用于LED支架的基材、LED支架、LED光源及其制造方法技术

本申请涉及用于LED支架的基材、LED支架、LED光源及其制造方法。公开了一种用于LED支架的基材(1)，基材(1)包括金属基体(7)，基材(1)包括：布置在金属基体(7)的用于邦定LED芯片的那一面上的一个或多个涂层；和/或在金属基体(7)的与用于邦定LED芯片的那一面相反的另一面上沉积的一层或多层第二金属层；或者，在金属基体(7)的与用于邦定LED芯片的那一面相反的另一面上做防氧化处理。本申请还提供了具有这种基材(1)的LED支架，以及在这种LED支架封装LED芯片得到的LED光源。本申请还公开了对本申请的这种LED支架基材(1)或LED光源半成品(图5A‑5C)进行表面处理的方法。通过本申请，可保护基材材料不易被硫化，溴化，氧化等，提高基材反射率和光泽度。

Material, LED bracket, LED light source and manufacturing method for LED bracket

The application relates to a base material for an LED support, an LED support, an LED light source and a manufacturing method thereof. A substrate (1) for an LED bracket is disclosed, which comprises a metal substrate (7), including one or more coatings arranged on the side of the metal substrate (7) for bonding the LED chip; and/or one or more second metal layers deposited on the opposite side of the metal substrate (7) and the other side for bonding the LED chip; or, the use and use of the metal substrate (7). Anti-oxidation treatment is done on the opposite side of the bonding LED chip. The application also provides an LED bracket with such a substrate (1) and an LED light source obtained by encapsulating an LED chip with such an LED bracket. The application also discloses a method for surface treatment of the LED support base material (1) or the semi-finished product of the LED light source (Fig. 5A 5C). Through this application, the base material can be protected from vulcanization, bromination, oxidation, etc., and the reflectivity and glossiness of the base material can be improved.

