一种通过聚合实现短路优化的压敏电阻制造技术

本发明专利技术涉及一种通过聚合实现短路优化的压敏电阻（1），压敏电阻包括具有两侧延伸平面的压敏陶瓷片（K）和第一连接片（L1），所述压敏陶瓷片（K）一侧延伸平面与所述第一连接片（L1）电气连接；其中，所述第一连接片（L1）被布置得与所述延伸平面平行、并且延伸至所述压敏陶瓷片的边缘，在所述第一连接片（L1）表面至少设置有第一无接触区域（A1），所述第一无接触区域（A1）不与所述压敏陶瓷片（K）直接电气连接；由环绕所述第一无接触区域（A1）的周边或者由所述第一无接触区域（A1）含盖的压敏陶瓷片部分形成了可知的聚合短路优化点。

A Varistor with Short Circuit Optimization by Polymerization

The invention relates to a varistor (1) which realizes short-circuit optimization by aggregation. The varistor includes a varistor ceramic sheet (K) and a first connecting sheet (L1) having two extended planes on both sides. The one extended plane on one side of the varistor ceramic sheet (K) is electrically connected with the first connecting sheet (L1), wherein the first connecting sheet (L1) is arranged parallel to and parallel to the extended plane. The first contactless area (A1) is not directly electrically connected with the pressure sensitive ceramic sheet (K), and is surrounded by the first contactless area (A1) or a pressure sensitive ceramic sheet part with a cover by the first contactless area (A1). A known short-circuit optimization point is formed.

