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一种改善音圈受到磁路影响的方法及一种扬声器技术

技术编号:20015854 阅读:83 留言:0更新日期:2019-01-05 23:21
本发明专利技术公开一种改善音圈受到磁路影响的方法及一种扬声器,属电声领域,所述方法在于把音圈线圈分为同等或接近同等体积的上、下两部分,音圈静止时,下部分音圈从分界位置起进入磁路的磁隙,上部分音圈从分界位置起在磁路的磁隙之外,在磁路的磁隙之外的音圈部分其音圈线圈口部分的内侧或外侧,或内侧和外侧以近距离靠近或径向对着磁轭,改善了现有技术的音圈受到磁路的负面影响,提搞音圈工作效率,获得更优质的声音。所述扬声器的部分零件制有螺牙,可精准调整音圈在磁路中的位置,提高获得理想声音的生产效率,支承柱支承着副轭铁芯设置在音圈口提升音圈工作效率。

【技术实现步骤摘要】
一种改善音圈受到磁路影响的方法及一种扬声器
本专利技术涉及一种改善音圈受到磁路影响的方法及一种扬声器,并涉及电动扬声器磁路结构,属于电声

技术介绍
电声技术是为了追求获得更优质的,对人有益的理想声音方向发展。电动扬声器的音圈在磁路中工作时,受到磁路的影响对驱动振膜发出的声音起到重要的影响作用。现有技术是把音圈的中间部分或者大部分或者全部设置在磁路的磁隙内,使音圈在运动时均匀切割磁路的磁力线,达到提高音圈工作效率目的,形成磁路对音圈工作时产生负面的影响,对扬声器发出的声音也产生负面影响,现有技术没有针对解决音圈工作时受到磁路负面影响的方法,也限制了电动扬声器可以获得更理想声音的发展。现有技术的扬声器的生产是直接装配各零件完成生产,音圈难以精准定位在磁路中,不能对改善音圈受到磁路负面影响做精准调试,获得理想声音的生产效率得不到提高。
技术实现思路
本专利技术提供一种改善音圈受到磁路影响的方法及一种扬声器,改善了上述现有技术的不足。本专利技术所提及的磁轭也可以是导磁轭铁。本专利技术的一种改善音圈受磁路影响的方法的技术特征在于:因绕制的音圈存在卷线不整齐、卷线不平衡等外形,及制出的磁路装置的零件形状存在不规则,在对音圈的测量或者在磁路中对音圈的测量难以测得绝对同等的数值,如图1,把不含音圈引线的音圈线圈分为同等体积或者接近同等体积的上部分音圈1和下部分音圈2,或者分为同等卷线高或者接近同等卷线高的上部分音圈1和下部分音圈2,把音圈分为上、下两部分的位置作为音圈的分界位置3,如图2,音圈在磁路中静止时,下部分音圈2其部分或者全部从分界位置3起进入磁路的磁隙,上部分音圈1从分界位置3起在磁路的磁隙之外,或者,音圈在磁路中静止时,至少在音圈的内侧或者在音圈的外侧,或者在音圈的内侧和外侧,下部分音圈2其部分或者其全部从分界位置3起以近距离靠近磁轭5或者径向对着磁轭5,上部分音圈1从分界位置3起不以近距离靠近磁轭5或者不径向对着磁轭5。本专利技术的一种改善音圈受到磁路影响的方法的技术特征在于:如图3及图4,音圈在磁路中静止时,部分音圈进入磁路的磁隙,在磁路的磁隙之外的音圈部分其音圈线圈口部分4的内侧或者外侧,或者内侧和外侧以近距离靠近磁轭6或者径向对着磁轭6,其余音圈部分不以近距离靠近磁轭6或者不径向对着磁轭6。本专利技术所述的音圈在磁路中以近距离靠近磁轭的距离小于音圈不以近距离靠近磁轭的距离,音圈以近距离靠近磁轭比不以近距离靠近磁轭更有效地受到磁路作用力的影响。本专利技术所述磁路的磁隙是由华司与T型轭铁之间,或者磁轭与磁轭之间形成的间隙。本专利技术的一种扬声器的部分零件上制有螺牙,各零件的螺牙相互咬合,导磁或着不导磁支承柱11支承着副轭铁芯9设置在音圈线圈口,制有螺牙的零件旋转后可轴向改变音圈7设置在磁路中的位置,各零件在旋转调整后用粘结剂相互粘接固定。有益效果本专利技术的技术特征中的上、下两部分音圈的磁场强度同等或者接近同等,当设置磁轭越过分界位置进入上部分音圈,使上部分音圈近距离靠近或径向对着磁轭,音圈工作时,磁轭就对上部分音圈产生更多的反作用力,反之,设置磁轭离开分界位置进入下部分音圈,音圈工作时磁轭就对音圈产生更多的正作用力,也同时减少了反作用力,以上两种情况都影响了音圈工作时的受力并影响扬声器的发音。现有技术是在音圈静止时,如图5,把音圈的中间部分或者大部分或者全部置在磁路的磁隙内,形成磁轭明显的越过了分界位置进入上部分音圈,使上部分音圈近距离靠近或者径向对着磁轭,磁轭对音圈工作时产生了负面影响的反作用力,使扬声器的发音产生压抑感,表现力弱,使人觉得单调、乏味。