半导体装置的制造方法制造方法及图纸

半导体装置的制造方法，包含：半导体晶片准备工序，准备在玻璃覆盖膜形成面上形成有台面沟槽120的半导体晶片W；以及玻璃覆盖膜形成工序，在使无铅玻璃微粒子悬浊在溶媒后的悬浊液12中，在将第一电极板14与第二电极板16以浸渍于悬浊液中的状态下对向设置的同时，在第一电极板与第二电极板之间以半导体晶片的玻璃覆盖膜形成面朝向第一电极板侧的状态下，通过电泳沉积法在玻璃覆盖膜形成面上形成玻璃覆盖膜124。

Manufacturing Method of Semiconductor Device

The manufacturing method of a semiconductor device includes: a semiconductor wafer preparation process, a semiconductor wafer W with a mesa groove 120 formed on the glass-covered film forming surface, and a glass-covered film formation process, in which the lead-free glass particles are suspended in the suspension 12 after the solvent, and the first electrode plate 14 and the second electrode plate 16 are set in opposite direction in a state of immersion in the suspension. At the same time, a glass coating 124 is formed on the glass covering surface of the semiconductor wafer between the first electrode plate and the second electrode plate by electrophoretic deposition when the glass covering surface of the semiconductor wafer is facing the side of the first electrode plate.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置的制造方法
本专利技术涉及半导体装置的制造方法。
技术介绍
以往，包含有在半导体晶片的表面形成玻璃覆盖膜的玻璃覆盖膜形成工序的半导体装置的制造方法已被普遍认知(例如，参照特开平8-64557号公报、特开2014-187144号公报、特开昭2005-243893号公报、特开昭57-143832号公报)。在该以往的半导体装置的制造方法中，是通过电泳沉积法(EPD：ElectrophoreticDeposition),使不含铅的无铅玻璃微粒子沉积于半导体晶片的台面(Mesa)沟槽中，然后，对该台面沟槽中沉积的无铅玻璃微粒子进行烧制使其玻璃化，从而形成半导体装置的钝化(Passivation)膜。特别是，在上述以往的半导体装置的制造方法中，在基于电泳沉积法进行的玻璃覆盖膜形成工序中，无铅玻璃微粒子同样会沉积于半导体晶片的台面沟槽的底部。通过这样，对无铅玻璃微粒子的沉积物进行烧制使其玻璃化后形成的钝化膜也同样会形成在台面沟槽的底部。因此，例如，为了将半导体晶片芯片化，在利用划片(Dicing)或激光等沿台面沟槽对半导体晶片进行切割时，就需要对半导体晶片上的硅(Silicon)和作为钝化膜的玻璃，即，对材质不同的多种材料进行切割。在对像这样的材质不同的多种材料进行切割时，会因不同材质的应力导致龟裂等的产生。作为防止该龟裂的对策，就必须减慢半导体晶片的切割速度、或是使用特殊的切割装置。另外，为了进行高效率的切割，也有一种方法是在曝光工序后，对台面沟槽中的玻璃选择性地进行蚀刻，并且使硅面露出。然而，上述任何一种对策均会导致工序的追加以及处理时间的增加，最终导致成本的增加。如上述般，以往的半导体装置的制造方法在基于电泳沉积法的玻璃覆盖膜形成工序中，存在于因半导体晶片切割时的龟裂导致无铅玻璃微粒子沉积于半导体晶片的台面沟槽底部的问题。因此，本专利技术的目的是提供一种半导体装置的制造方法，能够在对玻璃覆盖膜形成工序中使用的悬浊液的特性进行控制后，在台面沟槽的底部的至少一部分露出(台面沟槽的底部的至少一部分上不形成无铅玻璃微粒子沉积物的玻璃覆盖膜)的状态下，将无铅玻璃微粒子沉积物的玻璃覆盖膜高精度地形成在规定的厚度上，使其覆盖台面沟槽的开口端周围以及台面沟槽的侧壁。