【技术实现步骤摘要】
一种通过聚合实现短路优化的压敏电阻
本专利技术涉及一种通过聚合实现短路优化的压敏电阻。
技术介绍
在过压保护领域，已知要使用压敏电阻以便保护单个仪器设备和/或复杂的电路。其中，所述压敏电阻在过压情况下引导电压经过所要保护的仪器设备/电路。在此，压敏电阻具有由两侧被整面接触的压敏陶瓷。如果例如在超载情况下有过高的电流流过所述压敏电阻或者次生电流流过所述压敏电阻的时间过长、例如在超载情况之后，那么，所述压敏电阻就大大地变热，从而可能导致作为通过合金实现短路而已知的过程。其中，除了显著的放热以外，通常所述压敏电阻被爆发式地损毁。在此还可能发生火灾。另外也已知，压敏电阻由于老化影响也倾向于让泄漏电流流过。即便是这种泄漏电流也可能导致所不容许的变热，进而甚至导致火灾。为了应对这种现象，在过去已经提出使用隔离装置，所述隔离装置要在所不容许的变热的情况下隔离所述压敏电阻。为了确保断开点上的快速导热、进而包括快速的切断，在过去已经进行了大的投入，因为通过聚合（Durchlegierens）实现短路的位置是未知的。反之，所述断开点的位置在制造后是固定的。现如果在距离断开点最远的位置上出现了通过聚合实现短路，那么，由于缓慢的导热，它就一直持续到所述断开点被触发。此外，在过去已经进行了一些尝试，要通过压敏陶瓷、尤其是掺杂的设计来更好地界定所述通过聚合（Durchlegierens）实现短路的位置。但已经表明的是，所述掺杂本身会导致成本更高，而与此同时，另一方面所述位置的可靠性则只受很小的影响。这种高投入将带来包括了高制造成本和研发成本在内的复杂要求。但始终仍然存在没有足够快地实现隔离这样的情况。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种通过聚合实现短路优化的压敏电阻，所述压敏电阻包括具有两侧延伸平面的压敏陶瓷片和第一连接片，所述压敏陶瓷片一侧延伸平面与所述第一连接片电气连接；其中，所述第一连接片被布置得与所述延伸平面平行、并且延伸至所述压敏陶瓷片的边缘，在所述第一连接片表面至少设置有第一无接触区域，所述第一无接触区域不与所述压敏陶瓷片直接电气连接；由环绕所述第一无接触区域的周边或者由所述第一无接触区域含盖的压敏陶瓷片部分形成了可知的聚合短路优化点。进一步：在所述压敏陶瓷片与所述第一个连接片之间设置第一金属层。进一步：在所述第一连接片的上表面设置有第一绝缘层。进一步：所述第一无接触区域为圆形的开口。进一步：在所述第一连接片上布置有第一隔离单元，第一隔离单元与所述第一无接触区域相邻设置。进一步：压敏电阻还具有第二连接片，所述压敏陶瓷片另一侧延伸平面与所述第二连接片电气连接；所述第二连接片被布置得与所述延伸平面平行，并且延伸至所述压敏陶瓷片的边缘；所述第二连接片表面具有第二无接触区域，所述第二个无接触区域不与所述压敏陶瓷片直接电气连接。进一步：在所述压敏陶瓷片与所述第二连接片之间设置第二金属层。进一步：在所述第二连接片上设置有第二绝缘层。进一步：所述第二无接触区域是圆形开口。进一步：在所述第二连接片上布置第二隔离单元，第二隔离单元与所述第二无接触区域相邻设置。进一步：所述第一连接片上的第一无接触区域和所述第二接片上的所述第二无接触区域被布置为彼此相对。进一步：所述第一连接片上的第一无接触区域和所述第二连接片上的第二无接触区域被布置得不彼此相对。进一步：所述压敏陶瓷片在边缘上的厚度大于中间的厚度。进一步：所述压敏陶瓷片的厚度一致，所述压敏陶瓷片在边缘端部面是弯曲端面。进一步：所述弯曲端面为凹状或凸状。进一步：所述压敏陶瓷片的厚度一致，其中，所述压敏陶瓷片边缘端面是斜坡端面。进一步：所述压敏陶瓷片的厚度一致，其中，所述压敏陶瓷片在边缘端部设置有绝缘体。进一步：在第一连接片和第二连接片上设置多个无接触区域，从而能够在运行情况下局部地实现电流分布并且随之而来地实现局部的升温。进一步：所述无接触的区域是一种具有内凹空腔凸起。通过本专利技术提供的对成本有利的解决方案，能够快速可靠地提供
技术介绍
所要求的隔离。附图说明下面参照附图借助优选的实施方式进一步阐述本专利技术。其中：图1为根据本专利技术的实施方式的示意性截面图；图2为根据图1的实施方式的细节图；图3为根据图1的实施方式的另一细节图；图4为根据本专利技术的更多实施方式的示意性截面图；图5为根据本专利技术的再更多实施方式的示意性截面图；图6为根据本专利技术的更多实施方式的示意性截面图；图7为根据本专利技术的实施方式的细节的示意性截面图；图8为根据本专利技术的更多实施方式的细节的示意性截面图；图9为根据本专利技术的再更多实施方式的细节的示意性截面图；图10为根据本专利技术的更多实施方式的示意性截面图；图11a至d为对于本专利技术的实施方式的细节的示意性俯视图；图12为根据本专利技术的再更多实施方式的细节的示意性截面图；以及图13为根据本专利技术的再更多实施方式的细节的示意性截面图。标记说明1压敏电阻K压敏陶瓷片L1第一连接片A1第一无接触区域M1第一金属层ISO1第一绝缘层AE隔离单元L2第二连接片A2第二无接触区域M2第二金属层ISO2第二绝缘层AD连接线LOT焊料a边缘超出厚度的宽度b边缘超出厚度的高度具体实施方式。下面更深入地参照附图阐述本专利技术。在此要注意的是，所说明的不同方面可分别单独地或者相互组合地加以应用。也就是说，每个方面均可结合本专利技术的不同实施方式来使用，只要没有明确地说明作为纯粹的替选方案。此外，下面为简便起见，通常仅借助一个实体。但只要没有明确附注，本专利技术也可分别具有更多个相关实体。就这方面而言，使用语词“一个”仅应被理解为是指，在一种简单的实施方式中使用至少一个实体。根据本专利技术的例如在图1、4至6、10和12和13中以截面图所示出的实施方式，根据本专利技术的具有通过聚合（Durchlegierens）实现短路优化的压敏电阻1具有两侧延伸平面的压敏陶瓷片K。另外，所述压敏电阻1具有至少一个第一连接片L1，其中，所述压敏陶瓷片K（至少有部分）与所述第一连接片L1处于电气连接。所述第一连接片L1被布置得与所述压敏陶瓷片K一侧延伸平面平行，并且一直延伸到所述压敏陶瓷片K的边缘上。所述第一连接片L1在所述一侧延伸平面内具有至少一个第一无接触区域A1，在所述第一无接触区域A1的位置上不存在与压敏陶瓷K的任何直接的电气连接。也就是说，电流仅经过所述连接片L1或者说所述压敏陶瓷片K的其他区域流到所述压敏陶瓷片K位于所述无接触区域A1下面的区域去，而不直接流到那里去。这就导致，在所述压敏陶瓷片K或者可能存在的金属层M1的表面上的所述无接触区域A1的边缘区域内局部会有更高的电流密度，所述更高的电流密度也导致该局部具有更大程度的变热，这又既有利于通过聚合（Durchlegierens）实现短路，也有利于隔离。如果存在金属层，那么所述压敏陶瓷片K以内的电场密度就应该基本相同。但由于与所述连接片L1在无接触区域A1内（以及尤其是在边缘上）缺少接触就构成与其他位置相比的高电流密度。如果不存在任何金属层，那么，所述压敏陶瓷片K以内的电场线就基本平行地延伸，与此同时，它们在所述无接触区域的范围内是朝向所述无接触区域A1的边缘弯曲。也就是说，电场线在这里就集中到伴随着更高的电流流量一起的更小的范围上。要注意的是，即便是在所述无接触区域A1下面也可存在可能本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种通过聚合实现短路优化的压敏电阻（1），其特征在于，压敏电阻包括具有两侧延伸平面的压敏陶瓷片（K）和第一连接片（L1），所述压敏陶瓷片（K）一侧延伸平面与所述第一连接片（L1）电气连接；其中，所述第一连接片（L1）被布置得与所述延伸平面平行、并且延伸至所述压敏陶瓷片的边缘，在所述第一连接片（L1）表面至少设置有第一无接触区域（A1），所述第一无接触区域（A1）不与所述压敏陶瓷片（K）直接电气连接；由环绕所述第一无接触区域（A1）的周边或者由所述第一无接触区域（A1）含盖的压敏陶瓷片部分形成了可知的聚合短路优化点。

