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芳香族化合物的制造方法技术

技术编号:19952656 阅读:20 留言:0更新日期:2019-01-03 07:57
本发明专利技术涉及芳香族化合物的制造方法,其课题在于提供:使用容易操作的(没有在空气中由于氧化等而分解或变质,而且也不具有腐蚀性的)原料、简便地(以200℃以下的一个工序的反应,无腐蚀性气体的产生)得到高纯度的BTBT衍生物(或DNTT衍生物)的、实用的制造方法。本发明专利技术发现,通过使特定的邻卤代苄基卤衍生物(或3‑卤代‑2‑(卤代甲基)萘衍生物)与单质的硫或硫化合物反应的实用的方法,得到BTBT衍生物(或DNTT衍生物),从而完成本发明专利技术。

Manufacturing methods of aromatic compounds

The present invention relates to the manufacturing method of aromatic compounds. Its subject is to provide a practical manufacturing method for high purity BTBTBT derivatives (or DNTT derivatives) by using easy-to-operate raw materials (which are not decomposed or deteriorated by oxidation in air, and are not corrosive) and simply (reacting in a process below 200 C, producing non-corrosive gases). \u3002 The invention finds that BTBTBT derivatives (or DNTT derivatives) are obtained by a practical method of reacting a specific o-halogenated benzyl halide derivative (or 3 halogenated 2 halogenated methyl naphthalene derivative) with sulfur or sulfur compounds of elemental substances, thereby completing the invention.

