一种修复电压降的方法及装置制造方法及图纸

一种修复电压降的方法及装置，包括：区分芯片的各功能模块，并根据区分的功能模块将芯片的存储器划分为两个或两个以上存储器分组；为划分的存储器分组分别配置相应的测试向量，以控制不同存储器分组的存储器在不同时间工作。本发明专利技术实施例降低了存储器内建自测试电路的电压降，降低了电压降对芯片性能的影响，使电压降满足芯片的设计要求。

【技术实现步骤摘要】
一种修复电压降的方法及装置
本文涉及但不限于电路测试技术，尤指一种修复电压降的方法及装置。
技术介绍
随着集成电路生产工艺的发展，晶体管的特征尺寸不断缩小，使得单芯片能够集成的晶体管越来越多。传统集成电路设计方案难以满足市场要求，工程师们大多采用片上系统(SOC，SystemOnChip)技术和知识产权(IP，InterllectualProperty)复用技术设计集成电路。SOC既需要很高的工作频率来完成复杂的运算任务，又需要多个集成度高的IP来实现不同的运算功能。高性能和高集成度将会引起高的电流密度，从而大幅增加芯片的电压降(IR-drop)。而IR-drop会降低芯片的性能，严重时甚至会导致芯片失效。存储器内建自测试(mbist，MemoryBuild-inSelfTest)电路是SOC设计中必不可少的一部分，但mbist测试电路往往会存在严重的IR-drop问题，相关技术中一般采用补强电源网格的方法进行电压降的修复，但修复一般无法达到预期效果，影响芯片性能。
技术实现思路
以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。本专利技术实施例提供了一种修复电压降的方法及装置，能够降低芯片的电压降，降低电压降对芯片性能的影响，使电压降满足芯片设计要求。本专利技术实施例提供了一种修复电压降的方法，包括：区分芯片的各功能模块，并根据区分的功能模块将芯片的存储器划分为两个或两个以上存储器分组；为划分的存储器分组分别配置相应的测试向量，以控制不同存储器分组的存储器在不同时间工作。可选的，所述将芯片的存储器划分为两个或两个以上存储器分组包括：将一个或一个以上所述功能模块的存储器划分至一个所述存储器分组。可选的，所述方法还包括：确定是否存在电压降不满足预设的芯片参数要求的存储器分组；对不满足预设的芯片参数要求的所述存储器分组，若该存储器分组由两个或两个以上所述功能模块的存储器组成，将该存储器分组包含的存储器根据区分的功能模块重新划分为两个或两个以上所述存储器分组；为重新划分的所述存储器分组分别配置相应的测试向量，以控制不同重新划分的所述存储器分组的存储器在不同时间工作。可选的，所述分别配置相应的测试向量包括：基于可测试性设计(DFT)平台分别配置各所述存储器分组相应的测试向量，以控制物理位置相邻的两个存储器分组的存储器在不同时间工作。另一方面，本专利技术实施例提供了一种修复电压降的装置，包括：划分单元、配置单元；其中，划分单元用于：区分芯片的各功能模块，并根据区分的功能模块将芯片的存储器划分为两个或两个以上存储器分组；配置单元用于：为划分单元划分的存储器分组分别配置相应的测试向量，以控制不同存储器分组的存储器在不同时间工作。可选的，所述划分单元具体用于：区分芯片的各功能模块，将区分的一个或一个以上功能模块的存储器划分至一个所述存储器分组。可选的，所述装置还包括：确定单元，用于确定是否存在电压降不满足预设的芯片参数要求的存储器分组；所述划分单元还用于，对确定单元确定的不满足预设的芯片参数要求的存储器分组，若该存储器分组由两个或两个以上功能模块的存储器组成，将该存储器分组包含的存储器根据区分的功能模块重新划分为两个或两个以上存储器分组；配置单元还用于：为重新划分的存储器分组分别配置相应的测试向量，以控制不同重新划分的存储器分组的存储器在不同时间工作。可选的，所述配置单元用于分别配置相应的测试向量包括：基于可测试性设计(DFT)平台分别配置各所述存储器分组相应的测试向量，以控制物理位置相邻的两个所述存储器分组的存储器在不同时间工作。再一方面，本专利技术实施例还提供一种计算机存储介质，计算机存储介质中存储有计算机可执行指令，计算机可执行指令用于执行上述修复电压降的方法。还一方面，本专利技术实施例还提供一种修复电压降的终端，包括：存储器和处理器；其中，处理器被配置为执行存储器中的程序指令；程序指令在处理器读取执行以下操作：区分芯片的各功能模块，并根据区分的功能模块将芯片的存储器划分为两个或两个以上存储器分组；为划分的存储器分组分别配置相应的测试向量，以控制不同存储器分组的存储器在不同时间工作。与相关技术相比，本申请技术方案包括：区分芯片的各功能模块，并根据区分的功能模块将芯片的存储器划分为两个或两个以上存储器分组；为划分的存储器分组分别配置相应的测试向量，以控制不同存储器分组的存储器在不同时间工作。本专利技术实施例降低了存储器内建自测试电路的电压降，降低了电压降对芯片性能的影响，使电压降满足芯片的设计要求。本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。附图说明附图用来提供对本专利技术技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本专利技术的技术方案，并不构成对本专利技术技术方案的限制。图1为本专利技术实施例修复电压降的方法的流程图；图2为相关技术存储器内建自测试电路的电路组成示意图；图3是本专利技术实施例轮询单元和电源管理单元的电路组成示意图；图4为本专利技术实施例修复电压降的装置的结构框图。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本专利技术的实施例进行详细说明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。在附图的流程图示出的步骤可以在诸如一组计算机可执行指令的计算机系统中执行。并且，虽然在流程图中示出了逻辑顺序，但是在某些情况下，可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤。图1为本专利技术实施例修复电压降的方法的流程图，如图1所示，包括：步骤100、区分芯片的各功能模块，并根据区分的功能模块将芯片的存储器划分为两个或两个以上存储器分组；需要说明的是，功能模块的划分可以根据本领域技术人员对芯片的功能进行分析后确定，例如：将芯片根据其实现功能划分为读、写、存储和处理四个功能模块。可选的，本专利技术实施例将芯片的存储器划分为两个或两个以上存储器分组包括：将一个或一个以上所述功能模块的存储器划分至一个所述存储器分组。需要说明的是，本专利技术实施例可以将不同的功能模块的存储器划分至不同的存储器分组，也可以将两个或两个以上功能模块的存储器划分至一个存储器分组；每一个存储器分组中包含的功能模块的存储器个数可以相同，也可以不同。步骤101、为划分的存储器分组分别配置相应的测试向量，以控制不同存储器分组的存储器在不同时间工作。可选的，本专利技术实施例分别配置相应的测试向量包括：基于可测试性设计(DFT)平台分别配置各所述存储器分组相应的测试向量，以控制物理位置相邻的两个存储器分组的存储器在不同时间工作。需要说明的是，配置测试向量为本领域技术人员的惯用技术手段，基于控制物理位置相邻的两个存储器分组的存储器不同时间工作的目的，本领域技术人员可以在DFT平台配置出各存储器分组相应的测试向量。物理位置相邻可以通过芯片的属性参数确定。可选的，本专利技术实施例方法还包括：确定是否存在电压降不满足预设的芯片参数要求的存储器分组；对不满足预设的芯片参数要求的所述存储器分组，若该存储器分组由两个或两个以上所述功能模块的存储器组成，将该存储器分本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种修复电压降的方法，其特征在于，包括：区分芯片的各功能模块，并根据区分的功能模块将芯片的存储器划分为两个或两个以上存储器分组；为划分的存储器分组分别配置相应的测试向量，以控制不同存储器分组的存储器在不同时间工作。

