The invention discloses a substrate drying device, a device for manufacturing semiconductor devices and a method for drying a substrate. The substrate drying device comprises a chamber configured to dry the substrate at a first temperature; a first memory configured to store the first supercritical fluid at a second temperature less than the first temperature; a second memory configured to store the second supercritical fluid at a third temperature greater than the first temperature; and a supply unit connected to the chamber and the first memory. Between and/or between the second memory. The supply unit is configured to supply the first supercritical fluid and the second supercritical fluid to the chamber.
【技术实现步骤摘要】
基板干燥装置、制造半导体器件的设备及干燥基板的方法
本专利技术构思涉及基板处理,更具体地,涉及基板干燥装置、制造半导体器件的设备和/或干燥基板的方法。
技术介绍
半导体器件通过各种工艺被制造,该各种工艺包括用于在诸如硅晶片等的基板上形成电路图案的光刻工艺。当制造半导体器件时,产生诸如颗粒、有机污染物和/或金属杂质的各种异物。这些异物可以导致基板缺陷而直接对半导体器件的产量造成不良影响。因此,在半导体制造工艺中会涉及用于去除异物的清洁工艺。通常,在典型的清洁工艺中,留在基板上的异物使用去污剂被去除,然后基板使用去离子水(DI水)被冲洗并使用异丙醇(IPA)干燥。然而,在具有精细电路图案的半导体基板的情况下,干燥工艺可能具有低效率。此外,因为在干燥工艺期间经常发生电路图案的损坏,即图案倒塌,所以干燥工艺不适合于具有小于约30nm的线宽的半导体器件。因此,为了解决上述限制,关于使用超临界流体干燥基板的技术已经有了积极的研究。
技术实现思路
本专利技术构思的一些实施方式提供了用于减少基板干燥时间的基板干燥装置。本专利技术构思的一些实施方式提供了用于减少颗粒产生的基板干燥装置。本专利技术构思的目的不限于上述那些,并且本领域技术人员将由前面的描述以及附图明显地理解以上未提及的其它效果。根据本专利技术构思的一些实施方式,一种基板干燥装置可以包括:腔室,其被配置为以第一温度干燥基板;第一贮存器,其被配置为储存具有小于第一温度的第二温度的第一超临界流体;第二贮存器,其被配置为储存具有大于第一温度的第三温度的第二超临界流体;以及供应单元,其连接在腔室与第一贮存器和/或第二贮存器之 ...
【技术保护点】
1.一种基板干燥装置,包括:腔室,其被配置为以第一温度干燥基板;第一贮存器,其被配置为储存具有小于所述第一温度的第二温度的第一超临界流体;第二贮存器,其被配置为储存具有大于所述第一温度的第三温度的第二超临界流体;以及供应单元,其连接在所述腔室与所述第一贮存器和/或所述第二贮存器之间,其中所述供应单元被配置为将所述第一超临界流体和/或所述第二超临界流体供应到所述腔室中。
【技术特征摘要】
2017.06.15 KR 10-2017-0076030;2017.10.23 KR 10-2011.一种基板干燥装置,包括:腔室,其被配置为以第一温度干燥基板;第一贮存器,其被配置为储存具有小于所述第一温度的第二温度的第一超临界流体;第二贮存器,其被配置为储存具有大于所述第一温度的第三温度的第二超临界流体;以及供应单元,其连接在所述腔室与所述第一贮存器和/或所述第二贮存器之间,其中所述供应单元被配置为将所述第一超临界流体和/或所述第二超临界流体供应到所述腔室中。2.根据权利要求1所述的装置,其中所述供应单元被配置为顺序地供应所述第一超临界流体和所述第二超临界流体以增大所述腔室中的压力。3.根据权利要求2所述的装置,其中,当所述腔室的所述压力达到所述第一超临界流体的临界点时,所述供应单元配置为向所述腔室提供所述第二超临界流体。4.根据权利要求3所述的装置,其中,当所述第二温度为31.1℃时,所述临界点为72巴。5.根据权利要求1所述的装置,其中所述第一温度在40℃到80℃之间的范围内。6.根据权利要求5所述的装置,还包括:第三贮存器,其被配置为以所述第一温度储存第三超临界流体。7.根据权利要求6所述的装置,其中,当所述第二超临界流体达到与饱和持续时间相关联的压力时,所述供应单元向所述腔室提供所述第三超临界流体。8.根据权利要求7所述的装置,其中与所述饱和持续时间相关联的所述压力为150巴。9.根据权利要求1所述的装置,其中所述供应单元包括:供应管线,其将所述腔室连接到所述第一贮存器和/或所述第二贮存器;阀,其与所述供应管线中的相应供应管线接合并且控制所述第一超临界流体和/或所述第二超临界流体的相应供应;以及过滤器,其与所述供应管线中的相应供应管线接合,其中所述过滤器被配置为过滤所述第一超临界流体和/或所述第二超临界流体中的污染...
【专利技术属性】
技术研发人员:赵庸真,金伶厚,郑志薰,金荣俊,李根泽,
申请(专利权)人:三星电子株式会社,
类型:发明
国别省市:韩国,KR
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