap的输出电压相同时，采用替代电压源模块供电。可选地，还包括：生成替代电压源模块，包括：将PMOS管的源极和漏极分别与输入高电平和第一电阻的第一端连接；将NMOS管的源极和漏极分别与地和第二电阻的第二端连接；将第一电阻的第二端与第二电阻的第一端连接，其中，第一电阻和第二电阻中的至少一个为可变电阻，将可变电阻的控制端与实时检测控制模块的电阻控制端连接；将电容与地和第二电阻的第一端连接。可选地，还包括：将PMOS管的栅极与实时检测控制模块的PMOS管控制端连接；将NMOS管的栅极与实时检测控制模块的NMOS管控制端连接。可选地，还包括：将PMOS管的栅极与实时检测控制模块的脉冲控制端连接；将NMOS管的栅极经过反相器与实时检测控制模块的脉冲控制端连接。可选地，还包括：将NMOS管的栅极与实时检测控制模块的脉冲控制端连接；将PMOS管的栅极经过反相器与实时检测控制模块的脉冲控制端连接。通过这样的方法生成的供电电路能够根据Bandgap的输出电压校准替代电压源模块的输出点电压，进而采用替代电压源模块供电，而Bandgap在完成电压校准后无需保持供电状态，从而实现了在提供稳定电压的基础上减少Bandgap的耗电量。根据本申请的又一个方面，提出一种供电电路的控制方法，包括：根据带隙基准电压源Bandgap的输出电压调整替代电压源模块的输出点电压；当替代电压源模块的输出点电压与Bandgap的输出电压相同时，采用替代电压源模块供电。可选地，根据带隙基准电压源Bandgap的输出电压调整替代电压源模块的输出点电压包括：导通Bandgap的输出点与替代电压源模块的输出点之间的连接；根据Bandgap与替代电压源模块之间的电流大小调整替代电压源模块的输出点电压；当Bandgap的输出点与替代电压源模块的输出点之间的电流为0时，切断Bandgap与替代电压源模块之间的连接。可选地，还包括：当采用替代电压源模块供电时，检测替代电压源模块的输出点电压；若替代电压源模块的输出点电压低于预定低门限，则提高替代电压源模块的输出点电压。可选地，根据Bandgap与替代电压源模块之间的电流大小调整替代电压源模块的输出点电压包括：向替代电压源模块的PMOS管的栅极输出低电平、向替代电压源模块的NMOS管的栅极提供高电平；调整替代电压源模块中用于分压的可变电阻的阻值，以使Bandgap的输出点与替代电压源模块的输出点之间的电流为0；其中，Bandgap的输出点与替代电压源模块的输出点连接；其中，替代电压源模块包括：PMOS管；NMOS管；第一电阻；第二电阻；和电容；PMOS管的源本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种供电电路，包括：带隙基准电压源Bandgap；实时检测控制模块；和替代电压源模块；其中，所述实时检测控制模块与所述Bandgap和所述替代电压源模块连接，根据所述Bandgap的输出电压调整所述替代电压源模块的输出点电压；当所述替代电压源模块的输出点电压与所述Bandgap的输出电压相同时，采用所述替代电压源模块供电。

【技术特征摘要】
1.一种供电电路，包括：带隙基准电压源Bandgap；实时检测控制模块；和替代电压源模块；其中，所述实时检测控制模块与所述Bandgap和所述替代电压源模块连接，根据所述Bandgap的输出电压调整所述替代电压源模块的输出点电压；当所述替代电压源模块的输出点电压与所述Bandgap的输出电压相同时，采用所述替代电压源模块供电。2.根据权利要求1所述的供电电路，其中，所述实时检测控制模块根据所述Bandgap的输出电压调整所述替代电压源模块的输出点电压包括：将所述Bandgap的输出点与所述替代电压源模块的输出点连接；根据所述Bandgap与所述替代电压源模块之间的电流大小调整所述替代电压源模块的输出点电压；当所述Bandgap的输出点与所述替代电压源模块的输出点之间的电流为0时，切断所述Bandgap的输出点与所述替代电压源模块的输出点的连接。3.根据权利要求1所述的供电电路，还包括：当采用所述替代电压源模块供电时，所述实时检测控制模块检测所述替代电压源模块的输出点电压；若所述替代电压源模块的输出点电压低于预定低门限，则提高所述替代电压源模块的输出点电压；若所述替代电压源模块的输出点电压高于预定高门限，则降低所述替代电压源模块的输出点电压。4.根据权利要求1、2或3所述的供电电路，其中，所述替代电压源模块包括：PMOS管；NMOS管；第一电阻；第二电阻；和电容；其中，所述PMOS管的栅极与所述实时检测控制模块的PMOS管控制端连接，源极和漏极分别与输入高电平和所述第一电阻的第一端连接；所述NMOS管的栅极与所述实时检测控制模块的NMOS管控制端连接，源极和漏极分别与地和所述第二电阻的第二端连接；所述第一电阻的第二端与所述第二电阻的第一端连接，所述第一电阻和所述第二电阻中的至少一个为可变电阻，所述可变电阻的控制端与所述实时检测控制模块的电阻控制端连接；所述电容与地和所述第二电阻的第一端连接；所述第一电阻的第二端和/或所述第二电阻的第一端为所述替代电压源模块的输出点。5.根据权利要求4所述的供电电路，所述实时检测控制模块根据所述Bandgap与所述替代电压源模块之间的电流大小调整所述替代电压源模块的输出点电压包括：所述实时检测控制模块调整所述可变电阻的阻值，以使所述Bandgap的输出点与所述替代电压源模块的输出点之间的电流为0；其中，所述Bandgap的输出点与所述替代电压源模块的输出点连接。6.根据权利要求5所述的供电电路，当所述实时检测控制模块调整所述可变电阻的阻值时，所述实时检测控制模块为所述PMOS管的栅极提供低电平、为所述PMOS管的栅极提供高电平。7.根据权利要求4所述的供电电路，还包括：当采用所述替代电压源模块供电时，所述实时检测控制模块检测所述替代电压源模块的输出点电压；若所述替代电压源模块的输出点电压低于预定低门限，则所述实时检测控制模块为所述PMOS管的栅极提供低电平、为所述NMOS管的栅极提供高电平；若所述替代电压源模块的输出点电压高于预定高门限，则所述实时检测控制模块为所述PMOS管的栅极提供高电平、为所述NMOS管的栅极提供低电平。8.根据权利要求4所述的供电电路，还包括：当采用所述替代电压源模块供电时，所述实时检测控制模块以预定脉冲分别向所述PMOS管和所述NMOS管的栅极提供控制电平；其中，所述实时检测控制模块向所述PMOS管和所述NMOS管的栅极提供的控制电平相反。9.根据权利要求1或8所述的供电电路，还包括：当所述替代电压源模块供电时间达到预定时长后，所述实时检测控制模块重新根据所述Bandgap的输出电压调整所述替代电压源模块的输出点电压以使所述替代电压源模块的输出点电压与所述Bandgap的输出电压相同。10.一种形成所述供电电路的方法，包括：将带隙基准电压源Bandgap与实时检测控制模块连接；将替代电压源模块与所述实时检测控制模块连接；其中，所述实时检测控制模块根据所述Bandgap的输出电压调整所述替代电压源模块的输出点电压；当所述替代电压源模块的输出点电压与所述Bandgap的输出电压相同时，采用所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨家奇，黄正乙，邓志兵，黄正太，翁文君，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31