技术实现思路
本专利技术的一种形态涉及的实施方式中的半导体装置的制造方法，包括：半导体晶片准备工序，准备在玻璃覆盖膜形成面上形成有台面沟槽的半导体晶片；以及玻璃覆盖膜形成工序，在使无铅玻璃微粒子悬浊在溶媒后的悬浊液中，在将第一电极板与第二电极板以浸渍于所述悬浊液中的状态下对向设置的同时，在所述第一电极板与所述第二电极板之间以所述半导体晶片的所述玻璃覆盖膜形成面朝向所述第一电极板侧的状态下，通过电泳沉积法在所述玻璃覆盖膜形成面上形成玻璃覆盖膜，其特征在于：其中，在所述玻璃覆盖膜形成工序中，是以所述台面沟槽的底部的至少一部分露出的状态下，将作为所述无铅玻璃微粒子沉积物的所述玻璃覆盖膜形成为覆盖所述台面沟槽的开口端周围以及所述台面沟槽的侧壁，在所述玻璃覆盖膜形成工序中所使用的所述悬浊液为：将含有所述无铅玻璃微粒子的所述溶媒的介电常数控制在第一范围后，在该溶媒中，添加含有有机溶剂与作为电解质的硝酸的混合液后，再将其电导率控制在第二范围后的悬浊液，所述溶媒的介电常数的所述第一范围为5～7，所述悬浊液的电导率的所述第二范围为20nS/cm～100nS/cm。在所述半导体装置的制造方法中，通过调整所述混合液，将所述悬浊液的所述电导率控制在所述第二范围。在所述半导体装置的制造方法中，在被添加至所述溶媒之前，所述混合液的电导率被控制在第三范围，所述混合液的电导率的所述第三范围为90μS/cm～130μS/cm。在所述半导体装置的制造方法中，所述有机溶剂为异丙醇(Isopropylalcohol)或醋酸乙酯(Ethylacetate)。在所述半导体装置的制造方法中，通过调整所述混合液中所述硝酸的配比，将所述混合液的所述电导率控制在所述第三范围。在所述半导体装置的制造方法中，所述溶媒为含有异丙醇与醋酸乙酯的混合溶媒。在所述半导体装置的制造方法中，通过调整所述混合液中所述醋酸乙酯的配比，将所述溶媒的介电常数控制在所述第一范围。在所述半导体装置的制造方法中，所述无铅玻璃微粒子中含有SiO2、Al2O3、CaO、MgO、ZnO、B2O3、以及BaO中的至少任意一种成分。在所述半导体装置的制造方法中，所述半导体晶片准备工序包括：准备在主面上具备平行pn结的半导体晶片的工序；通过从所述半导体晶片的一方的表面形成深度超过所述pn结的台面沟槽，从而在所述台面沟槽的内面形成所述pn结露出部的工序；以及在所述台面沟槽的内面形成基底绝缘膜并使其覆盖所述pn结露出部的工序。在所述半导体装置的制造方法中，所述悬浊液中不含有界面活性剂。在所述半导体装置的制造方法中，所述半导体晶片准备工序包括：在所述半导体晶片的表面形成所述台面沟槽的侧壁的pn结露出部的工序；以及所述半导体晶片的表面形成基底绝缘膜并使其覆盖所述pn结露出部的工序。在所述半导体装置的制造方法中，在所述玻璃覆盖膜形成工序中，将所述玻璃覆盖膜形成在所述台面沟槽的开口端周围以及所述台面沟槽的侧壁处的所述基底绝缘膜的表面上。在所述半导体装置的制造方法中，进一步包括：电极形成工序，在所述半导体晶片的所述一方的表面上的相邻的两个所述台面沟槽间形成阳电极的同时，在所述半导体晶片的另一方的表面上形成阴电极。玻璃覆盖膜形成工序所述玻璃覆盖膜经由所述基底绝缘膜覆盖所述pn结露出部。在所述半导体装置的制造方法中，进一步包括：半导体晶片切割工序，沿未形成有所述玻璃覆盖膜的所述台面沟槽的所述底部的中央近旁切割所述半导体晶片，从而将所述半导体晶片芯片化。专利技术效果本专利技术的一种形态所涉及的半导体装置的制造方法，包括：半导体晶片准备工序，准备在玻璃覆盖膜形成面上形成有台面沟槽的半导体晶片；以及玻璃覆盖膜形成工序，在使无铅玻璃微粒子悬浊在溶媒后的悬浊液中，在将第一电极板与第二电极板以浸渍于悬浊液中的状态下对向设置的同时，在第一电极板与第二电极板之间以半导体晶片的玻璃覆盖膜形成面朝向第一电极板侧的状态下，通过电泳沉积法在玻璃覆盖膜形成面上形成玻璃覆盖膜。并且，在玻璃覆盖膜形成工序中，是以台面沟槽的底部的至少一部分露出的状态下，将作为无铅玻璃微粒子沉积物的玻璃覆盖膜形成为覆盖台面沟槽的开口端周围以及台面沟槽的侧壁。而且，在玻璃覆盖膜形成工序中所使用的悬浊液为：将含有无铅玻璃微粒子的溶媒的介电常数控制在第一范围后，在该溶媒中，添加含有有机溶剂与作为电解质的硝酸的混合液后，再将其电导率控制在第二范围后的悬浊液。