低频改进材料及应用该低频改进材料的扬声器系统技术方案

技术编号:19951303 阅读:35 留言:0更新日期:2019-01-03 07:02
本发明专利技术公开了一种低频改进材料,其包括若干沸石颗粒,所述沸石颗粒包括若干沸石粒子,所述沸石粒子包括若干沸石晶粒,所述沸石晶粒包括骨架和骨架外阳离子,所述骨架包括SiO2和含元素M的氧化物MxOy,所述沸石晶粒的平均晶粒尺寸在5nm~75nm之间。本发明专利技术还提供了一种应用该低频改进材料的扬声器系统。本发明专利技术提供的低频改进材料及应用该低频改进材料的扬声器系统能够进一步提升扬声器系统性能、降低分子筛失效、提升扬升扬声器系统的性能稳定性。

Low Frequency Improvement Materials and the Loudspeaker System Using the Low Frequency Improvement Materials

The present invention discloses a low frequency improvement material, which includes several zeolite particles, the zeolite particles include several zeolite grains, the zeolite grains include skeleton and skeleton cation, the skeleton includes SiO 2 and the oxide MxOy containing element M, and the average grain size of the zeolite grains is between 5 and 75 nm. The invention also provides a loudspeaker system applying the low frequency improved material. The low-frequency improvement material provided by the invention and the speaker system using the low-frequency improvement material can further improve the performance of the speaker system, reduce the failure of the molecular sieve and improve the stability of the speaker system.

【技术实现步骤摘要】
低频改进材料及应用该低频改进材料的扬声器系统
本专利技术实施例涉及低频改进材料
,特别涉及一种低频改进材料及应用该低频改进材料的扬声器系统。
技术介绍
随着科技的发展和生活水平的提高,人们对扬声器系统的性能要求越来越高。特别的,对手机扬声器系统而言,要求在体积尽量小的同时提供优秀的声学表现。由于电子消费品体积越来越紧凑,留给扬声器系统后腔的体积越来越小,最近通过在后腔中引入活性炭、沸石等低频改进材料,增加虚拟后腔体积,提高扬声器系统在低频段的响应。然而,由于扬声器系统在实际环境下会散发少量各类VOCs,使低频改进材料性能变差,尤其最近电子消费品集成度越来越高,体系越来越复杂,可散发VOCs部件和量越来越难预测和控制,对低频改进材料的耐复杂VOCs的环境稳定性要求越来越苛刻。因此,实有必要提供一种新的低频改进材料及应用该低频改进材料的扬声器系统解决上述技术问题
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种低频改进材料及应用该低频改进材料的扬声器系统,其能够进一步提升扬声器系统性能、降低分子筛失效、提升扬升扬声器系统的性能稳定性。为了达到上述目的,本专利技术提供了一种低频改进材料,其包括若干沸石颗粒,所述沸石颗粒包括若干沸石粒子,所述沸石粒子包括若干沸石晶粒,所述沸石晶粒包括骨架和骨架外阳离子,所述骨架包括SiO2和含元素M的氧化物MxOy,所述沸石晶粒的平均晶粒尺寸在5nm~75nm之间。优选的,所述沸石晶粒的平均晶粒尺寸在15nm~55nm之间。优选的,所述沸石晶粒的平均晶粒尺寸在20nm~50nm之间。优选的,所述沸石粒子的粒径尺寸在10nm~10um之间。优选的,所述沸石粒子的粒径尺寸在20nm~8um之间。优选的,所述沸石粒子的粒径尺寸在40nm~6um之间。优选的,所述沸石粒子的粒径尺寸在400nm~6um之间。优选的,所述沸石粒子的粒径尺寸在40nm~400nm之间。优选的,所述沸石晶粒包括MFI结构、MEL结构、FER结构、BEA结构以及CHA结构中的至少一种。优选的,所述沸石晶粒包括MFI结构、MEL结构、FER结构、BEA结构以及CHA结构中的至少一种。优选的,所述骨架中Si/M原子摩尔比在100~2000之间。优选的,所述骨架中Si/M原子摩尔比在120~1000之间。优选的,所述骨架中Si/M原子摩尔比在140~800之间。优选的,所述元素M包括三价和/或四价离子。优选的,所述骨架中,所述元素M包含Al、B、Ga、P、Fe、Co、Mo、Ti、Zr、Ge中的至少一种。优选的,所述骨架外阳离子包括氢离子、碱金属离子、碱土金属离子、过渡金属离子或NH4+铵根基团中的至少一种。优选的,所述低频改进材料中沸石颗粒成型后的颗粒尺寸在10um~1000um之间。优选的,所述低频改进材料中沸石颗粒成型后的颗粒尺寸在25um~450um之间。优选的,所述低频改进材料中沸石颗粒成型后的颗粒尺寸在30um~200um之间。本专利技术还提供一种扬声器系统,包括具有收容空间的壳体、置于所述壳体内的发声单体及由所述发声单体与壳体围成的后腔,所述后腔中填充有本专利技术提供的上述低频改进材料。与相关技术相比,本专利技术的低频改进材料由于所述沸石颗粒最终主要由沸石晶粒组成,其具有均匀的微孔,微孔在声压作用下吸脱附空气分子,能够起到增加虚拟声腔体积的作用,将其填充于扬声器系统的后腔内,能显著提高扬声器系统的低频效应,改善其低频声学性能。由于所述沸石颗粒主要由平均晶粒尺寸更小的沸石晶粒组成,平均晶粒越小,沸石颗粒微孔孔道孔口越多、外表面积越大、且沸石颗粒扩散路经越短,当吸附同样量有机物时,主要由沸石晶粒组成的沸石颗粒的孔道的通畅性受影响最小,从而表现出更强的耐VOCs性能,从而在扬声器系统中长期稳定性显著增强。【附图说明】为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图,其中:图1是本专利技术低频改进材料实例1提供的MFI结构的沸石粒子在扫描电子显微镜下的形貌图;图2是本专利技术低频改进材料实例1对应的XRD图谱;图3是本专利技术低频改进材料实例2提供的MFI结构的沸石粒子在扫描电子显微镜下的形貌图;图4是本专利技术低频改进材料实例2对应的XRD图谱;图5是本专利技术低频改进材料实例3提供的MFI结构的沸石粒子在扫描电子显微镜下的形貌图;图6是本专利技术低频改进材料实例3对应的XRD图谱;图7是本专利技术低频改进材料实例4提供的MFI结构的沸石粒子在扫描电子显微镜下的形貌图;图8是本专利技术低频改进材料实例4对应的XRD图谱;图9是本专利技术低频改进材料实例5提供的MFI结构的沸石粒子在扫描电子显微镜下的形貌图;图10是本专利技术低频改进材料实例5对应的XRD图谱;图11是本专利技术低频改进材料实例6提供的大晶粒纯相MEL结构的沸石粒子在扫描电子显微镜下的形貌图;图12是本专利技术低频改进材料实例6对应的XRD图谱;图13是本专利技术低频改进材料实例7提供的中晶粒纯相MEL的沸石粒子结构在扫描电子显微镜下的形貌图;图14是本专利技术低频改进材料实例7对应的XRD图谱;图15是本专利技术低频改进材料实例8提供的小晶粒纯相MEL结构的沸石粒子在扫描电子显微镜下的形貌图;图16是本专利技术低频改进材料实例8对应的XRD图谱;图17是本专利技术低频改进材料实例9提供的混相MEL结构的沸石粒子与少量MFI结构的沸石粒子在扫描电子显微镜下的形貌图;图18是本专利技术低频改进材料实例9对应的XRD图谱;图19是本专利技术低频改进材料实例10提供的CHA结构的沸石粒子在扫描电子显微镜下的形貌图;图20是本专利技术低频改进材料实例10对应的XRD图谱;图21是相关技术低频改进材料的现有技术实例1的MFI结构的沸石粒子在扫描电子显微镜下的形貌图;图22是本专利技术扬声器系统的结构示意图。【具体实施方式】下面将结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅是本专利技术的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本专利技术保护的范围。本专利技术的实施方式涉及一种低频改进材料,所述低频改进材料包括若干沸石颗粒,所述沸石颗粒包括若干沸石粒子,所述沸石粒子包括若干沸石晶粒,所述沸石晶粒包括骨架和骨架外阳离子,所述骨架包括SiO2和含元素M的氧化物MxOy。其中所述元素M包含铝,所述骨架外阳离子为氢离子、碱离子或碱土金属中的至少一种。所述沸石晶粒的平均晶粒尺寸在5nm~75nm之间。其中,所述骨架中Si/M原子摩尔比大于80。本专利技术实施方式相对于现有技术而言,本专利技术的低频改进材料由于所述沸石颗粒最终主要由沸石晶粒组成,其具有均匀的微孔,微孔在声压作用下吸脱附空气分子,能够起到增加虚拟声腔体积的作用,将其填充于扬声器系统的后腔内,能显著提高扬声器系统的低频效应,改善其低频声学性能。由于所述沸石颗粒主要由平均晶粒尺寸更小的沸石晶粒组成,平均晶粒越小,沸石颗粒微孔孔道孔口越多、外表面积越大、且沸石颗粒扩散路经越短,当吸附同样量有机本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低频改进材料,其包括若干沸石颗粒,所述沸石颗粒包括若干沸石粒子,其特征在于,所述沸石粒子包括若干沸石晶粒,所述沸石晶粒包括骨架和骨架外阳离子,所述骨架包括SiO2和含元素M的氧化物MxOy,所述沸石晶粒的平均晶粒尺寸在5nm~75nm之间。