【技术实现步骤摘要】
芳香族化合物的制造方法
本专利技术涉及芳香族化合物的制造方法。更详细而言,涉及噻吩环缩合芳香族化合物的制造方法。需要说明的是,本申请对2017年6月26日申请的日本国专利申请第2017-124196号公报要求优先权。
技术介绍
将有机材料用于半导体层而成的有机薄膜晶体管(有机TFT)在其制造中无需高温热处理工艺,因而能搭载于耐热性差的树脂性塑料基板上,因此,期待对使用这些基板而成的作为下一代型电子设备的柔性显示装置、可穿戴设备开展研究。这样的有机材料中,对于具有[1]苯并噻吩并[3,2-b][1]苯并噻吩环的化合物(例如专利文献1)、具有二萘并[2,3-b:2’,3’-f]噻吩并[3,2-b]噻吩环的化合物(例如专利文献2),关于其半导体特性(迁移率),由于超越非晶硅(以下,将[1]苯并噻吩并[3,2-b][1]苯并噻吩环有时称为BTBT(或BTBT环),将二萘并[2,3-b:2’,3’-f]噻吩并[3,2-b]噻吩环有时称为DNTT(或DNTT环),将具有BTBT环(或DNTT环)的化合物(即,BTBT环(或DNTT环)上具有取代基的化合物)有时称为BTBT衍生物(或DNTT衍生物)),当推进有机TFT的实用化时,迫切期望实用上(工业上)制造这些BTBT衍生物(或DNTT衍生物)的方法(以低成本、且简便地以高纯度合成的方法)。一般来说,BTBT衍生物(或DNTT衍生物)通过如下得到:作为前步,“构筑BTBT环(或DNTT环)(实施BTBT环(或DNTT环)形成反应)”,之后,作为后步,“在该BTBT环(或DNTT环)中导入期望的取代基”,从而得到(需要说明的是,构筑(形成)BTBT环(或DNTT环)时,可以以预先具有取代基的形式构筑(形成)该环)。此处,后步为公知常用的“对芳香族化合物的取代基导入反应”,与此相反,前步具有形成芳香族环的特殊性。因此,为了实用上制造BTBT衍生物(或DNTT衍生物),需要成为母骨架的BTBT环(或DNTT环)的实用上的(低成本且简便地工业上的)构筑(形成)方法。专利文献3和4以及非专利文献1和2中记载了如下方法:通过邻氯苯甲醛衍生物与硫化合物的反应,得到BTBT环(或DNTT环)。然而,邻氯苯甲醛衍生物存在腐蚀性,需要特殊的制造设备。进而,苯甲醛衍生物容易在空气中被氧化而分解为羧酸,在保存稳定性方面存在问题。另外,非专利文献2中记载了,通过邻氯苯甲醛衍生物与金属硫氢化物等的反应,生成聚合物副产物。担心缺乏溶解性的聚合物副产物具有对反应容器的附着、配管堵塞之类的工业生产时的课题。另外,聚合物副产物容易以杂质的形式残留,对于有机半导体而言,在必须高纯度化上也具有课题。需要说明的是,后述的比较例中,实施重现实验(合成),实际上确认了目标物的纯度低。专利文献5中记载了如下方法:通过苯甲醛衍生物与卤化剂和硫化合物的反应,得到BTBT环(或DNTT环)。然而,氯化亚砜等卤化剂在空气中分解,而产生毒性强的氯化氢气体、亚硫酸气体等,因此,难以操作。而且在高温下进行反应,因此由于卤化剂的分解而产生了氯化氢气体、亚硫酸气体之类的毒性气体,工业上是不利的。专利文献6和7以及非专利文献3和4中记载了如下方法:通过氯化苄、α,α-二氯甲苯或α,α,α-三氯甲苯与单质硫的反应,得到BTBT环。然而,必须在200℃以上的高温下进行10小时以上的加热,生产成本变高,工业上是不利的。进而,根据专利文献6和7,该反应在反应中产生氯化氢气体、氯化硫气体。这些气体有腐蚀性、刺激性,因此,工业上是不利的。需要说明的是,后述的比较例中,实施重现实验,结果使用α,α-二氯甲苯的情况下,以230℃、3小时下未生成BTBT,以260℃、3小时下生成了微量的BTBT(实际上确认了反应中需要200℃以上的高温)。另外,利用该重现实验,还确认了酸性气体的产生。专利文献8和9以及非专利文献5~7中记载了如下方法:使用过渡金属催化剂,使3-(苯基硫代)苯并[b]噻吩衍生物进行分子内缩合,从而得到BTBT环。然而,由于使用昂贵的过渡金属催化剂,因此,生产成本变高。进而,为了合成成为原料的3-(苯基硫代)苯并[b]噻吩衍生物,反应历经多步而复杂,因此,工业上是不利的。专利文献10中记载了如下方法:使用强酸作为溶剂,使2-[2-(甲硫基)苯基]苯并[b]噻吩衍生物进行分子内缩合,从而得到BTBT环。然而,由于使用大量的强酸,因此,需要处理酸废液。进而为了合成成为原料的2-[2-(甲硫基)苯基]苯并[b]噻吩衍生物,反应历经多步而复杂,因此,工业上是不利的。专利文献11和非专利文献8中记载了如下方法:使丁基锂作用于3-溴-2-(2-溴苯基)苯并[b]噻吩衍生物后,使双(苯基磺酰基)硫醚作用、进行分子内缩合,从而得到BTBT环。然而,丁基锂与空气中的水分反应而起火,因此,难以操作。进而为了合成成为原料的3-溴-2-(2-溴苯基)苯并[b]噻吩衍生物,反应历经多步而复杂,因此,工业上是不利的。专利文献12以及非专利文献9和10中记载了如下方法:使硫化合物作用于碘鎓盐衍生物,得到BTBT环。然而,为了合成成为原料的碘鎓盐衍生物,反应历经多步而复杂,因此,工业上是不利的。专利文献13、14、15、17和18以及非专利文献11、15、18、19和21中记载了如下方法:使茋衍生物环化,得到BTBT环。然而,为了合成成为原料的茋衍生物,反应历经多步而复杂,因此,工业上是不利的。非专利文献12~14中记载了如下方法:使硫化合物作用于双(2-溴苯基)乙炔衍生物使其进行分子内缩合,从而得到BTBT环。然而,为了合成成为原料的双(2-溴苯基)乙炔衍生物,反应历经多步而复杂,因此,工业上是不利的。专利文献16中记载了如下方法:使单质碘作用于双[2-(甲基硫代)苯基]乙炔衍生物使其进行分子内缩合,从而得到BTBT环。然而,为了合成成为原料的双[2-(甲基硫代)苯基]乙炔衍生物,反应历经多步而复杂,因此,工业上是不利的。非专利文献17中记载了如下方法:将磷叶立德衍生物以850℃热分解,从而得到BTBT衍生物。然而,必须为850℃这样的高温,因此,不能说是实用的BTBT衍生物的制造方法。进而,为了合成成为原料的磷叶立德衍生物,反应历经多步而复杂,因此,工业上是不利的。非专利文献20中记载了如下方法:使碱作用于二硫代氨基甲酸衍生物,从而得到BTBT环。然而,为了合成成为原料的二硫代氨基甲酸衍生物,反应历经多步而复杂,因此,工业上是不利的。非专利文献22中记载了如下方法:使五硫化二磷作用于二苯基乙二酮,从而得到BTBT环。然而,收率低至3.9%,不能说是实用的BTBT环的制造方法。现有技术文献专利文献专利文献1:国际公开第2012/121393号专利文献2:国际公开第2012/115236号专利文献3:日本特开2010-275192号公报专利文献4:日本特开2015-030727号公报专利文献5:日本特开2008-290963号公报专利文献6:美国专利第3278552号专利文献7:美国专利第3433874号专利文献8:国际公开第2014/030700号专利文献9:日本特开2016-193868号公报专利文献10:日本特开2011-256144号公报专利文本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种通式(1)所示的化合物的制造方法,其特征在于,使通式(2)所示的化合物与单质的硫或硫化合物反应,

【技术特征摘要】
2017.06.26 JP 2017-1241961.一种通式(1)所示的化合物的制造方法,其特征在于,使通式(2)所示的化合物与单质的硫或硫化合物反应,各式中,m表示...

【专利技术属性】
技术研发人员:稻垣翔饵取秀树
申请(专利权)人:DIC株式会社
类型:发明
国别省市:日本,JP

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