【技术实现步骤摘要】
用于LED支架的基材、LED支架、LED光源及其制造方法
本申请涉及LED光源
，具体涉及具有改善的稳定性和可靠性的基材，以及由此制造的LED支架和新型LED光源及其制造方法。
技术介绍
LED自从问世以上，受到广泛重视而得到迅速发展，是与它本身所具有的优点分不开的。这些优点概括起来是：亮度高、工作电压低、功耗小、小型化、寿命长、耐冲击和性能稳定。TOPLED(即，顶面或平面发光LED)的发展前景极为广阔，目前正朝着更高亮度、更高耐气候性、更高的发光密度、更高的发光均匀性方向发展。但实际在生产使用TOPLED产品的过程中，经常会遭遇产品劣化导致产品失效等问题(业内也称这种现象为“产品硫化”，其主要是因支架表面被硫化导致，但也可能存在其它污染原因，如卤化、氧化等等)，这些问题给客户和生产厂家都带来一定损失。在出现上述硫化现象后，LED产品的功能区会黑化，导致对光反射大大降低，光通量会逐渐下降，而且导致色温出现明显漂移而使得产品性能劣化，从而大大降低LED的可靠性和使用寿命。严重时，直接导致LED失效，即死灯。现有技术的这种缺陷的存在，其中一个主要原因在于：TOPLED的支架一般会在基材上镀银，该镀银层不仅可改善导电性能，抗氧化性，而且主要还会起到将LED发出的光反射出的作用，用于显著提高光效和LED的光通量。当LED在高温焊接时，如果碰到了硫或硫蒸气，则会造成支架上的银层与硫发生化学反应2Ag+S＝Ag2S↓，形成Ag2S硫化物，该Ag2S硫化物视反应量的多少而呈现深黄色或黑色的颜色，不仅导致导电性能和抗氧化性显著降低，而且会显著减少LED的反射出光，严重降低光效和光通量。在严重的情况下，镀银层的绝大部分或几乎全部的银都通过发生硫化反应被耗尽，从而导致金丝断裂，造成LED开路，导致LED死灯。众所周知，由于TOPLED支架气密性不佳，尤其是在LED工作状态下的高温环境下，更容易造成上述硫化失效，使得比如支架底部镀银层发黑，从而显著降低了LED器件的稳定性、可靠性、色温性能、光衰减性能和使用寿命，甚至导致LED器件在使用不久后即发生死灯现象。本专利技术的说明书的此
技术介绍
部分中所包括的信息，包括本文中所引用的任何参考文献及其任何描述或讨论，仅出于技术参考的目的而被包括在内，并且不被认为是将限制本专利技术范围的主题。因此，本领域急需解决
技术介绍
中存在的上述的和其它的技术问题和缺陷，而开发出能够克服上述缺陷和其它缺陷的新型的高稳定性的LED器件和LED支架。
技术实现思路
针对现有技术中存在的上述技术缺陷以及其它技术问题，本申请提出了高稳定性的LED支架、LED器件及其制造方法、本专利技术旨在解决以上的技术缺陷和其它的技术问题，并且还可另外提供更多的附加技术效果。根据本申请的一方面，基材主体可选取铝材或铜材或铁材或银材等金属材料(不限于上述金属材料)，可通过比如真空溅射技术、离子镀技术、电镀、物理沉积或化学镀技术，在基材的表面沉积(比如涂上或镀上)一层或多层的金属层、化合物等材料层，形成焊接界面。可通过控制表面化合物及银层厚度，材质密度，而保护基材的材料表面不容易被硫化，溴化，氧化等，提高基材的稳定性、光泽度和对LED光的反射率。并且，使得能够实现LED支架基板正反面的焊接工艺。根据本申请的另一方面，可将基材、填充胶材与LED支架固定连接，其中，LED支架可采用嵌入或溶胶粘接设计，所述的支架杯底可安装有芯片，芯片上可焊接有键合导线，芯片和键合导线的上方可封装有封装胶或封装胶与荧光粉混合物，从而形成特定LED封装灯珠。更具体而言，根据本申请，提供了一种用于LED支架的基材(1)，所述基材包括金属基体，其中，所述基材包括：布置在所述金属基体的用于邦定LED芯片的那一面上的一个或多个涂层；和/或在所述金属基体的与用于邦定LED芯片的那一面相反的另一面上沉积的一层或多层第二金属层；或者，在金属基体(7)的与用于邦定LED芯片的那一面相反的另一面上做防氧化处理。根据本申请的一实施例，所述一个或多个涂层包括一层或多层第一金属层，以及一层或多层化合物层。根据本申请的另一实施例，所述第一金属层是银或银合金、铝或铝合金、铁或铁合金、或者铜或铜合金形成的涂层；并且所述化合物层是通过真空溅射、离子镀、电镀、物理沉积或化学镀沉积的化合物涂层，所述化合物选自三氧化二铝、二氧化硅、二氧化钛、含硅化合物、比如硅油中的一种或多种。根据本申请的另一实施例，所述一个或多个涂层从所述金属基体的用于邦定LED芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铝基体直接相邻的三氧化二铝层、二氧化钛层、纯银层、三氧化二铝层，以及最外侧的二氧化钛层。根据本申请的另一实施例，所述一个或多个涂层从所述金属基体的用于邦定LED芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铝基体直接相邻的三氧化二铝层、二氧化钛层、纯银层、二氧化钛层、二氧化硅层，以及最外侧的二氧化钛层。根据本申请的另一实施例，所述一个或多个涂层从所述金属基体的用于邦定LED芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铜基体直接相邻的纯银层、三氧化二铝层，以及最外侧的二氧化钛层；或者所述一个或多个涂层从所述金属基体的用于邦定LED芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铜基体直接相邻的纯银层、含硅化合物层，比如硅油层；或者所述一个或多个涂层从所述金属基体的用于邦定LED芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铜基体直接相邻的纯银层、二氧化钛层、二氧化硅层，以及最外侧的二氧化钛层；或者所述一个或多个涂层从所述金属基体的用于邦定LED芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铜基体直接相邻的纯银层，以及最外侧的三氧化二铝层；或者所述一个或多个涂层从所述金属基体的用于邦定LED芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铜基体直接相邻的纯银层，以及最外侧的二氧化硅层。根据本申请的另一实施例，所述一个或多个涂层从所述金属基体的用于邦定LED芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铜基体直接相邻的镍层、银层、三氧化二铝层，以及最外侧的二氧化钛层；或者所述一个或多个涂层从所述金属基体的用于邦定LED芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铜基体直接相邻的镍层、银层、硅油层(含硅化合物)；或者所述一个或多个涂层从所述金属基体的用于邦定LED芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铜基体直接相邻的镍层、银层、二氧化钛层、二氧化硅层，以及最外侧的二氧化钛层。所述一个或多个涂层从所述金属基体的用于邦定LED芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铜基体直接相邻的镍层，纯银层，以及最外侧的三氧化二铝层；或者所述一个或多个涂层从所述金属基体的用于邦定LED芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铜基体直接相邻的镍层，纯银层，以及最外侧的二氧化硅层。根据本申请的另一实施例，所述一个或多个涂层从所述金属基体的用于邦定LED芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铁基体直接相邻的铜层、纯银层、三氧化二铝层，以及最外侧的二氧化钛层；或者所述一个或多个涂层从所述金属基体的用于邦定LED芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铁基体直接相邻的铜层、纯银层、硅油层(含硅化合物)；或者所述一个或多个涂层从所述金属基体的用于邦定LED芯片的那一面起始由里向外地本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于LED支架的基材(1)，所述基材(1)包括金属基体(7)，其中，所述基材(1)包括：布置在所述金属基体(7)的用于邦定LED芯片的那一面上的一个或多个涂层；在所述金属基体(7)的与用于邦定LED芯片的那一面相反的另一面上沉积的一层或多层第二金属层；或者，在金属基体(7)的与用于邦定LED芯片的那一面相反的另一面上做防氧化处理。