【技术特征摘要】
2017.06.22 DE DE102017210472.41.一种通过聚合实现短路优化的压敏电阻（1），其特征在于，压敏电阻包括具有两侧延伸平面的压敏陶瓷片（K）和第一连接片（L1），所述压敏陶瓷片（K）一侧延伸平面与所述第一连接片（L1）电气连接；其中，所述第一连接片（L1）被布置得与所述延伸平面平行、并且延伸至所述压敏陶瓷片的边缘，在所述第一连接片（L1）表面至少设置有第一无接触区域（A1），所述第一无接触区域（A1）不与所述压敏陶瓷片（K）直接电气连接；由环绕所述第一无接触区域（A1）的周边或者由所述第一无接触区域（A1）含盖的压敏陶瓷片部分形成了可知的聚合短路优化点。2.根据权利要求1所述的压敏电阻，其特征在于，在所述压敏陶瓷片（K）与所述第一个连接片（L1）之间设置第一金属层（M1）。3.根据权利要求1或2所述的压敏电阻，其特征在于，在所述第一连接片（L1）的上表面设置有第一绝缘层（ISO1）。4.根据上述权利要求中任一项所述的压敏电阻，其特征在于，所述第一无接触区域（A1）为圆形的开口。5.根据上述权利要求中任一项所述的压敏电阻，其特征在于，在所述第一连接片（L1）上布置有第一隔离单元（AE），第一隔离单元与所述第一无接触区域（A1）相邻设置。6.根据上述权利要求中任一项所述的压敏电阻，其特征在于，压敏电阻还具有第二连接片（L2），所述压敏陶瓷片（K）另一侧延伸平面与所述第二连接片电气连接；所述第二连接片（L2）被布置得与所述延伸平面平行，并且延伸至所述压敏陶瓷片（K）的边缘；所述第二连接片（L2）表面具有第二无接触区域（A2），所述第二个无接触区域（A2）不与所述压敏陶瓷片（K）直接电气连接。7.根据权利要求6所述的压敏电阻，其特征在于，在所述压敏陶瓷片（K）与所述第二连接片（L2）之间设置第二金属层（M2）。8.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：简埃里克·西莫茨，简·黑格费尔德，
申请(专利权)人：菲尼克斯电气公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE