Micro LED转移方法及显示面板、显示装置制造方法及图纸

本申请公开一种Micro LED转移方法及Micro LED显示面板和Micro LED显示装置，所述Micro LED显示面板包括衬底基板、像素定义层，像素定义层包括开口，位于开口内层叠设置的第一导电层、光敏导电键合层和Micro LED结构。所述光敏导电键合层具有光照后固化，使得粘接在光敏导电键合层相对两个表面的结构能够键合在一起，由于光敏导电键合层的存在，能够在Micro LED转移过程中实现Micro LED的检测，而不是在键合完成后，再进行后续检测，从而节省了去除已经键合的不正常显示Micro LED的步骤，使得Micro LED检测和修复工艺简单化。

Micro LED Transfer Method and Display Panel and Display Device

This application discloses a micro LED transfer method and a micro LED display panel and a Miro LED display device. The micro LED display panel includes a substrate substrate, a pixel definition layer, and a pixel definition layer including an opening, a first conductive layer, a photosensitive conductive bonding layer and a Miro LED structure which are overlapped in the opening. The photosensitive conductive bonding layer is cured after illumination, so that the structure of the bonding layer relative to the two surfaces can be bonded together. Because of the existence of the photosensitive conductive bonding layer, the detection of micro LED can be realized during the transfer process of micro LED, instead of subsequent detection after the bonding is completed, thereby saving the abnormal display micro which has been bonded. The steps of LED simplify the detection and repair process of Micro LED.

【技术实现步骤摘要】
MicroLED转移方法及显示面板、显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种MicroLED(MicroLightEmittingDiode，微型发光二极管或微发光二极管)转移方法及MicroLED显示面板和MicroLED显示装置。
技术介绍
MicroLED发展成未来显示技术的热点之一，MicroLED显示器所采用LED尺寸为微米等级，具有画素的独立控制、独立发光控制、高辉度、低耗电、超高分辨率和高色彩度等特点，但其技术难点多且技术复杂，特别是其关键技术：巨量转移技术。随着技术的发展，巨量转移技术发展至今已经出了不少技术分支，如静电吸附、镭射激光等。传统巨量转移微型LED的方法是通过基板接合(WaferBonding)将微型元件自转移基板转移至接收基板。转移方法的其中一种实施方法为直接转移，也就是直接将微型元件阵列自转移基板接合至接收基板，之后再将转移基板移除。另一种实施方法为“间接转移”。此方法包含两次接合/剥离的步骤。在间接转移中，转置头可将位于中间承载基板上的部分微型元件阵列拾起，然后再将微型元件阵列接合至接收基板，接着再把转置头移除。但现有技术中的直接转移或间接转移的巨量转移技术中，对MicroLED检测的工艺均是在接收基板上键合MicroLED后，通过检测电路检测，若检测出异常MicroLED，则对异常的MicroLED进行替换修复，但这使得后续检测和修复过程较为复杂。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种MicroLED转移方法及MicroLED显示面板和MicroLED显示装置，以解决现有技术中在接收基板上键合MicroLED后，再进行检测和修复，使得后续检测和修复工艺较为复杂的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种MicroLED显示面板，包括：衬底基板；位于衬底基板表面的像素定义层，像素定义层包括多个开口；位于开口内的第一导电层；位于第一导电层背离衬底基板表面的光敏导电键合层；位于光敏导电键合层背离第一导电层的MicroLED结构，MicroLED结构的至少一个电极与光敏导电键合层电性连接。本专利技术还提供一种MicroLED显示装置，包括上面所述的MicroLED显示面板。本专利技术还提供一种MicroLED转移方法，用于形成上面所述的MicroLED显示面板，所述MicroLED转移方法包括：提供阵列基板、多个MicroLED结构、光敏导电键合层和转移头，阵列基板包括衬底基板、位于衬底基板上的像素定义层，像素定义层包括多个开口，以及位于开口内的第一导电层；采用转移头拾取多个MicroLED结构；将拾取的多个MicroLED结构通过光敏导电键合层与第一导电层结合；给第一导电层加电信号导通MicroLED结构；移走转移头；若MicroLED结构为可正常点亮的，则被光敏导电键合层粘接在阵列基板上；若MicroLED结构为不可点亮的，则被转移头带走。经由上述的技术方案可知，本专利技术提供的MicroLED显示面板，包括衬底基板、像素定义层，像素定义层包括开口，位于开口内层叠设置的第一导电层、光敏导电键合层和MicroLED结构。所述光敏导电键合层具有光照后固化，使得粘接在光敏导电键合层相对两个表面的结构能够键合在一起。也即，本专利技术提供的MicroLED显示面板在制作过程中，在将MicroLED转移至衬底基板上的光敏导电键合层后，对MicroLED的两个电极施加电信号，使得MicroLED通电，若MicroLED能够正常发光，则对应的光敏导电键合层接收光照，固化后，将该正常发光的MicroLED键合到第一导电层上；若MicroLED无法正常发光，则对应的光敏导电键合层没有接收光照，无法键合第一导电层和不正常发光的MicroLED，从而在转移过程中，对MicroLED是否正常发光进行检测，正常的MicroLED键合，不正常的MicroLED不进行键合，替换为正常MicroLED后才能键合，进而得到的MicroLED显示面板上的MicroLED均为正常显示的结构。本专利技术提供的MicroLED显示面板，由于光敏导电键合层的存在，能够在MicroLED转移过程中实现MicroLED的检测，而不是在键合完成后，再进行后续检测，从而节省了去除已经键合的不正常显示MicroLED的步骤，使得MicroLED检测和修复工艺简单化。本专利技术还提供一种MicroLED显示装置，包括上面所述的MicroLED显示面板。另外，本专利技术还提供一种MicroLED转移方法，将MicroLED的键合和检测在同一个步骤中实现，能够在MicroLED转移过程中实现MicroLED的检测，而不是在键合完成后，再进行后续检测，从而节省了去除已经键合的不正常显示MicroLED的步骤，使得MicroLED检测和修复工艺简单化。需要说明的是，由于本专利技术提供的MicroLED转移方法制作形成的MicroLED显示面板上的MicroLED均为正常发光的LED，无需进行备份设置，从而降低了MicroLED的制作成本，另外，由于能够使得MicroLED显示面板上一个子像素中仅设置一个LED器件，一方面能够确保显示的均匀性，另一方面能够不断提高MicroLED显示面板的PPI(pixelsperinch，像素每英寸，也叫像素密度)。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的一种MicroLED显示面板结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的另一种MicroLED显示面板结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的一种垂直结构MicroLED结构示意图；图4为本专利技术实施例提供的另一种MicroLED显示面板结构示意图；图5为本专利技术实施例提供的一种有源矩阵MicroLED显示面板结构示意图；图6为本专利技术实施例提供的一种同侧电极的MicroLED结构示意图；图7为本专利技术实施例提供的一种同侧电极的MicroLED结构的具体结构示意图；图8为本专利技术实施例提供的另一种MicroLED显示面板结构示意图；图9为本专利技术实施例提供的另一种有源矩阵MicroLED显示面板结构示意图；图10是本专利技术实施例提供的一种显示装置的示意图；图11为本专利技术实施例提供的一种MicroLED转移方法流程示意图；图12为本专利技术实施例提供的阵列基板结构示意图；图13为转移头拾取多个MicroLED结构的示意图；图14为加电后，MicroLED被点亮情况示意图；图15为固化结果示意图；图16为移走转移头后的结果示意图。具体实施方式正如
技术介绍
中所述，现有技术中直接转移或间接转移的巨量转移技术对MicroLED检测的工艺均是在接收基板上键合MicroLED后，通过检测电路检测，若检测出异常MicroLED，则对异常的MicroLED进行替换修复，但这使得后续检测和修复过程较为复杂。专利技术人发现，现有技术中MicroLED进行直接转移或间接转移过程中，不涉及对MicroLED的检测，而是在将所有MicroLED转移完成后，再采取特定的检测工艺本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种Micro LED显示面板，其特征在于，包括：衬底基板；位于所述衬底基板表面的像素定义层，所述像素定义层包括多个开口；位于所述开口内的第一导电层；位于所述第一导电层背离所述衬底基板表面的光敏导电键合层；位于所述光敏导电键合层背离所述第一导电层的Micro LED结构，所述Micro LED结构的至少一个电极与所述光敏导电键合层电性连接。

【技术特征摘要】
1.一种MicroLED显示面板，其特征在于，包括：衬底基板；位于所述衬底基板表面的像素定义层，所述像素定义层包括多个开口；位于所述开口内的第一导电层；位于所述第一导电层背离所述衬底基板表面的光敏导电键合层；位于所述光敏导电键合层背离所述第一导电层的MicroLED结构，所述MicroLED结构的至少一个电极与所述光敏导电键合层电性连接。2.根据权利要求1所述的MicroLED显示面板，其特征在于，所述光敏导电键合层包括光敏层和掺杂在所述光敏层中的金属球或纳米银材料。3.根据权利要求2所述的MicroLED显示面板，其特征在于，所述光敏层的材料包括丙烯酸酯类预聚物、活性单体和光引发剂，所述光引发剂为可见光引发剂。4.根据权利要求3所述的MicroLED显示面板，其特征在于，所述光引发剂的吸收主波长和与所述光敏导电键合层连接的MicroLED结构的发光颜色的波长相同。5.根据权利要求1所述的MicroLED显示面板，其特征在于，所述MicroLED结构为垂直结构LED，包括依次层叠设置的第一型半导体层、有源层和第二型半导体层，以及第一电极和第二电极；其中，所述第一电极位于所述第一型半导体层背离所述有源层的一侧；所述第二电极位于所述第二型半导体背离所述有源层的一侧。6.根据权利要求5所述的MicroLED显示面板，其特征在于，所述第一电极与所述第一导电层通过所述光敏导电键合层电性连接。7.根据权利要求6所述的MicroLED显示面板，其特征在于，还包括第二导电层，所述第二导电层与所述第二电极电性连接，通过给所述第一导电层和所述第二导电层加电信号，控制所述MicroLED结构发光。8.根据权利要求7所述的MicroLED显示面板，其特征在于，所述MicroLED显示面板为无源矩阵发光二极管显示面板。9.根据权利要求7所述的MicroLED显示面板，其特征在于，所述MicroLED显示面板为有源矩阵发光二极管显示面板；所述衬底基板还包括多个薄膜晶体管，至少两个所述薄膜晶体管控制一个所述MicroLED结构，其中，一个所述薄膜晶体管作为驱动晶体管，其他所述薄膜晶体管中的至少一个薄膜晶体管为所述驱动晶体管提供控制电压；所述驱动晶体管包括栅极、源极和漏极；所述漏极与所述第一导电层电性连接；多个所述开口中的所述第二导电层之间电性连接。10.根据权利要求1所述的MicroLED显示面板，其特征在于，所述MicroLED结构为同侧电极结构LED，包括依次层叠设置的第一型半导体层、有源层和第二型半导体层，以及第一电极和第二电极；其中，所述第一电极位于所述第一型半导体层背离所述有源层的表面；所述第二电极位于所述第二型半导体朝向所述有源层的表面。11.根据权利要求10所述的MicroLED显示面板，其特征在于，所述第一导电层包括相互绝缘设置的第一子导电层和第二子导电层，所述光敏导电键合层包括第一光敏导电键合层和第二光敏导电键合层；所述第一光敏导电键合层位于所述第一子导电层背离所述衬底基板的表面；所述第二光敏导电键合层位于所述第二子导电层背离所述衬底基板的表面；所述第一电极与所述第一子导电层通过所述第一光敏导电键合层电性连接；所述第二电极与所述第二子导电层通过所述第二光敏导电键合层电性连接；通过分别为所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：何泽尚，邢亮，符鞠建，刘刚，
申请(专利权)人：上海天马微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31