【技术特征摘要】
1.一种低频改进材料,其包括若干沸石颗粒,所述沸石颗粒包括若干沸石粒子,其特征在于,所述沸石粒子包括若干沸石晶粒,所述沸石晶粒包括骨架和骨架外阳离子,所述骨架包括SiO2和含元素M的氧化物MxOy,所述沸石晶粒的平均晶粒尺寸在5nm~75nm之间。2.根据权利要求1所述的低频改进材料,其特征在于,所述沸石晶粒的平均晶粒尺寸在15nm~55nm之间。3.根据权利要求2所述的低频改进材料,其特征在于,所述沸石晶粒的平均晶粒尺寸在20nm~50nm之间。4.根据权利要求1所述的低频改进材料,其特征在于,所述沸石粒子的粒径尺寸在10nm~10um之间。5.根据权利要求4所述的低频改进材料,其特征在于,所述沸石粒子的粒径尺寸在20nm~8um之间。6.根据权利要求5所述的低频改进材料,其特征在于,所述沸石粒子的粒径尺寸在40nm~6um之间。7.根据权利要求6所述的低频改进材料,其特征在于,所述沸石粒子的粒径尺寸在400nm~6um之间。8.根据权利要求5所述的低频改进材料,其特征在于,所述沸石粒子的粒径尺寸在40nm~400nm之间。9.根据权利要求1所述的低频改进材料,其特征在于,所述沸石晶粒包括MFI结构、MEL结构、FER结构、BEA结构以及CHA结构中的至少一种。10.根据权利要求1所述的低频改进材料,其特征在于,所述骨架中Si/M原子摩尔比大于80。11.根据权利要求10所述的低频改进材料...

【专利技术属性】
技术研发人员:冯宏枢王和志戴际强唐琨
申请(专利权)人:瑞声科技南京有限公司
类型:发明
国别省市:江苏,32

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