一种集成芯片驱动LED扩流电路制造技术

本实用新型专利技术涉及一种集成芯片驱动LED扩流电路，其包括LED灯组、驱动芯片以及连接在LED灯组和驱动芯片之间的扩流单元，该扩流单元2用以实现小驱动电流的驱动芯片对大电流的LED灯的控制。本实用新型专利技术可以通过调节调节电阻R3的阻止实现对LED灯对地电流的调节，从而控制LED灯的亮度，使得在增加比较小的成本的基础上，LED能够工作在额定功率上，发出最大的亮度。

An Integrated Chip Driven LED Dilator Circuit

The utility model relates to an integrated chip-driven LED diffuser circuit, which comprises an LED lamp set, a driving chip and a diffuser unit connected between the LED lamp set and the driving chip. The diffuser unit 2 is used to realize the control of a small driving current driving chip for a large current LED lamp. The utility model can adjust the earth current of the LED lamp by adjusting the resistance R3, thereby controlling the brightness of the LED lamp, so that the LED can work on the rated power and emit the maximum brightness on the basis of increasing the relatively small cost.

【技术实现步骤摘要】
一种集成芯片驱动LED扩流电路
本技术涉及LED照明领域，具体涉及一种集成芯片驱动LED扩流电路。
技术介绍
目前市场上电池供电的LED主要是拥有多种多样的亮灯模式,烘托气氛的功能，而LED的驱动芯片一般是通过电阻直接连接到LED上来实现对LED的驱动的，出于成本的考虑，一般会采用驱动电流较小的驱动芯片来驱动LED，但驱动芯片的驱动电流小，就会导致LED没有足够的亮度,不能进入sos模式，无法做到求救的功能。若要提高LED灯的亮度则需要采用驱动电流更大的驱动芯片，这又会增加成本。有鉴于此，本专利技术人针对上述LED驱动电路中存在的问题，而深入构思，进而开发出本技术。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种集成芯片驱动LED扩流电路，其能够在保证LED亮度的情况下实现小驱动电流的驱动芯片驱动大电流的LED。为实现上述目的，本技术采用的技术方案是：一种集成芯片驱动LED扩流电路，其包括LED灯灯组和驱动芯片U1，所述LED灯组包括至少一LED灯，每一LED灯通过扩流单元与驱动芯片U1的一驱动端口OUT连接；所述扩流单元包括三极管Q1、PMOS管M1、电阻R1、电阻R2和电阻R3，三极管Q1的基极通过电阻R3连接LED灯的阴极，而LED灯的阳极连接电源VDD；三极管Q1的发射极连接LED灯的阴极，同时，发射极还通过电阻R1连接驱动芯片U1的一个驱动端口OUT，三极管Q1的集电极则通过电阻R2连接驱动芯片U1的驱动端口OUT；PMOS管M1的栅极连接三极管Q1的集电极，PMOS管M1的源极连接三极管Q1的基极，PMOS管M1的漏极则接地。采用上述方案后，本技术可以通过调节调节电阻R3的阻止实现对LED灯对地电流的调节，从而控制LED灯的亮度，使得在增加比较小的成本的基础上，LED能够工作在额定功率上，发出最大的亮度，以便LED灯能够进入sos模式，实现求救功能。附图说明图1为本技术实施例一电路原理图；图2为本技术实施例二电路原理图。具体实施方式本技术揭示了一种集成芯片驱动LED扩流电路，其包括LED灯组1、驱动芯片以及连接在LED灯组1和驱动芯片之间的扩流单元2，该扩流单元2用以实现小驱动电流的驱动芯片对大电流的LED灯的控制。为详尽本技术的
技术实现思路
，以下将例举实施例一和实施例二进行详述。图1所示为本技术实施例一电路原理图，如图1所示，该实施例中，集成芯片驱动LED扩流电路包括一LED灯D1、一驱动芯片U1和连接在LED灯以及驱动芯片之间的扩流单元2，其中，扩流单元2包括三极管Q1、PMOS管M1、电阻R1、电阻R2和电阻R3，三极管Q1的基极通过电阻R3连接LED灯的阴极，而LED灯的阳极连接电源VDD；三极管Q1的发射极一方面连接LED灯的阴极，另一方面通过电阻R1连接驱动芯片U1的一个驱动端口OUT，三极管Q1的集电极则通过电阻R2连接驱动芯片U1的驱动端口OUT；PMOS管M1的栅极连接三极管Q1的集电极，PMOS管M1的源极连接三极管Q1的基极，PMOS管M1的漏极则接地。该实施例中的驱动芯片U1的驱动端口OUT的最大工作电流为40mA，而LED灯的额定工作电流要远大于40mA。