【技术特征摘要】
1.一种用于LED支架的基材(1)，所述基材(1)包括金属基体(7)，其中，所述基材(1)包括：布置在所述金属基体(7)的用于邦定LED芯片的那一面上的一个或多个涂层；在所述金属基体(7)的与用于邦定LED芯片的那一面相反的另一面上沉积的一层或多层第二金属层；或者，在金属基体(7)的与用于邦定LED芯片的那一面相反的另一面上做防氧化处理。2.根据权利要求1所述的用于LED支架的基材(1)，其中，所述一个或多个涂层包括一层或多层第一金属层，以及一层或多层化合物层。3.根据权利要求2所述的用于LED支架的基材(1)，其中：所述第一金属层是铝或铝合金、铁或铁合金、或者铜或铜合金；并且所述化合物层是通过真空溅射、离子镀、电镀、物理沉积或化学镀沉积的化合物涂层，所述化合物选自三氧化二铝、二氧化硅、二氧化钛、含硅化合物、比如硅油中的一种或多种。4.根据权利要求1-3中任一项所述的用于LED支架的基材(1)，其中，所述一个或多个涂层从所述金属基体(7)的用于邦定LED芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铝基体(7)直接相邻的三氧化二铝层、二氧化钛层、纯银层、三氧化二铝层，以及最外侧的二氧化钛层。5.根据权利要求1-3中任一项所述的用于LED支架的基材(1)，其中，所述一个或多个涂层从所述金属基体(7)的用于邦定LED芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铝基体(7)直接相邻的三氧化二铝层、二氧化钛层、纯银层、二氧化钛层、二氧化硅层，以及最外侧的二氧化钛层。6.根据权利要求1-3中任一项所述的用于LED支架的基材(1)，其中：所述一个或多个涂层从所述金属基体(7)的用于邦定LED芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铜基体(7)直接相邻的纯银层、三氧化二铝层，以及最外侧的二氧化钛层；或者所述一个或多个涂层从所述金属基体(7)的用于邦定LED芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铜基体(7)直接相邻的与铜基体(7)直接相邻的纯银层、二氧化钛层、二氧化硅层，以及最外侧的二氧化钛层；或者所述一个或多个涂层从所述金属基体(7)的用于邦定LED芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铜基体(7)直接相邻的纯银层、氧化铝层；或者所述一个或多个涂层从所述金属基体(7)的用于邦定LED芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铜基体(7)直接相邻的纯银层、二氧化硅层；或者所述一个或多个涂层从所述金属基体(7)的用于邦定LED芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铜基体(7)直接相邻的纯银层，以及最外侧的含硅化合物、比如硅油。7.根据权利要求1-3中任一项所述的用于LED支架的基材(1)，其中：所述一个或多个涂层从所述金属基体(7)的用于邦定LED芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铜基体(7)直接相邻的镍层、纯银层、三氧化二铝层，以及最外侧的二氧化钛层；或者所述一个或多个涂层从所述金属基体(7)的用于邦定LED芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铜基体(7)直接相邻的与铜基体(7)直接相邻的镍层、纯银层、二氧化钛层、二氧化硅层，以及最外侧的二氧化钛层；或者所述一个或多个涂层从所述金属基体(7)的用于邦定LED芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铜基体(7)直接相邻的镍层、纯银层、氧化铝层；或者所述一个或多个涂层从所述金属基体(7)的用于邦定LED芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铜基体(7)直接相邻的镍层、纯银层、二氧化硅层；或者所述一个或多个涂层从所述金属基体(7)的用于邦定LED芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铜基体(7)直接相邻的镍层、纯银层，以及最外侧的含硅化合物、比如硅油。8.根据权利要求1-3中任一项所述的用于LED支架的基材(1)，其中，所述一个或多个涂层从所述金属基体(7)的用于邦定LED芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铁基体(7)直接相邻的铜层、纯银层、三氧化二铝层，以及最外侧的二氧化钛层；或者所述一个或多个涂层从所述金属基体(7)的用于邦定LED芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铁基体(7)直接相邻的铜层、纯银层、二氧化钛层、二氧化硅层，以及最外侧的二氧化钛层；或者所述一个或多个涂层从所述金属基体(7)的用于邦定LED芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铁基体(7)直接相邻的铜层、纯银层以及最外侧的三氧化二铝层；或者所述一个或多个涂层从所述金属基体(7)的用于邦定LED芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铁基体(7)直接...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘云，李俊东，
申请(专利权)人：深圳市斯迈得半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44