发光装置及其制造方法制造方法及图纸

一种发光装置，具备：第1透光性支撑基体，具备第1透光性绝缘体和设置在所述第1透光性绝缘体的表面上的导电电路层；第2透光性支撑基体，具备第2透光性绝缘体，以所述第2透光性绝缘体的表面与所述导电电路层相对置的方式与所述第1透光性支撑基体之间隔开规定的间隙而配置；发光二极管，具有二极管主体和第1及第2电极，该第1及第2电极设置在所述二极管主体的一个面上，经由导电性凸起与所述导电电路层电连接，该发光二极管配置在所述第1透光性支撑基体与所述第2透光性支撑基体之间的间隙；以及第3透光性绝缘体，被埋入到所述第1透光性支撑基体与所述第2透光性支撑基体之间的空间。

Luminescent Device and Its Manufacturing Method

A luminescent device includes: a first transparent support matrix, a first transparent insulator and a conductive circuit layer on the surface of the first transparent insulator; a second transparent support matrix, a second transparent insulator, and an opening gauge between the first transparent support matrix and the surface of the second transparent insulator in a manner in which the surface of the second transparent insulator is relative to the conductive circuit layer. The first and second electrodes are arranged on one side of the main body of the diode and are electrically connected with the conductive circuit layer via a conductivity bump. The light-emitting diode is arranged in the gap between the first transparent support matrix and the second transparent support matrix; and the third transparent insulator. A space between the first transparent support matrix and the second transparent support matrix is embedded.

