The present disclosure relates to the prevention of ESD during the manufacturing process of semiconductor chips. According to the principles of the present disclosure as explained herein, the selected lead is electrically connected to the lead frame through a metal strip until the end of the manufacturing process. The lead frame is grounded through the manufacturing process to prevent damage to the protected lead caused by any ESD event. In the final segmentation step, the lead wires are electrically isolated from each other and from the lead frame, thus maintaining protection against potential ESD events until the final encapsulation of the segmentation step.
【技术实现步骤摘要】
在半导体芯片制造过程期间防止ESD
本公开涉及保护半导体芯片在制造期间免受ESD事件,以及具体地,维持电引线连接到引线框架,直到最后的分割步骤。
技术介绍
半导体芯片容易受到静电放电的损害。静电放电可以发生在处理半导体芯片期间的各种时间,在芯片的制造期间以及在芯片的制造之后。在制造过程期间,半导体芯片被连接到引线框架。引线框架包含大量半导体芯片的阵列。引线框架在整个制造过程期间保持为单件阵列,并且在制造过程结束时被分割成单独的封装芯片。在制造过程中保护每条引线和ESD事件非常重要,直到最后的分割发生以及芯片被封装,准备销售。
技术实现思路
根据如本文所解释的本公开的原理,选择的引线通过金属条带被电连接到引线框架,直到制造过程结束。引线框架通过在制造过程中接地,来防止任何ESD事件对受保护的引线造成损坏。在最后的分割步骤中,引线彼此电隔离并与引线框架电隔离,从而维持保护免受潜在的ESD事件,直到最后的封装分割步骤。根据本文公开的方法,测试被执行以确定哪些引线在制造过程期间对ESD事件敏感。通常,这可能是每个裸片有三到六个(对ESD事件敏感的)引线,而裸片本身有50到100个引线。在测试之后,引线框架金属化物被修改以提供从引线框架到易受ESD事件影响的那些引线的金属化接触。之后,引线框架被修改以将引线框架的金属连接直接添加到易受ESD事件影响的那些引线。这确保了这些引线在整个制造过程期间保持接地。在制造过程结束时,芯片通过锯切引线框架中的每个芯片来分割。锯切过程去除了每个引线到引线框架的电连接,并且因此将每个引线彼此电隔离以及与引线框架本身电隔离。在制造过程期间将 ...
【技术保护点】
1.一种制造连接到引线框架阵列的半导体裸片封装的方法,包括:将半导体裸片附接到所述引线框架阵列的第一侧;将导电线的第一端连接到所述裸片,并将第二端连接到所述引线框架的所述引线的第一侧;将所述半导体裸片和所述引线的所述第一侧封装在模塑化合物中,每条引线均具有在所述模塑化合物之外的第二侧,并且所述引线的每个所述第二侧均被电连接到将所有引线彼此电连接的所述引线框架;仅移除所述引线框架的一部分以将第一组引线与所有其他引线电隔离,而不移除用于第二组引线的引线框架总线连接,所述引线框架总线连接使所述第二组引线的每个引线均电连接到所述引线框架总线并使所述第二组引线的每个引线彼此电连接;使所述引线框架阵列通过静电荷环境;将所述引线框架保持在电接地电位,以在所述静电充电事件期间提供从所述引线框架到地的电流路径;以及从所述引线框架阵列切割所述半导体裸片封装,所述切割包括去除每个引线到所述引线框架总线的所有电连接,并且将每个所述引线与所述半导体裸片封装的所有其他引线电隔离。
【技术特征摘要】
2017.06.28 US 15/636,5331.一种制造连接到引线框架阵列的半导体裸片封装的方法,包括:将半导体裸片附接到所述引线框架阵列的第一侧;将导电线的第一端连接到所述裸片,并将第二端连接到所述引线框架的所述引线的第一侧;将所述半导体裸片和所述引线的所述第一侧封装在模塑化合物中,每条引线均具有在所述模塑化合物之外的第二侧,并且所述引线的每个所述第二侧均被电连接到将所有引线彼此电连接的所述引线框架;仅移除所述引线框架的一部分以将第一组引线与所有其他引线电隔离,而不移除用于第二组引线的引线框架总线连接,所述引线框架总线连接使所述第二组引线的每个引线均电连接到所述引线框架总线并使所述第二组引线的每个引线彼此电连接;使所述引线框架阵列通过静电荷环境;将所述引线框架保持在电接地电位,以在所述静电充电事件期间提供从所述引线框架到地的电流路径;以及从所述引线框架阵列切割所述半导体裸片封装,所述切割包括去除每个引线到所述引线框架总线的所有电连接,并且将每个所述引线与所述半导体裸片封装的所有其他引线电隔离。2.根据权利要求1所述的方法,其中所述切割步骤包括:使用机械锯从所述引线框架阵列锯切所述半导体裸片封装。3.根据权利要求1所述的方法,进一步包括以下步骤:在测试序列期间使所述引线框架经受多个静电放电事件;检查所述引线框架的所述引线以确定在所述测试序列的所述静电放电事件期间哪些引线被损坏;以及修改所述引线框架以提供从所述引线框架到在所述测试序列期间由于静电放电事件而受到损害的引线的直接电连接和机械连接。4.根据权利要求3所述的方法,其中在所述测试序列期间连接到所述引线框架的所述裸片是虚设裸片。5.根据权利要求3所述的方法,其中在所述测试序列期间连接到所述引线框架的所述裸片是完全可操作的裸片,所述完全可操作的裸片被匹配以用于特定的引线框架阵列。6.根据权利要求1所述的方法,其中所述静电荷环境是清洗完全封装的所述裸片的水射流清洗站。7.根据权利要求1所述的方法,其中所述引线框架由第一金属制成。8.根据权利要求7的方法,进一步包括以下步骤:利用第二金属以覆盖层涂覆所述引线框架的所述第二侧,所述第二金属不同于所述第一金属;选择在期望将引线与所述引线框架和每个其他引线电隔离的位置处去除所述覆盖层;将涂覆层保留在每个独立的引线上,并且还将所述涂覆层保留在不位于一个引线上的位置中,所述一个引线位于连接所述一个引线与所述引线框架总线的所述第二组引线内。9.一种制造连接到引线框架阵列的半导体裸片封装的方法,包括:将第一操作半导体裸片附接到第一引线框架阵列的第一侧;将导电线的第一端连接到所述第一裸片,并将第二端连接到所述第一引线框架阵列的所述引线的第一侧;将所述第一操作半导体裸片和所述引线的所述第一侧封装在模塑化合物中,每条引线均具有在所述模塑化合物之外的第二侧,并且所述引线的每个所述第二侧均被电连接到将所有引线彼此电连接的所述引线框架阵列;使所述引线框架阵列通过静电荷环境;去除所述引线框架的一部分以将所有引线彼此电隔离并与所述引线框架电隔离;检查所述引线框架阵列以定位在所述引线框架阵列通过静电荷环境的步骤期间由于E...
【专利技术属性】
技术研发人员:F·R·戈麦斯,T·曼高昂,J·塔利多,
申请(专利权)人:意法半导体公司,
类型:发明
国别省市:菲律宾,PH
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