进一步地，溶媒的介电常数的第一范围为5～7。悬浊液的电导率的第二范围为20nS/cm～100nS/cm。通过这样，就能够在台面沟槽的底部的至少一部分露出的状态下，将无铅玻璃微粒子沉积物的玻璃覆盖膜高精度地形成在规定的厚度上，使其覆盖台面沟槽的开口端周围以及台面沟槽的侧壁。简单附图说明图1是第一实施方式所涉及的半导体装置的制造方法的工序展示图。图2是紧接着图1的第一实施方式所涉及的半导体装置的制造方法的工序展示图。图3是紧接着图2的第一实施方式所涉及的半导体装置的制造方法的工序本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置的制造方法，包括：半导体晶片准备工序，准备在玻璃覆盖膜形成面上形成有台面沟槽的半导体晶片；以及玻璃覆盖膜形成工序，在使无铅玻璃微粒子悬浊在溶媒后的悬浊液中，在将第一电极板与第二电极板以浸渍于所述悬浊液中的状态下对向设置的同时，在所述第一电极板与所述第二电极板之间以所述半导体晶片的所述玻璃覆盖膜形成面朝向所述第一电极板侧的状态下，通过电泳沉积法在所述玻璃覆盖膜形成面上形成玻璃覆盖膜，其特征在于：其中，在所述玻璃覆盖膜形成工序中，以所述台面沟槽的底部的至少一部分露出的状态下，将作为所述无铅玻璃微粒子沉积物的所述玻璃覆盖膜形成为覆盖所述台面沟槽的开口端周围以及所述台面沟槽的侧壁，在所述玻璃覆盖膜形成工序中所使用的所述悬浊液为：将含有所述无铅玻璃微粒子的所述溶媒的介电常数控制在第一范围后，在该溶媒中，添加含有有机溶剂与作为电解质的硝酸的混合液后，再将其电导率控制在第二范围后的悬浊液，所述溶媒的介电常数的所述第一范围为5～7，所述悬浊液的电导率的所述第二范围为20nS/cm～100nS/cm。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置的制造方法，包括：半导体晶片准备工序，准备在玻璃覆盖膜形成面上形成有台面沟槽的半导体晶片；以及玻璃覆盖膜形成工序，在使无铅玻璃微粒子悬浊在溶媒后的悬浊液中，在将第一电极板与第二电极板以浸渍于所述悬浊液中的状态下对向设置的同时，在所述第一电极板与所述第二电极板之间以所述半导体晶片的所述玻璃覆盖膜形成面朝向所述第一电极板侧的状态下，通过电泳沉积法在所述玻璃覆盖膜形成面上形成玻璃覆盖膜，其特征在于：其中，在所述玻璃覆盖膜形成工序中，以所述台面沟槽的底部的至少一部分露出的状态下，将作为所述无铅玻璃微粒子沉积物的所述玻璃覆盖膜形成为覆盖所述台面沟槽的开口端周围以及所述台面沟槽的侧壁，在所述玻璃覆盖膜形成工序中所使用的所述悬浊液为：将含有所述无铅玻璃微粒子的所述溶媒的介电常数控制在第一范围后，在该溶媒中，添加含有有机溶剂与作为电解质的硝酸的混合液后，再将其电导率控制在第二范围后的悬浊液，所述溶媒的介电常数的所述第一范围为5～7，所述悬浊液的电导率的所述第二范围为20nS/cm～100nS/cm。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：其中，通过调整所述混合液，将所述悬浊液的所述电导率控制在所述第二范围。3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：其中，在被添加至所述溶媒之前，所述混合液的电导率被控制在第三范围，所述混合液的电导率的所述第三范围为90μS/cm～130μS/cm。4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：其中，所述有机溶剂为异丙醇或醋酸乙酯。5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：其中，通过调整所述混合液中所述硝酸的配比，将所述混合液的所述电导率控制在所述第三范围。6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：其中，所述溶媒为含有异丙醇与醋酸乙酯的混合溶媒。7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：其中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：小笠原淳，伊东浩二，
申请(专利权)人：新电元工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP