一种热激活延迟材料及包含其的有机光电装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种热激活延迟材料及包含其的有机光电装置，所述热激活延迟材料为具有式(I)结构的化合物。所述有机光电装置包括阳极、阴极以及位于阳极和阴极之间的有机薄膜层，所述有机薄膜层包括发光层，以及空穴传输层、空穴注入层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层中的任意1种或至少2种的组合，所述发光层包括所述热激活延迟材料中的任意1种或至少2种的组合，且所述化合物用作掺杂材料、共同掺杂材料或主体材料中的任意1种。本发明专利技术提供的热激活延迟材料的ΔEst≤0.30eV，甚至ΔEst≤0.15eV，提高了有机光电装置的发光效率。

A Thermal Activation Delay Material and an Organic Photoelectric Device Containing it

The invention relates to a thermal activation delay material and an organic photoelectric device comprising the thermal activation delay material, which is a compound with formula (I) structure. The organic photoelectric device comprises an anode, a cathode and an organic thin film layer between the anode and the cathode. The organic thin film layer comprises a light emitting layer, and any combination of one or at least two kinds of the hole transport layer, the hole injection layer, the electron barrier layer, the hole barrier layer, the electron transport layer and the electron injection layer. The light emitting layer includes any of the thermal activation delay materials. Meaning 1 or at least 2 combinations, and the compound is used as any one of the doping materials, co-doping materials or main materials. The thermal activation delay material Est < 0.30eV, or even Est < 0.15eV, provided by the invention improves the luminous efficiency of the organic photoelectric device.