本专利技术的一种改善音圈受到磁路影响的方法是在音圈静止时,如图2,使磁轭从分界位置起不进入上部分音圈,也不离开分界位置在下部分音圈内,音圈工作时,磁轭就不会对上、下两部分音圈产生负面影响的不平衡的正、反作用力,使音圈工作时受到磁路的平衡作用力,获得比现有技术的扬声器更强表现力,更能影响人的心情,更能凝造浓厚气氛的声音。本专利技术的一种改善音圈受到磁路影响的方法是在音圈静止时,把一组磁轭设置在磁路的磁隙之外的音圈部分的音圈线圈口,而设置磁轭过多离开音圈线圈口部分,磁轭对音圈工作时产生负面影响的正作用力,现有技术是把音圈全部设置在磁路的磁隙之内使音圈提高工作效率,形成磁轭过多进入上部分音圈内,对音圈工作时产生负面影响的反作用力,使扬声器发音受到干扰的负面影响。本专利技术的方法是设置磁轭不过多离开音圈线圈口部分,也不过多进入上部分音圈线圈内,即音圈线圈口部分近距离靠近或者径向对着磁轭,使音圈在工作时受到磁路平衡的作用力,消除了对扬声器发音产生的负面影响,并使音圈在工作中切割更多磁路的磁力线提高工作效率。与现有技术相比,本专利技术的方法改善了电动扬声器的音圈受到磁路的负面影响,有效提高音圈的工作效率,及有效提高声音的保真度,获得更优质的声音,开发了电动扬声器的潜在价值。本专利技术的方法可使用在单音圈及多音圈的电动扬声器上。因机械设备制出的磁路装置的零件和音圈的形状都不能精密的相同,或者形状不规则,直接装配时难以使音圈精准定位在磁路中改善音圈受到磁路的负面影响,本专利技术的一种扬声器与现有技术的扬声器相比,在生产中可精准调整音圈设置在磁路中的位置,改善音圈受到磁路的负面影响,提高获得理想声音的生产效率,磁路的磁隙与副轭铁芯对音圈组成推挽式磁路结构,有效提高音圈的工作效率,获得更优质的声音。附图说明图1为音圈的上、下两部分音圈的结构示意图。图2为本专利技术的音圈在磁路中的结构示意图。图3为音圈的音圈线圈口部分的结构示意图。图4为本专利技术的音圈及音圈线圈口部分在磁路中的结构示意图。图5为现有技术的音圈在磁路中的结构示意图。图6为本专利技术实施例的一种扬声器结构示意图。具体实施方式以下结合附图及实施例进一步阐述本专利技术。参考图6,本专利技术的实施例提供一种扬声器,包括节环18和弹波15连接盘架16,节环18连接振膜8在盘架16中,音圈骨架连接振膜8和弹波15使音圈7设置在磁路中,防尘帽19盖在振膜8的中心。华司14与T型轭铁板13上的T型轭铁芯12之间形成磁路的磁隙,华司14与T型轭铁板13之间夹着磁铁10组成磁路装置。T型轭铁板13的外沿连接非导磁的铝制承托件17,非导磁承托件17使T型轭铁板13不需扩大面积与华司14之间形成磁短路,承托件17外侧制有的螺牙与盘架16内侧制有的螺牙相咬合,承托件17承托着磁路装置在盘架16内旋转时可轴向改变音圈7在磁路中的位置,可使音圈7精准定位在磁路中,工作时不受到磁路的负面影响,获得需要的理想声音。内部中空的T型轭铁芯12的内壁制有的螺牙与支承柱11上制有的螺牙相咬合,支承柱11在T型轭铁芯12内延伸至T型轭铁芯12之外,支承柱11连接并支承着副轭铁芯9在T型轭铁芯12上方,在支承柱11的一端旋转支承柱11可轴向改变副轭铁芯9在音圈口的位置,并轴向改变音圈7在磁路中的位置,可使音圈7精准定位在磁路中,工作时不受到磁路的负面影响。软铁材质的支承柱11对副轭铁芯9起到导磁的作用,支承柱11的外径小于以近距离靠近音圈7的T型轭铁芯12的外径,导磁的支承柱11不以近距离靠近音圈7,使音圈工作时不受到磁路的负面影响。音圈骨架套着副轭铁芯9、T型轭铁芯12及支承柱11,磁路的磁隙与副轭铁芯9组本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种改善音圈受到磁路影响的方法,其特征在于:把不含音圈引线的音圈线圈分为同等体积或者接近同等体积或者分为同等卷线高或者接近同等卷线高的上部分音圈(1)和下部分音圈(2),把音圈分为上、下两部分的位置作为音圈的分界位置(3),音圈静止时,下部分音圈(2)其部分或者其全部从分界位置(3)起进入磁路的磁隙,上部分音圈(1)从分界位置(3)起在磁路的磁隙之外,或者,至少在音圈的内侧或者外侧,或者在音圈的内侧和外侧,下部分音圈(2)其部分或者其全部从分界位置(3)起以近距离靠近磁轭(5)或者径向对着磁轭(5),上部分音圈(1)从分界位置(3)起不以近距离靠近磁轭(5)或者不径向对着磁轭(5)。

