【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】射频模块的选择性屏蔽优先权申请的交叉引用本申请依据35U.S.C.§119(e)要求2016年4月19日提交的、专利技术名称为“SELECTIVESHIELDINGOFRADIOFREQUENCYMODULES”(射频模块的选择性屏蔽)的美国临时申请第62/324,768号的优先权权益,特此通过引用而将其公开内容全部合并于此。本申请依据35U.S.C.§119(e)要求2016年4月19日提交的、专利技术名称为“METHODSFORSELECTIVELYSHIELDINGRADIOFREQUENCYMODULES”(选择性地屏蔽射频模块的方法)的美国临时申请第62/324,750号的优先权权益,特此通过引用而将其公开内容全部合并于此。
本公开内容涉及射频模块的选择性屏蔽。
技术介绍
封装半导体模块可包括封装内的集成屏蔽技术。屏蔽结构可围绕射频部件而形成。屏蔽结构可为射频部件屏蔽该屏蔽结构外部的电磁辐射。屏蔽结构可为位于屏蔽结构外部的电路元件屏蔽由射频部件发出的电磁辐射。由于在射频模块中更多部件彼此集成在一起,因此以紧凑且高效方式将部件彼此屏蔽可具有挑战性。
技术实现思路
权利要求书中描述的创新每个具有若干方面,其中没有单个方面单独负责其希望的属性。在不限制权利要求范围情况下,现将简要描述本公开内容的一些突出特征。本申请的一个方面为一种封装射频模块。所述封装射频模块包括封装衬底;射频屏蔽结构,其在所述封装衬底上方延伸;射频部件,其位于所述封装衬底上方且位于所述射频屏蔽结构的内部中;以及天线,其在所述射频屏蔽结构外部位于所述封装衬底上。所述射频屏蔽结构可包括在所述 ...
【技术保护点】
1.一种封装射频模块,包括:封装衬底;射频屏蔽结构,在所述封装衬底上方延伸;射频部件,位于所述封装衬底上方且位于所述射频屏蔽结构的内部中;以及天线,在所述射频屏蔽结构外部位于所述封装衬底上,所述射频屏蔽结构配置为在所述天线和所述射频部件之间提供屏蔽。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.04.19 US 62/324,768;2016.04.19 US 62/324,7501.一种封装射频模块,包括:封装衬底;射频屏蔽结构,在所述封装衬底上方延伸;射频部件,位于所述封装衬底上方且位于所述射频屏蔽结构的内部中;以及天线,在所述射频屏蔽结构外部位于所述封装衬底上,所述射频屏蔽结构配置为在所述天线和所述射频部件之间提供屏蔽。2.如权利要求1所述的封装射频模块,其中所述射频屏蔽结构包括在所述射频部件上方提供屏蔽且使得所述封装射频模块在所述天线上方未被屏蔽的屏蔽层。3.如权利要求2所述的封装射频模块,其中所述射频屏蔽结构包括与所述屏蔽层接触的焊线。4.如权利要求1所述的封装射频模块,其中所述射频屏蔽结构包括设置在所述天线和所述射频部件之间的焊线。5.如权利要求1所述的封装射频模块,其中所述射频屏蔽结构包括设置在所述射频部件第一侧面周围的焊线壁,以及设置在所述射频部件第二侧面周围的保形结构,所述第二侧面与所述第一侧面相对。6.如权利要求1所述的封装射频模块,其中所述射频屏蔽结构包括设置在所述射频部件至少两个侧面周围的焊线壁。7.如权利要求1所述的封装射频模块,其中所述射频屏蔽结构包括基本上平行于所述封装衬底的屏蔽层,且所述射频部件设置在所述屏蔽层和所述封装衬底之间。8.如权利要求7所述的封装射频模块,其中所述屏蔽层包括铜。9.如权利要求8所述的封装射频模块,还包括位于所述屏蔽层上方的保护层,所述屏蔽层设置在所述保护层和所述射频部件之间。10.如权利要求9所述的封装射频模块,其中所述保护层包括钛。11.如权利要求1所述的封装射频模块,其中所述射频部件包括前端集成电路。12.如权利要求11所述的封装射频模块,其中所述射频部件还包括晶体。13.如权利要求11所述的封装射频模块,其中所述前端集成电路包括绝缘体上半导体晶片,其包括低噪声放大器或功率放大器中的至少一个。14.如权利要求1所述的封装射频模块,其中所述射频部件包括低噪声放大器和配置为将所述低噪声放大器选择性地电连接到所述天线的开关。15.如权利要求1所述的封装射频模块,其中所述射频部件附接到所述封装衬底,且所述天线印制在所述封装衬底上。16.一种系统板组件,包括:封装部件,包括位于封装衬底上的射频部件、围绕所述射频部件的射频屏蔽结构、和位于所述封装衬底上且在所述射频屏蔽结构外的天线;以及系统板,其上设置有所述封装部件,所述系统板包括电连接到所述封装部件的射频屏蔽结构的接地焊盘。17.如权利要求16所述的系统板组件,还包括位于所述系统板上的电子部件,所述屏蔽结构在所述射频部件和所述电子部件之间提供射频隔离。18.一种前端模块,包括:位于封装衬底上的射频部件,所述射频部件包括低噪声放大器和开关;射频屏蔽结构,其设置在所述射频组件周围;以及位于所述封装衬底上的天线,所述天线位于所述射频屏蔽结构外部,且所述开关配置为将所述低噪声放大器与所述天线选择性地电连接。19.如权利要求18所述的前端模块,还包括旁路路径,所述开关配置为在第一状态下将所述低噪声放大器和所述天线电连接,且在第二状态下将所述旁路路径和所述天线电连接。20.如权利要求19所述的前端模块,还包括功率放大器,所述开关配置为在第三状态下将所述功率放大器和所述天线电连接。21.如权利要求20所述的前端模块,其中所述低噪声放大器和所述功率放大器电路实现在单个绝缘体上半导体晶片之上。22.一种选择性屏蔽射频模块的方法,所述方法包括:提供包括射频部件和天线的射频模块;在所述射频模块的一部分上方形成屏蔽层,使得(i)所述射频部件被所述屏蔽层屏蔽,且所述天线未被所述屏蔽层屏蔽,以及(ii)所述屏蔽层与设置为在所述射频部件和所述天线之间提供屏蔽的一个或多个导电特征相接触。23.如权利要求22所述的方法,还包括在所述形成之前,使用遮罩来遮盖所述射频模块位于所述天线上方的部分。24.如权利要求23所述的方法,其中所述形成包括移除所述天线上方的遮罩。25.如权利要求23所述的方法,其中所述遮盖包括用遮罩来遮盖所述射频模块并且激光切割所述遮罩的一选择区域。26.如权利要求22所述的方法,其中所述形成包括移除所述天线上方的导电材料。27.如权利要求22所述的方法,其中所述形成包括激光移除所述天线上方的导电材料。28.如权利要求22所述的方法,其中所述形成包括溅射导电材料且所述屏蔽层包括所述导电材料。29.如权利要求28所述的方法,其中所述导电材料包括铜。30.如权利要求28所述的方法,还包括在所述屏蔽层上方形成保护层使得所述屏蔽层设置在所述保护层和所述射频部件之间。31.如权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员:H·M·阮,A·J·洛比安科,G·E·巴布科克,D·R·弗雷内特,G·库利,R·罗德里格兹,
申请(专利权)人:天工方案公司,
类型:发明
国别省市:美国,US
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