【技术实现步骤摘要】
发光装置及其制造方法本专利技术是本申请人于2013年12月2日提交的中国专利申请号为201480048553.2、专利技术名称为“发光装置及其制造方法”这一专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术的实施方式涉及发光装置及其制造方法。
技术介绍
使用发光二极管(LED)的发光装置，广泛地应用于室内用、室外用、固定设置用、移动用等的显示装置、显示用灯、各种开关类、信号装置、一般照明等光学装置。在使用LED的发光装置中，作为对于显示各种字符串、几何学图形或纹样等的显示装置和显示用灯等适合的装置，已知在2张透明基板间配置多个LED的透明发光装置。作为透明基板使用透明树脂制的柔性基板等，从而减少对显示装置或显示用灯等发光装置的安装面的制约，因此透明发光装置的便利性和利用可能性得以提高。透明发光装置例如具有如下的构造：在具有第1导电电路层的第1透明绝缘基板与具有第2导电电路层的第2透明绝缘基板之间配置多个LED芯片。多个LED芯片分别具有一对电极，这些电极分别与第1及第2导电电路层电连接。在通过将多个LED芯片隔开一定程度的间隔进行配置而形成的第1透明绝缘基板与第2透明绝缘基板之间的空间中，填充着由具有电绝缘性和弯曲性的透明树脂等构成的透明绝缘体。换言之，LED芯片配置在设置于透明绝缘体的贯通孔内。上述的透明发光装置中的LED芯片的电极与导电电路层的电连接，例如大多通过将第1透明绝缘基板、在贯通孔内配置有LED芯片的透明绝缘树脂片、以及第2透明绝缘基板的层积体进行热压接来进行。这种情况下，有时通过使热压接后的透明绝缘树脂片的厚度(透明绝缘体的厚度)比LED芯片的厚度更薄，将导电电路层压靠到LED芯片的电极而使其接触。LED芯片的电极和导电电路层有时也通过导电性粘接剂来粘接。此外，还提出了将固定着LED芯片的热熔粘接剂片用具有导电电路层的上下绝缘基板夹持而进行热压接，将LED芯片埋入到粘接剂片中，从而同时实施上下的绝缘基板间的粘接、以及LED芯片的电极与导电电路层的电连接。但是，任一情况下均无法充分地提高导电电路层与电极的电连接性及其可靠性，所以要求进一步改善。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2012-084855号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的技术课题鉴于上述的情况，本专利技术提供一种能够解决如下课题的发光装置及其制造方法。该课题是：在埋设有发光二极管的柔性透光性发光装置中，在弯曲时，在导电电路层与LED芯片之间产生短路而停止发光。解决课题所采用的技术手段实施方式的发光装置具备：第1透光性支撑基体，具备第1透光性绝缘体和设置在所述第1透光性绝缘体的表面上的导电电路层；第2透光性支撑基体，具备第2透光性绝缘体，以所述第2透光性绝缘体的表面与所述导电电路层对置的方式，与所述第1透光性支撑基体之间隔开规定的间隙而配置；发光二极管，具有二极管主体和第1及第2电极，该第1及第2电极设置在所述二极管主体的一个面，经由导电性凸起与所述导电电路层电连接，该发光二极管配置在所述第1透光性支撑基体与所述第2透光性支撑基体的间隙；以及第3透光性绝缘体，被埋入到所述第1透光性支撑基体与所述第2透光性支撑基体之间的空间。附图说明图1是表示第1实施方式的发光装置的概略构成的示意截面图。图2是将发光装置的一部分放大示出的截面图。图3是说明实施方式的连接例的平面图。图4A是说明本实施方式的发光装置的制造方法的图。图4B是说明本实施方式的发光装置的制造方法的图。图4C是说明本实施方式的发光装置的制造方法的图。图4D是说明本实施方式的发光装置的制造方法的图。图5是修整处理前的凸起(球)形状的示意图。图6A是说明使用夹具进行的修整处理的图。图6B是说明使用夹具进行的修整处理的图。图6C是说明使用夹具进行的修整处理的图。图7A是说明通过树脂片的冲压加工来进行的修整处理的图。图7B是说明通过树脂片的冲压加工来进行的修整处理的图。图7C是说明通过树脂片的冲压加工来进行的修整处理的图。图8A是说明冲压前后的LED芯片的配置的图。图8B是说明冲压前后的LED芯片的配置的图。图9是表示第2实施方式的发光装置的概略构成的示意截面图。图10是将发光装置的一部分放大示出的截面图。图11A是说明本实施方式的发光装置的制造方法的图。图11B是说明本实施方式的发光装置的制造方法的图。图11C是说明本实施方式的发光装置的制造方法的图。图11D是说明本实施方式的发光装置的制造方法的图。图12A是说明冲压前后的LED芯片的配置的图。图12B是说明冲压前后的LED芯片的配置的图。图13是表示发光二极管和位于其周边的透光性绝缘体、导电电路层、透光性绝缘基体的图。图14是将发光二极管的电极上形成的导电性凸起放大示出的图。具体实施方式《第1实施方式》参照附图说明本专利技术的第1实施方式的发光装置。图1是表示实施方式的发光装置1的概略构成的示意截面图。此外，图2是将图1所示的发光装置1的一部分放大示出的截面图。如图1所示，发光装置1大体上说，具备透光性支撑基体2、透光性支撑基体3、发光二极管22、透光性绝缘体13。透光性支撑基体2具备透光性绝缘体4和设置在透光性绝缘体4的表面上的导电电路层5。导电电路层5仅设置在构成透光性支撑基体2的透光性绝缘体4的表面。透光性支撑基体3具备透光性绝缘体6，以透光性绝缘体6的表面与导电电路层5隔开规定的间隙而对置的方式配置。即，透光性支撑基体3自身不具有导电电路层。发光二极管22在绝缘基板或半导体基板上形成有半导体层，具备发光二极管主体27、以及设置在发光二极管主体27的一个表面并与导电电路层5电连接的电极28、29，该发光二极管22配置在透光性支撑基体2与透光性支撑基体3之间。发光二极管主体27以规定的间隔排列多个。发光二极管主体27间的最小距离d没有特别限定，但是最小距离d为1500μm以下地高密度安装的情况下特别有效。此外，排列的发光二极管主体27的数量可以根据发光装置1的规格(例如外形尺寸、发光面积等)来适当决定。例如图2所示，发光二极管22具备发光二极管主体27，该发光二极管主体27具有在透明的蓝宝石基板这样的绝缘基板23上依次形成的N型半导体层(例如n-GaN层)24、活性层(例如InGaN层)25及P型半导体层(例如p-GaN层)26。另外，N型半导体层和P型半导体层的配置位置也可以相反。在本实施方式中，采用在发光二极管主体27的发光面侧设置电极28、29的单面电极构造。此外，对于在半导体基板上形成了半导体层的发光二极管，也能够采用单面电极构造。发光二极管22的电极28、29分别与透光性支撑基体2的导电电路层5电连接。电极28、29是以包含Au(金)的合金作为材料的焊盘电极。如图2所示，电极28通过经由导电性凸起(bump)30与导电电路层5接触而与导电电路层5电连接。电极29通过经由导电性凸起30与导电电路层5接触而与导电电路层5电连接。作为导电性凸起30，可以是金、AuSn合金、银、铜、镍、或者与其他金属的合金、混合物、共晶、非晶材料，也可以是焊锡或共晶焊锡、金属微粒子与树脂的混合物、各向异性导电膜等。此外，也可以是使用焊线机而形成的线凸起、通过电解镀、无电解镀、将含有金属微粒子的油墨进行喷墨印刷而烧制的凸起、通过含有金属微粒子的糊剂的印刷本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光装置，具备：第1透光性支撑基体，具备第1透光性绝缘体和设置在所述第1透光性绝缘体的表面上的导电电路层；第2透光性支撑基体，具备第2透光性绝缘体，以所述第2透光性绝缘体的表面与所述导电电路层相对置的方式，与所述第1透光性支撑基体之间隔开规定的间隙而配置；发光二极管，具有二极管主体和第1及第2电极，该第1及第2电极设置在所述二极管主体的一个面，经由导电性凸起与所述导电电路层电连接，该发光二极管配置在所述第1透光性支撑基体与所述第2透光性支撑基体之间的间隙；以及第3透光性绝缘体，被埋入到所述第1透光性支撑基体与所述第2透光性支撑基体之间的空间。

