发光二极管封装结构制造技术

本发明专利技术公开一种发光二极管封装结构。所述结构包括基板及发光单元阵列；基板有一固晶区域，发光单元阵列置于固晶区域；发光单元阵列包括产生第一光束的多个非二次激发的第一发光单元及产生第二光束的多个非二次激发的第二发光单元，第一光束与第二光束相互混光产生白光；每一第一发光单元包括一第一发光芯片及覆盖第一发光芯片的一第一波长转换层，每一第二发光单元包括一第二发光芯片及覆盖第二发光芯片的一第二波长转换层，第一光束包含激发第一波长转换层产生的第一受激发光，第二光束包含激发第二波长转换层产生的第二受激发光，第一与第二受激发光峰值波长间差值至少30nm。本发明专利技术的发光二极管封装结构可产生高显色指数及亮度较高的白光。

Light Emitting Diode Packaging Structure

The invention discloses a light emitting diode packaging structure. The structure includes a substrate and an array of light-emitting units; a solid crystal region is arranged on the substrate, and the array of light-emitting units is placed in the solid crystal region; the array of light-emitting units includes a plurality of first non-secondary light-emitting units that generate a first beam and a plurality of second non-secondary light-emitting units that generate a second beam, and each first light-emitting unit mixes with the second beam to produce white light; Each second light-emitting unit includes a second light-emitting chip and a second wavelength conversion layer covering the second light-emitting chip. The first light beam contains the first stimulated light generated by exciting the first wavelength conversion layer, the second light beam contains the second stimulated light generated by exciting the second wavelength conversion layer, and the first one contains the second stimulated light generated by exciting the second wavelength conversion layer. The difference between the peak wavelength of the second stimulated light and that of the second stimulated light is at least 30 nm. The packaging structure of the light emitting diode of the invention can produce white light with high color rendering index and high brightness.

【技术实现步骤摘要】
发光二极管封装结构
本专利技术涉及一发光二极管封装结构，特别是涉及一种可提高亮度的发光二极管封装结构。
技术介绍
发光二极管(light-emittingdiode，简称LED)是一种能将电能转化为光能的半导体电子装置。发光二极管因具有高亮度、低功耗、寿命长、启动快、发光效率高、无闪烁、不容易产生视角疲劳，而被广泛应用于显示器或是照明装置中。在照明领域中，白光是最常被使用的光源色。因此，目前常应用蓝光发光二极管配合黄色或其他混合荧光粉来产生白光。然而，现有应用发光二极管所制造的照明装置在亮度以及发光效率仍有待进一步改进。
技术实现思路
本专利技术提供一种发光二极管封装结构，能够通过改善封装体的荧光粉构成来获得较佳的荧光粉激发效率，以得到亮度较高的白光。为了解决上述的技术问题，本专利技术所采用的其中一技术方案是，提供一种发光二极管封装结构，其包括基板以及发光单元阵列。基板具有一固晶区域，发光单元阵列设置于固晶区域。发光单元阵列包括用以产生第一光束的多个非二次激发的第一发光单元以及用以产生第二光束的多个非二次激发的第二发光单元，多个第一发光单元所产生的第一光束与多个第二发光单元所产生的第二光束相互混光，以产生白光。每一第一发光单元包括一第一发光芯片以及覆盖第一发光芯片的一第一波长转换层，每一第二发光单元包括一第二发光芯片以及覆盖第二发光芯片的一第二波长转换层。第一光束至少包含通过激发第一波长转换层而产生的一第一受激发光，第二光束至少包含通过激发第二波长转换层而产生的一第二受激发光，且第一受激发光的峰值波长与第二受激发光的峰值波长之间的差值至少30nm。综上所述，在本专利技术实施例所提供的发光二极管封装结构中，通过使用多个非二次激发的第一发光单元以及多个非二次激发的第二发光单元，来产生用以混成白光的第一光束与第二光束。由于非二次激发的第一发光单元与第二发光单元具有较高的荧光粉激发效率，而可使发光二极管封装结构所产生的白光具有高显色指数以及较高的亮度。为使能更进一步了解本专利技术的特征及
技术实现思路
，请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图，然而所提供的附图仅提供参考与说明用，并非用来对本专利技术加以限制。附图说明图1为本专利技术其中一实施例的发光二极管封装结构的俯视示意图。图2为图1中的发光二极管封装结构沿线II-II的局部剖面示意图。图3为本专利技术另一实施例的发光二极管封装结构的局部剖面示意图。图4为本专利技术另一实施例的发光二极管封装结构的俯视示意图。图5为本专利技术另一实施例的发光二极管封装结构的俯视示意图。具体实施方式请参照图1。图1是本专利技术其中一实施例的发光二极管封装结构的俯视示意图。在本专利技术实施例中，通过使用非二次激发的发光单元所产生的光束，来混成高亮度的白光。如图1所示，发光二极管封装结构M1包括基板10以及发光单元阵列11。基板10的其中一表面上定义出一固晶区域100。基板10可以是具有高导热性的基板，例如：陶瓷基板或金属基板。发光单元阵列11设置在基板10上，并位于固晶区域100内。在本实施例中，发光二极管封装结构M1还包括正极接垫12、负极接垫13。正极接垫12、负极接垫13都设置在基板10上。发光单元阵列11中的多个发光单元111、112可通过正极接垫12以及负极接垫13电性连接于一控制电路。也就是说，控制电路可通过正极接垫12以及负极接垫13对发光单元阵列11的多个发光单元施加电压，来控制这些发光单元111、112的开启、关闭，以及通过这些发光单元111、112的电流值，从而控制发光二极管封装结构M1所产生的白光的亮暗。另外，发光单元阵列11中的多个发光单元可以相互串联或者是相互并联。在另一实施例中，发光单元阵列11中的一部份发光单元之间相互并联，再与其他的发光单元串联。因此，发光单元阵列11中的多个发光单元之间相互串并的方式可以根据实际需求来设计，本专利技术并不限制。发光单元可以是垂直式发光单元、倒装发光单元或者是水平式发光单元，本专利技术并不限制。多个发光单元可通过打线接合或者覆晶接合等技术手段，而被固设于基板10上。在一实施例中，多个发光单元是垂直式发光单元。因此，可先将线路层14按实际的电路设计而以一预定方式配置于固晶区域100内，以使发光单元阵列11中的每一个发光单元可以通过对应的线路层14以及对应的导线15，来与其他发光单元建立电性连结。在另一实施例中，发光单元为倒装发光单元，并且可通过覆晶接合的方式固设于基板10上。此时，发光二极管封装结构M1不一定会包括导线15。在本实施例中，发光单元阵列11包括用以产生第一光束的多个第一发光单元111，以及用以产生第二光束的多个第二发光单元112。多个第一发光单元111所产生的第一光束与多个第二发光单元112所产生的第二光束会相互混光，以产生白光。请先参照图2，图2为图1的发光二极管封装结构在线II-II的局部剖面示意图。每一个第一发光单元111包括一第一发光芯片111a以及覆盖第一发光芯片111a的一第一波长转换层111R。每一第二发光单元112包括一第二发光芯片112a以及覆盖第二发光芯片112a的一第二波长转换层112G。第一发光芯片111a与第二发光芯片112a都用以产生一激发光，且激发光为蓝光或者紫光。也就是说，第一发光芯片111a与第二发光芯片112a可以是蓝光发光二极管芯片或者是紫光发光二极管芯片。具体而言，第一发光芯片111a与第二发光芯片112a可以都是蓝光发光二极管芯片，或者都是紫光发光二极管芯片，又或者是蓝光发光二极管芯片与紫光发光二极管芯片的组合。在一实施例中，当激发光为蓝光时，激发光的峰值波长介于420nm至470nm之间，常用的蓝光的峰值波长是介于445nm至455nm之间。当激发光为紫光时，激发光的峰值波长介于380nm至420nm之间。另外，第一发光芯片111a以及第二发光芯片112a可以选择垂直式芯片、倒装芯片或者是水平式芯片。在本实施例中，第一发光芯片111a以及第二发光芯片112a都是垂直式芯片。形成第一波长转换层111R与第二波长转换层112G的其中一种方式，是先将荧光粉与胶按照一定比例混合之后，再涂布于第一发光芯片111a与第二发光芯片112a上。在其他实施例中，第一波长转换层111R与第二波长转换层112G都是萤光贴片，如:玻璃荧光贴片或者陶瓷荧光贴片。因此，可将荧光膜贴片直接贴附在第一发光芯片111a与第二发光芯片112a上。另外，在图2的实施例中，第一波长转换层111R只覆盖第一发光芯片111a的顶面而裸露第一发光芯片111a的侧表面。相似地，第二波长转换层112G只覆盖第二发光芯片112a的顶面而裸露第二发光芯片112a的侧表面。然而，在其他实施例中，也可以只有第一波长转换层111R(或者第二波长转换层112G)只覆盖第一发光芯片111a(或第二发光芯片112a)的顶面而裸露第一发光芯片111a(或第二发光芯片112a)的侧表面。请参照图3，在另一实施例中，第一波长转换层111R与第二波长转换层112G是分别完全覆盖第一发光芯片111a以及第二发光芯片112a的顶面以及所有侧表面。在另一实施例中，只有其中一部份发光单元的波长转换层会完全覆盖发光芯片的顶面以及所有侧表面。需先说明的是，在现有的技术手段中，会以紫光或者蓝光激发不同本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光二极管封装结构，其特征在于，所述发光二极管封装结构包括：一基板，其具有一固晶区域；以及一发光单元阵列，其设置于所述固晶区域，其中，所述发光单元阵列包括用以产生第一光束的多个非二次激发的第一发光单元以及用以产生第二光束的多个非二次激发的第二发光单元，多个所述第一发光单元所产生的第一光束与多个所述第二发光单元所产生的第二光束相互混光，以产生白光；其中，每一所述第一发光单元包括一第一发光芯片以及覆盖所述第一发光芯片的一第一波长转换层，每一所述第二发光单元包括一第二发光芯片以及覆盖所述第二发光芯片的一第二波长转换层，所述第一光束至少包含通过激发所述第一波长转换层而产生的一第一受激发光，所述第二光束至少包含通过激发所述第二波长转换层而产生的一第二受激发光，所述第一受激发光的峰值波长与所述第二受激发光的峰值波长之间的差值至少30nm。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管封装结构，其特征在于，所述发光二极管封装结构包括：一基板，其具有一固晶区域；以及一发光单元阵列，其设置于所述固晶区域，其中，所述发光单元阵列包括用以产生第一光束的多个非二次激发的第一发光单元以及用以产生第二光束的多个非二次激发的第二发光单元，多个所述第一发光单元所产生的第一光束与多个所述第二发光单元所产生的第二光束相互混光，以产生白光；其中，每一所述第一发光单元包括一第一发光芯片以及覆盖所述第一发光芯片的一第一波长转换层，每一所述第二发光单元包括一第二发光芯片以及覆盖所述第二发光芯片的一第二波长转换层，所述第一光束至少包含通过激发所述第一波长转换层而产生的一第一受激发光，所述第二光束至少包含通过激发所述第二波长转换层而产生的一第二受激发光，所述第一受激发光的峰值波长与所述第二受激发光的峰值波长之间的差值至少30nm。2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述第一受激发光的峰值波长介于580nm至675nm，所述第二受激发光的峰值波长介于520nm至565nm。3.如权利要求2所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述第一发光单元的数量与所述第二发光单元的数量之间的比值是介于0.5至1之间，以使所述白光的显色指数为80。4.如权利要求2所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述第一发光芯片与所述第二发光芯片都用以产生一激发光，所述激发光为蓝光或者紫光，其中，所述第一波长转换层为红色荧光粉层或者橙色荧光粉层，所述第二波长转换层为绿色荧光粉层，所述激发光对所述第二波长转换层的透射率是介于0％至16％。5.如权利要求2所述的发光二极管封装结构，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：张景琼，林宗杰，
申请(专利权)人：开发晶照明厦门有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35