【技术特征摘要】
1.一种修复电压降的方法，其特征在于，包括：区分芯片的各功能模块，并根据区分的功能模块将芯片的存储器划分为两个或两个以上存储器分组；为划分的存储器分组分别配置相应的测试向量，以控制不同存储器分组的存储器在不同时间工作。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将芯片的存储器划分为两个或两个以上存储器分组包括：将一个或一个以上所述功能模块的存储器划分至一个所述存储器分组。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：确定是否存在电压降不满足预设的芯片参数要求的存储器分组；对不满足预设的芯片参数要求的所述存储器分组，若该存储器分组由两个或两个以上所述功能模块的存储器组成，将该存储器分组包含的存储器根据区分的功能模块重新划分为两个或两个以上所述存储器分组；为重新划分的所述存储器分组分别配置相应的测试向量，以控制不同重新划分的所述存储器分组的存储器在不同时间工作。4.根据权利要求1～3任一项所述的方法，其特征在于，所述分别配置相应的测试向量包括：基于可测试性设计DFT平台分别配置各所述存储器分组相应的测试向量，以控制物理位置相邻的两个存储器分组的存储器在不同时间工作。5.一种修复电压降的装置，其特征在于，包括：划分单元、配置单元；其中，划分单元用于：区分芯片的各功能模块，并根据区分的功能模块将芯片的存储器划分为两个或两个以上存储器分组；配置单元用于：为划分单元划分的存储器分组分别配置相应的测试向量，以控制不同存储器分组的存储器在不同时间工...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈俊杰，
申请(专利权)人：深圳市中兴微电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44