【技术特征摘要】
1.一种改善音圈受到磁路影响的方法,其特征在于:把不含音圈引线的音圈线圈分为同等体积或者接近同等体积或者分为同等卷线高或者接近同等卷线高的上部分音圈(1)和下部分音圈(2),把音圈分为上、下两部分的位置作为音圈的分界位置(3),音圈静止时,下部分音圈(2)其部分或者其全部从分界位置(3)起进入磁路的磁隙,上部分音圈(1)从分界位置(3)起在磁路的磁隙之外,或者,至少在音圈的内侧或者外侧,或者在音圈的内侧和外侧,下部分音圈(2)其部分或者其全部从分界位置(3)起以近距离靠近磁轭(5)或者径向对着磁轭(5),上部分音圈(1)从分界位置(3)起不以近距离靠近磁轭(5)或者不径向对着磁轭(5)。2.一种改善音圈受到磁路影响的方法,其特征在于:音圈静止时,部分音圈线圈进入磁路的磁隙,在磁路的磁隙之外的音圈线圈部分其音圈线圈口部分(4)的内侧或者外侧,或者内侧和外侧以近距离靠近磁轭(6)或者径向对着磁轭(6),其余音圈线圈部分不以近距离靠近磁轭(6)或者不径向对着磁轭(6),或者,至少在音圈的内侧或者外侧,或者在音圈的内侧和外侧,部分音圈线圈以近距离靠近磁轭或者径向对着磁轭,不以近距离靠近磁轭或者不径向对着磁轭的音圈线圈部分其音圈线圈口部分(4)以近距离靠近磁轭(6)或者径向对着磁轭(6)。3.根据权利要求1或2所述的一种改善音圈受到磁路影响的方法,其特征在于:所述的音圈以近距离靠近磁轭的距离小于音圈不以近距离靠近磁轭的距离。4.根据权利要求1或2所述的一种改善音圈受到磁...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘真锦刘超锋
申请(专利权)人:刘超锋
类型:发明
国别省市:广东,44

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