【技术实现步骤摘要】
一种热激活延迟材料及包含其的有机光电装置
本专利技术涉及有机电致发光材料
，尤其涉及一种热激活延迟材料及包含其的有机光电装置。
技术介绍
根据发光机制，可用于OLED发光层的材料主要有以下四种：荧光材料、磷光材料、三线态-三线态湮灭(TTA)材料和热活化延迟荧光(TADF)材料。其中，荧光材料的理论最大内量子产率不超过25％，TTA材料的理论最大内量子产率不超过62.5％；磷光材料、TADF材料的理论最大内量子产率均可达100％。然而，磷光材料基本为Ir、Pt、Os、Re、Ru等重金属配合物，生产成本较高，不利于大规模生产；且在高电流密度下，磷光材料存在严重的效率滚降现象；此外，磷光器件的稳定性也并不好。TADF材料可同时利用75％的三线态激子和25％的单线态激子，理论最大量子产率可达100％，其发光效率可以和磷光材料相媲美，TADF材料主要为有机化合物，不需要稀有金属元素，生产成本低，并且可通过多种方法进行化学修饰，是一种非常具有应用前景的新型有机电致发光材料。但目前已发现的TADF材料较少，性能也有待提高，新型的可用于OLED器件的TADF材料亟待开发。因此，更多种类、更高性能的TADF材料亟待开发。
技术实现思路
为了开发更多种类、更高性能的TADF材料，本专利技术的目的之一在于提供一种热激活延迟材料，所述热激活延迟材料为具有式(I)结构的化合物：式(I)中，X为硼原子或氮原子。式(I)中，D1、D2均各自独立地选自如下基团中的任意1个：其中，R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9均各自独立的选自取代或未取代的C1～C20烷基、取代或未取代的C3～C20环烷基、取代或未取代的C1～C20烷氧基、取代或未取代的C3～C20杂环基、取代或未取代的C6～C40芳基、取代或未取代的C5～C40杂芳基中的任意1种。m1和m2均各自独立地选自0～4的整数，例如1、2、3等；在同一个基团中，m1和m2之和小于等于4，例如1、2、3等。式(I)中，R1和R2均各自独立地选自取代或未取代的C1～C20烷基、取代或未取代的C3～C20环烷基、取代或未取代的C1～C20烷氧基、取代或未取代的C3～C20杂环基、取代或未取代的C6～C40芳基、取代或未取代的C5～C40杂芳基中的任意1种。式(I)中，n1和n2均各自独立地选自0～4的整数，例如1、2、3等，且n1和n2之和小于等于4，例如1、2、3等。式(I)中，n3和n4均各自独立地选自≥0的整数，例如1、2、3、5、7、9、11、15、18等。式(I)中，L1和L2均各自独立地选自取代或未取代的芳香基团中的任意1种；所述L1和L2中芳香基团上的取代基的个数记为m3。本专利技术的目的之二在于提供一种有机光电装置，所述有机光电装置包括阳极、阴极以及位于阳极和阴极之间的至少1层有机薄膜层，所述有机薄膜层包括发光层，以及空穴传输层、空穴注入层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层中的任意1种或至少2种的组合。所述发光层包括目的之一所述热激活延迟材料中的任意1种或至少2种的组合，且所述化合物用作掺杂材料、共同掺杂材料或主体材料中的任意1种。与现有技术相比，本专利技术具有如下有益效果：本专利技术提供的热激活延迟材料以含硼化合物基团为吸电子基团，配合吖啶类结构的基团作为供电子基团，使得吸电子基团和供电子基团的电子云具有合适的重叠程度，能够使所述热激活延迟材料最低单重态S1与最低三重态T1态之间的能极差ΔEst＝ES1-ET1≤0.30eV，甚至ΔEst＝ES1-ET1≤0.15eV，具备TADF材料发光机制，可以用于有机光电装置领域，提高发光效率。附图说明图1是本专利技术提供的有机光电装置的结构示意图。图2是本专利技术实施例中提供的有机光电装置的结构图。具体实施方式为便于理解本专利技术，本专利技术列举实施例如下。本领域技术人员应该明了，所述实施例仅仅是帮助理解本专利技术，不应视为对本专利技术的具体限制。本专利技术目的之一在于提供一种热激活延迟材料，其特征在于，所述热激活延迟材料为具有式(I)结构的化合物：式(I)中，X为硼原子或氮原子。式(I)中，D1、D2均各自独立地选自如下基团中的任意1个：其中，R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9均各自独立的选自取代或未取代的C1～C20烷基、取代或未取代的C3～C20环烷基、取代或未取代的C1～C20烷氧基、取代或未取代的C3～C20杂环基、取代或未取代的C6～C40芳基、取代或未取代的C5～C40杂芳基中的任意1种。本专利技术提供的热激活延迟材料以含硼化合物基团为吸电子基团，配合吖啶类结构的基团作为供电子基团，使得吸电子基团和供电子基团的电子云具有合适的重叠程度，能够使所述热激活延迟材料最低单重态S1与最低三重态T1态之间的能极差ΔEst＝ES1-ET1≤0.30eV，甚至ΔEst＝ES1-ET1≤0.15eV。m1和m2均各自独立地选自0～4的整数，例如1、2、3等；在同一个基团中，m1和m2之和小于等于4，例如1、2、3等。式(I)中，R1和R2均各自独立地选自取代或未取代的C1～C20烷基、取代或未取代的C3～C20环烷基、取代或未取代的C1～C20烷氧基、取代或未取代的C3～C20杂环基、取代或未取代的C6～C40芳基、取代或未取代的C5～C40杂芳基中的任意1种。式(I)中，n1和n2均各自独立地选自0～4的整数，例如1、2、3等，且n1和n2之和小于等于4，例如1、2、3等。式(I)中，n3和n4均各自独立地选自≥0的整数，例如1、2、3、5、7、9、11、15、18等。式(I)中，L1和L2均各自独立地选自取代或未取代的芳香基团中的任意1种；所述L1和L2中芳香基团上的取代基的个数记为m3。ΔEst与HOMO和LUMO的重叠程度呈正相关，通过引入电子给体单元D和电子受体单元A以及大空间位阻的构建单元L来降低HOMO和LUMO之间的重叠程度，从而降低ΔEst1。在一个实施方式中，n1、n2、m1、m2、m3之和小于等于4，例如3、2、1、0等。在一个实施方式中，n1、n2、m1、m2之和为0或1。在一个实施方式中，n1、n2、m1、m2、m3之和小于等于3，例如2、1、0等。在一个实施方式中，m1＝0或者m2等于0或者R1、R2、R3或R4均各自独立的选自甲基、乙基、苯基、甲苯基中的任意1种。在一个实施方式中，R5、R6、R7、R8、R9均各自独立的选自甲基、乙基、苯基、甲苯基中的任意1种。在一个实施方式中，式(I)中，L1基团的接入位为对位或间位。在一个实施方式中，式(I)中，D1-L1-基团和D2-L2-基团相同。D1-L1-基团和D2-L2-基团相同时，首先，合成步骤减少，合成便利；其次，当两者相同时，供电子能力增强，整个分子的HOMO能级上移，使得分子的能隙减小，从而利于材料往深蓝发射。在一个实施方式中，式(I)中，n1和n2均为0，且D1-L1-基团和D2-L2-基团相同。在一个实施方式中，L1和L2均各自独立地选自如下基团中的任意1种，或被取代基取代的如下基团的任意1种：在一个实施方式中，L1和L2均各自独立地选自如下基团中的任意1种，或被取代基取代的如下基团的任意1种：在一个实施方式中，所述热激活延迟材料最低单重态S1与最低三重本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种热激活延迟材料，其特征在于，所述热激活延迟材料为具有式(I)结构的化合物：