本实施例的扩流电路的工作原理为：驱动芯片U1的驱动端口OUT初始状态为高阻态,PMOS管M1的栅极为高,源极与漏极不导通。当驱动芯片U1的驱动端口OUT为低时,PMOS管M1的栅极为低,其源极与漏极导通,使LED灯工作。同时，三极管Q1的基极为低，集电极和发射极导通，经过驱动芯片U1的驱动端口OUT的电流需经过电阻获得较小的电流，从而实现小电流控制大电流。通过调节电阻R3的阻值,调节VDD对GND的阻抗,调节端口OUT对应的大电流,从而调节固定的PWM级数时对应LED亮度。再通过控制PWM级数，调节LED亮暗的占空比，从而控制灯的亮度，使LED灯能工作在额定功率上，发出最大的亮度。图2为本技术实施例二的电路原理图，如图2所示，集成芯片驱动LED扩流电路包括一LED灯组1、一驱动芯片U1以及连接在LED灯组1和驱动芯片U1之间的扩流单元，LED灯组中设有三个LED灯，三个LED灯即第一LED灯D11、第二LED灯的D12、第三LED灯D13，分别经由第一扩流单元21、第二扩流单元22、第三扩流单元23连接至驱动芯片U1。其中，第一扩流单元21包括三极管Q11、PMOS管M11、电阻R11、电阻R21和电阻R31，三极管Q11的基极通过电阻R31连接第一LED灯D11的阴极，而第一LED灯D11的阳极连接电源VDD；三极管Q11的发射极一方面连接第一LED灯D11的阴极，另一方面通过电阻R11连接驱动芯片U1的驱动端口OUT1，三极管Q11的集电极则通过电阻R21连接驱动芯片U1的驱动端口OUT1；PMOS管M1的栅极连接三极管Q1的集电极，PMOS管M1的源极连接三极管Q1的基极，PMOS管M1的漏极则接地。第二扩流单元22包括三极管Q12、PMOS管M12、电阻R12、电阻R22和电阻R32，三极管Q12的基极通过电阻R32连接第二LED灯D12的阴极，而第二LED灯D12的阳极连接电源VDD；三极管Q12的发射极一方面连接第二LED灯D12的阴极，另一方面通过电阻R12连接驱动芯片U1的驱动端口OUT2，三极管Q1的集电极则通过电阻R22连接驱动芯片U1的驱动端口OUT2；PMOS管M12的栅极连接三极管Q12的集电极，PMOS管M12的源极连接三极管Q12的基极，PMOS管M12的漏极则接地。第三扩流单元23包括三极管Q13、PMOS管M13、电阻R13、电阻R23和电阻R33，三极管Q13的基极通过电阻R33连接第三LED灯D13的阴极，而第三LED灯D13的阳极连接电源VDD；三极管Q13的发射极一方面连接第三LED灯D13的阴极，另一方面通过电阻R1连接驱动芯片U1的一个驱动端口OUT3，三极管Q13的集电极则通过电阻R23连接驱动芯片U1的驱动端口OUT3；PMOS管M13的栅极连接三极管Q13的集电极，PMOS管M13的源极连接三极管Q13的基极，PMOS管M13的漏极则接地。该实施例的扩流电路的工作原理为：驱动芯片U1的驱动端口OUT初始状态为高阻态,PMOS管M11、M12、M13的栅极为高,其源极与漏极不导通。当驱动芯片U1的驱动端口OU1、OUT2、OUT3为低时,PMOS管M11、M12、M13的栅极为低,源极与D漏极导通,使LED灯组工作。同时，三极管Q11、Q12、Q13的基极为低，集电极和发射极导通，经过驱动端口OUT1、OUT2、OUT3的电流需经过电阻获得较小的电流，从而实现小电流控制大电流。调节R61,R60,R62的阻值,调节VDD对GND的阻抗,调节端口OUT对应的大电流,从而调节固定的PWM级数时对应LED亮度。通过控制PWM级数，调节LED亮暗的占空比，从而控制灯的亮度，使LED灯组能工作在额定功率上，发出最大的亮度。以上所述，仅是本技术实施例而已，并非对本技术的技术范围作任何限制，故凡是依据本技术的技术实质对以上实施例所作的任何细微修改、等同变化与修饰，均仍属于本技术技术方案的范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成芯片驱动LED扩流电路，其特征在于：包括LED灯灯组和驱动芯片U1，所述LED灯组包括至少一LED灯，每一LED灯通过扩流单元与驱动芯片U1的一驱动端口OUT连接；所述扩流单元包括三极管Q1、PMOS管M1、电阻R1、电阻R2和电阻R3，三极管Q1的基极通过电阻R3连接LED灯的阴极，而LED灯的阳极连接电源VDD；三极管Q1的发射极连接LED灯的阴极，同时，发射极还通过电阻R1连接驱动芯片U1的一个驱动端口OUT，三极管Q1的集电极则通过电阻R2连接驱动芯片U1的驱动端口OUT；PMOS管M1的栅极连接三极管Q1的集电极，PMOS管M1的源极连接三极管Q1的基极，PMOS管M1的漏极则接地。

【技术特征摘要】
1.一种集成芯片驱动LED扩流电路，其特征在于：包括LED灯灯组和驱动芯片U1，所述LED灯组包括至少一LED灯，每一LED灯通过扩流单元与驱动芯片U1的一驱动端口OUT连接；所述扩流单元包括三极管Q1、PMOS管M1、电阻R1、电阻R2和电阻R3，三极管Q1的基极通过电阻R3连接LED灯的阴极，而LED...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘文彬，石伟，
申请(专利权)人：厦门兴联集团有限公司，
类型：新型
国别省市：福建,35