接收滤波器包含:输出来自天线端子的接收信号的接收端子;位于从天线端子向接收端子的信号路径的纵向耦合二重模型弹性波滤波器的第2DMS滤波器;被赋予基准电位的第4GND端子;和与第4GND端子以及第2DMS滤波器连接的第4GND布线。由接收端子以及与该接收端子连接的接收端子布线构成的接收端子导体和由第4GND端子以及第4GND布线构成的第4GND导体相互相邻而电容耦合。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】接收滤波器、分波器以及通信装置
本公开涉及利用弹性波对信号进行过滤的接收滤波器、分波器以及通信装置。弹性波例如是声表面波(SAW:surfaceacousticwave)。
技术介绍
分波器等包含通过频率带(通频带)相互不同的多个滤波器。在专利文献1中,公开了如下技术:在具备过滤向天线输出的发送信号的发送滤波器和过滤从天线输入的接收信号的接收滤波器的分波器中,用接地的屏蔽电极包围接收滤波器所包含的纵耦合型谐振器型滤波器。在专利文献1中主张了由此使从纵耦合型谐振器型滤波器泄漏到外部的电场以及磁场短路到屏蔽电极,进而能改善接收滤波器与发送滤波器之间的隔离。现有技术文献专利文献专利文献1:JP特开2010-178306号公报
技术实现思路
本公开的一方案所涉及的接收滤波器具备天线端子、接收端子、接收端子布线、第1滤波器、第1基准电位端子和第1基准电位布线。接收端子输出来自天线端子的信号。接收端子布线与接收端子连接。第1滤波器是位于从所述天线端子向所述接收端子的信号路径的纵向耦合二重模型弹性波滤波器。第1基准电位端子被赋予基准电位。第1基准电位布线与所述第1基准电位端子以及所述第1滤波器连接。并且由所述接收端子以及接收端子布线构成的接收端子导体、和由所述第1基准电位端子以及所述第1基准电位布线构成的第1基准电位导体相互相邻而电容耦合。本公开的一方案所涉及的分波器具有:所述天线端子;过滤向所述天线端子的信号的发送滤波器;和上述的接收滤波器。本公开的一方案所涉及的通信装置具有:天线;在所述天线连接所述天线端子的上述的分波器;和与所述发送滤波器以及所述接收滤波器连接的集成电路元件。附图说明图1是用于说明SAW滤波器的基本结构的示意性俯视图。图2是表示实施方式所涉及的分波器的结构的电路图。图3A的图3(a)是表示接收滤波器的导体图案的示例的俯视图。图3B的图3(b)是表示接收滤波器的导体图案的其他示例的俯视图。图3C的图3(c)是表示接收滤波器的导体图案的再其他示例的俯视图。图4的图4(a)、图4(b)、图4(c)以及图4(d)是表示调查电容的影响的仿真计算的结果的图。图5的图5(a)、图5(b)、图5(c)以及图5(d)是表示对与图4(a)~图4(d)不同的频段调查电容的影响的仿真计算的结果的图。图6A的图6(a)是表示第1比较例的导体图案的俯视图。图6B的图6(b)是表示第1实施例的导体图案的俯视图。图6C的图6(c)是表示第2比较例的导体图案的俯视图。图7的图7(a)、图7(b)、图7(c)、图7(d)、图7(e)、图7(f)、图7(g)以及图7(h)是表示第1比较例、第1实施例以及第2比较例所涉及的仿真计算结果的图。图8的图8(a)、图8(b)、图8(c)、图8(d)、图8(e)、图8(f)、图8(g)以及图8(h)是表示第3比较例以及第2实施例所涉及的仿真计算结果的图。图9A的图9(a)是表示第4比较例的导体图案的俯视图。图9B的图9(b)是表示第5比较例的导体图案的俯视图。图9C的图9(c)是表示第6比较例的导体图案的俯视图。图10的图10(a)、图10(b)、图10(c)、图10(d)、图10(e)、图10(f)、图10(g)以及图10(h)是表示第4~第6比较例所涉及的仿真计算结果的图。图11A的图11(a)是表示第3实施例的导体图案的俯视图。图11B的图11(b)是表示第4实施例的导体图案的俯视图。图11C的图11(c)是表示第5实施例的导体图案的俯视图。图12的图12(a)、图12(b)、图12(c)、图12(d)、图12(e)、图12(f)、图12(g)以及图12(h)是表示第3~第5实施例所涉及的仿真计算结果的图。图13是表示分波器的导体图案的示例的俯视图。图14是表示作为分波器的利用例的通信装置的示意图。具体实施方式以下参考附图来说明本公开所涉及的实施方式。另外,以下的说明中所用的图是示意性的图,附图上的尺寸比率等不一定与现实尺寸一致。有时对于相同或类似的结构,如「第1DMS滤波器1A」、「第2DMS滤波器1B」那样,对同一名称标注相互不同的编号以及字母来称呼,另外,在该情况下,有时仅称作「DMS滤波器1」,不对它们进行区别。(SAW滤波器的基本结构)图1是用于说明SAW谐振器或SAW滤波器的基本结构的示意性俯视图。在此取纵向耦合二重模型SAW滤波器为例来进行说明。SAW谐振器或SAW滤波器可以将任意方向作为上方或下方,但在以下的说明中为了方便,定义由D1轴、D2轴以及D3轴构成的正交坐标系,将D3轴的正侧(图1的纸面近前侧)设为上方,并有时使用上表面等词。另外,D1轴定义成与沿着后述的压电基板5的上表面(纸面近前侧的面)传播的SAW的传播方向平行,D2轴定义成与压电基板5的上表面平行且与D1轴正交,D3轴定义成与压电基板5的上表面正交。图示的DMS(doublemodeSAW,双模SAW)滤波器1过滤从示意示出的第1端子3A以及第2端子3B的一方输入的电信号,将该过滤过的电信号从第1端子3A以及第2端子3B的另一方输出。DMS滤波器1例如包含压电基板5、设于压电基板5上的多个(图示的示例中为5个)IDT(interdigitaltransducer,叉指换能器)电极7和位于IDT电极7的两侧的1对反射器9。压电基板5例如由有压电性的单晶构成。单晶例如是铌酸锂(LiNbO3)单晶或钽酸锂(LiTaO3)单晶。切割角可以对应于利用的SAW的种类等适宜设定。例如压电基板5是旋转Y切割X传播的基板。即,X轴与压电基板5的上表面(D1轴)平行,Y轴相对于压电基板5的上表面的法线以给定的角度倾斜。另外,压电基板5比较薄地形成,可以在背面(D3轴负侧的面)贴合无机材料、半导体材料或有机材料所构成的支承基板。IDT电极7以及反射器9由设于压电基板5上的层状导体构成。IDT电极7以及反射器9例如用相互相同的材料以及厚度构成。构成它们的层状导体例如是金属。金属例如是以Al或Al为主成分的合金(Al合金)。Al合金例如是Al-Cu合金。层状导体可以由多个金属层构成。层状导体的厚度对应于对IDT电极7以及反射器9所构成的谐振器或滤波器(这里是DMS滤波器1)要求的电特性等适宜设定。作为一例,层状导体的厚度是50nm~400nm。各IDT电极7包含1对梳齿电极11。各梳齿电极11包含汇流条13和从汇流条13相互并排延伸的多个电极指15。1对梳齿电极11配置成多个电极指15相互咬合(交叉)。另外,各梳齿电极11可以除了上述以外,例如还包含多个虚设电极,其在电极指15间从汇流条13向另一方的梳齿电极11的汇流条13侧突出,与另一方的梳齿电极11的多个电极指15的前端对置。汇流条13例如形成为以大致固定的宽度在SAW的传播方向(D1轴方向)上直线状延伸的长条状。并且一对汇流条13在与SAW的传播方向正交的方向(D2轴方向)上相互对置。另外,汇流条13也可以宽度变化,或相对于SAW的传播方向倾斜。各电极指15例如形成为以大致固定的宽度在与SAW的传播方向正交的方向(D2轴方向)上直线状延伸的长条状。在各梳齿电极11,多个电极指15在SAW的传播方向上排列。另外,一方的梳齿电极11的多个电极指15和另一方的梳齿电极本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种接收滤波器,其特征在于,具有:天线端子;输出来自所述天线端子的信号的接收端子;与所述接收端子连接的接收端子布线;位于从所述天线端子向所述接收端子的信号路径的第1滤波器,该第1滤波器是纵向耦合二重模型弹性波滤波器;被赋予基准电位的第1基准电位端子;和与所述第1基准电位端子以及所述第1滤波器连接的第1基准电位布线,由所述接收端子以及所述接收端子布线构成的接收端子导体、和由所述第1基准电位端子以及所述第1基准电位布线构成的第1基准电位导体相互相邻而电容耦合。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.07.13 JP 2016-1385131.一种接收滤波器,其特征在于,具有:天线端子;输出来自所述天线端子的信号的接收端子;与所述接收端子连接的接收端子布线;位于从所述天线端子向所述接收端子的信号路径的第1滤波器,该第1滤波器是纵向耦合二重模型弹性波滤波器;被赋予基准电位的第1基准电位端子;和与所述第1基准电位端子以及所述第1滤波器连接的第1基准电位布线,由所述接收端子以及所述接收端子布线构成的接收端子导体、和由所述第1基准电位端子以及所述第1基准电位布线构成的第1基准电位导体相互相邻而电容耦合。2.根据权利要求1所述的接收滤波器,其特征在于,作为与所述第1滤波器多级连接并位于所述信号路径的纵向耦合二重模型弹性波滤波器,具有至少1个第2滤波器,在所述第1滤波器以及全部所述第2滤波器当中所述第1基准电位导体仅与所述第1滤波器连接。3.根据权利要求2所述的接收滤波器,其特征在于,所述第1滤波器在所述信号路径中位于比全部所述第2滤波器更靠所述接收端子侧的位置。4.根据权利要求1~3中任一项所述的接收滤波器,其特征在于,所述接收滤波器具有:在一个面上设有所述天线端子、所述接收端子导体、所述第1基准电位导体以及所述第1滤波器的压电基板;位于所述面上、被赋予基准电位的第2基准电位端子;和在所述面上与第2基准电位端子连接的第2基准电位布线,在所述面的俯视观察...
【专利技术属性】
技术研发人员:浦田知德,
申请(专利权)人:京瓷株式会社,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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