【技术特征摘要】
1.一种热激活延迟材料，其特征在于，所述热激活延迟材料为具有式(I)结构的化合物：式(I)中，X为硼原子或氮原子；式(I)中，D1、D2均各自独立地选自如下基团中的任意1个：其中，R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9均各自独立的选自取代或未取代的C1～C20烷基、取代或未取代的C3～C20环烷基、取代或未取代的C1～C20烷氧基、取代或未取代的C3～C20杂环基、取代或未取代的C6～C40芳基、取代或未取代的C5～C40杂芳基中的任意1种；m1和m2均各自独立地选自0～4的整数；在同一个基团中，m1和m2之和小于等于4；式(I)中，R1和R2均各自独立地选自取代或未取代的C1～C20烷基、取代或未取代的C3～C20环烷基、取代或未取代的C1～C20烷氧基、取代或未取代的C3～C20杂环基、取代或未取代的C6～C40芳基、取代或未取代的C5～C40杂芳基中的任意1种；式(I)中，n1和n2均各自独立地选自0～4的整数，且n1和n2之和小于等于4；式(I)中，n3和n4均各自独立地选自≥0的整数；式(I)中，L1和L2均各自独立地选自取代或未取代的芳香基团中的任意1种；所述L1和L2中芳香基团上的取代基的个数记为m3。2.如权利要求1所述的热激活延迟材料，其特征在于，n1、n2、m1、m2、m3之和小于等于4。3.如权利要求1所述的热激活延迟材料，其特征在于，n1、n2、m1、m2之和为0或1。4.如权利要求1所述的热激活延迟材料，其特征在于，n1、n2、m1、m2、m3之和小于等于3。5.如权利要求1所述的热激活延迟材料，其特征在于，m1＝0或者m2等于0或者R1、R2、R3或R4均各自独立的选自甲基、乙基、苯基、甲苯基中的任意1种。6.如权利要求1所述的热激活延迟材料，其特征在于，R5、R6、R7、R8、R9均各自独立的选自甲基、乙基、苯基、甲苯基中的任意1种。7.如权利要求1所述的热激活延迟材料，其特征在于，式(I)中，L1基团的接入位为对位或间位。8.如权利要求1所述的热激活延迟材料，其特征在于，式(I)中，D1-L1-基团和D2-L2-基团相同。9.如权利要求1所述的热激活延迟材料，其特征在于，式(I)中，n1和n2均为0，且D1-L1-基团和D2-L2-基团相同。10.如权利要求1所述的热激活延迟材料，其特征在于，L1和L2均各自独立地选自如下基团中的任意1种，或被取代基取代的如下基团的任意1种：11.如权利要求1所述的热激活延迟材料，其特征在于，L1和L2均各自独立地选自如下基团中的任意1种，或被取代基取代的如下基团的任意1种：12.如权利要求1所述的热激活延迟材料，其特征在于，所述热激活延迟材料最低单重态S1与最低三重态T1态之间的能极差ΔEst＝ES1-ET1≤0.30eV。13.如权利要求1所述的热激活延迟材料，其特征在于，所述热激活延迟材料ΔEst≤0.15eV。14.如权利要求1所述的热激活延迟材料，其特征在于，所述热激活延迟材料包括如下化合物中的任意1种或至少2种的组合：15.如权利要求1所述的热激活延迟材料，其特征在于，所述热激活延迟材料包括如下化合物中的任意1种或至少2种的组合：16.如权利要求1所述的热激活延迟材料，其特征在于，所述热激活延迟材料包括如下化合物中的任意1种或至少2种的组合：17.一种有机光电装置，其特征在于，所述有机光电装置包括阳极、阴极以及位于阳极和阴极之间的至少1层有机薄膜层，所述有机薄膜层包括发光层，以及空穴传输层、空穴注入层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注...

【专利技术属性】
技术研发人员：张磊，高威，朱晴，牛晶华，黄高军，
申请(专利权)人：上海天马有机发光显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31