【技术特征摘要】
2013.12.02 JP 2013-249453;2013.12.02 JP 2013-249451.一种发光装置，具备：第1透光性支撑基体，具备第1透光性绝缘体和设置在所述第1透光性绝缘体的表面上的导电电路层；第2透光性支撑基体，具备第2透光性绝缘体，以所述第2透光性绝缘体的表面与所述导电电路层相对置的方式，与所述第1透光性支撑基体之间隔开规定的间隙而配置；发光二极管，具有二极管主体和第1及第2电极，该第1及第2电极设置在所述二极管主体的一个面，经由导电性凸起与所述导电电路层电连接，该发光二极管配置在所述第1透光性支撑基体与所述第2透光性支撑基体之间的间隙；以及第3透光性绝缘体，被埋入到所述第1透光性支撑基体与所述第2透光性支撑基体之间的空间。2.一种发光装置，具备：第1透光性支撑基体，具备第1透光性绝缘体和设置在所述第1透光性绝缘体的表面上的第1导电电路层；第2透光性支撑基体，具备第2透光性绝缘体和设置在所述第2透光性绝缘体的表面上的第2导电电路层，以所述第2导电电路层与所述第1导电电路层相对置的方式，与所述第1透光性支撑基体之间隔开规定的间隙而配置；发光二极管，具备二极管主体、第1电极及第2电极，该第1电极设置在所述二极管主体的一个面，经由导电性凸起与所述第1导电电路层电连接，该第2电极设置在所述二极管主体的相反面，与所述第2导电电路层电连接，该发光二极管配置在所述第1透光性支撑基体与所述第2透光性支撑基体之间的间隙；以及第3透光性绝缘体，被埋入到所述第1透光性支撑基体与所述第2透光性支撑基体之间的空间。3.如权利要求1或2所述的发光装置，所述导电性凸起的形状为，将与所述发光二极管的电极相接的面的直径设为A、将所述导电性凸起的高度设为B时，满足B/A＝0.2～0.7。4.如权利要求1～3中任一项所述的发光装置，所述导电性凸起的高度为5μm以上50μm以下。5.如权利要求1～4中任一项所述的发光装置，所述导电性凸起与所述第1电极的接触面积、以及所述导电性凸起与所述第2电极的接触面积分别为100μm2以上15000μm2以下。6.如权利要求1～5中任一项所述的发光装置，所述导电性凸起的材质为金、银、铜、镍或它们的合金的某个。7.如权利要求6所述的发光装置，所述合金是AuSn合金或镍合金。8.如权利要求1～5中任一项所述的发光装置，所述导电性凸起是金属微粒子和树脂的混合物。9.如权利要求1～8中任一项所述的发光装置，所述导电性凸起的熔点为180℃以上。10.如权利要求1～9中任一项所述的发光装置，所述导电性凸起的动态硬度为3以上150以下。11.如权利要求3所述的发光装置，所述导电性凸起的上表面被实施修整处理。12.如权利要求2所述的发光装置，从所述发光二极管表面到所述导电性凸起的顶点为止的距离与从所述导电性凸起的中心到所述发光二极管的最远端部为止的距离之比...

【专利技术属性】
技术研发人员：卷圭一，
申请(专利权)人：东芝北斗电子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP