The present invention discloses a low frequency improvement material, which includes several zeolite particles, the zeolite particles include several zeolite grains, the zeolite grains include skeleton and skeleton cation, the skeleton includes SiO 2 and the oxide MxOy containing element M, and the average grain size of the zeolite grains is between 5 and 75 nm. The invention also provides a loudspeaker system applying the low frequency improved material. The low-frequency improvement material provided by the invention and the speaker system using the low-frequency improvement material can further improve the performance of the speaker system, reduce the failure of the molecular sieve and improve the stability of the speaker system.
【技术实现步骤摘要】
低频改进材料及应用该低频改进材料的扬声器系统
本专利技术实施例涉及低频改进材料
,特别涉及一种低频改进材料及应用该低频改进材料的扬声器系统。
技术介绍
随着科技的发展和生活水平的提高,人们对扬声器系统的性能要求越来越高。特别的,对手机扬声器系统而言,要求在体积尽量小的同时提供优秀的声学表现。由于电子消费品体积越来越紧凑,留给扬声器系统后腔的体积越来越小,最近通过在后腔中引入活性炭、沸石等低频改进材料,增加虚拟后腔体积,提高扬声器系统在低频段的响应。然而,由于扬声器系统在实际环境下会散发少量各类VOCs,使低频改进材料性能变差,尤其最近电子消费品集成度越来越高,体系越来越复杂,可散发VOCs部件和量越来越难预测和控制,对低频改进材料的耐复杂VOCs的环境稳定性要求越来越苛刻。因此,实有必要提供一种新的低频改进材料及应用该低频改进材料的扬声器系统解决上述技术问题
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种低频改进材料及应用该低频改进材料的扬声器系统,其能够进一步提升扬声器系统性能、降低分子筛失效、提升扬升扬声器系统的性能稳定性。为了达到上述目的,本专利技术提供了一种低频改进材料,其包括若干沸石颗粒,所述沸石颗粒包括若干沸石粒子,所述沸石粒子包括若干沸石晶粒,所述沸石晶粒包括骨架和骨架外阳离子,所述骨架包括SiO2和含元素M的氧化物MxOy,所述沸石晶粒的平均晶粒尺寸在5nm~75nm之间。优选的,所述沸石晶粒的平均晶粒尺寸在15nm~55nm之间。优选的,所述沸石晶粒的平均晶粒尺寸在20nm~50nm之间。优选的,所述沸石粒子的粒径尺寸在10nm ...
【技术保护点】
1.一种低频改进材料,其包括若干沸石颗粒,所述沸石颗粒包括若干沸石粒子,其特征在于,所述沸石粒子包括若干沸石晶粒,所述沸石晶粒包括骨架和骨架外阳离子,所述骨架包括SiO2和含元素M的氧化物MxOy,所述沸石晶粒的平均晶粒尺寸在5nm~75nm之间。
【技术特征摘要】
1.一种低频改进材料,其包括若干沸石颗粒,所述沸石颗粒包括若干沸石粒子,其特征在于,所述沸石粒子包括若干沸石晶粒,所述沸石晶粒包括骨架和骨架外阳离子,所述骨架包括SiO2和含元素M的氧化物MxOy,所述沸石晶粒的平均晶粒尺寸在5nm~75nm之间。2.根据权利要求1所述的低频改进材料,其特征在于,所述沸石晶粒的平均晶粒尺寸在15nm~55nm之间。3.根据权利要求2所述的低频改进材料,其特征在于,所述沸石晶粒的平均晶粒尺寸在20nm~50nm之间。4.根据权利要求1所述的低频改进材料,其特征在于,所述沸石粒子的粒径尺寸在10nm~10um之间。5.根据权利要求4所述的低频改进材料,其特征在于,所述沸石粒子的粒径尺寸在20nm~8um之间。6.根据权利要求5所述的低频改进材料,其特征在于,所述沸石粒子的粒径尺寸在40nm~6um之间。7.根据权利要求6所述的低频改进材料,其特征在于,所述沸石粒子的粒径尺寸在400nm~6um之间。8.根据权利要求5所述的低频改进材料,其特征在于,所述沸石粒子的粒径尺寸在40nm~400nm之间。9.根据权利要求1所述的低频改进材料,其特征在于,所述沸石晶粒包括MFI结构、MEL结构、FER结构、BEA结构以及CHA结构中的至少一种。10.根据权利要求1所述的低频改进材料,其特征在于,所述骨架中Si/M原子摩尔比大于80。11.根据权利要求10所述的低频改进材料...
【专利技术属性】
技术研发人员:冯宏枢,王和志,戴际强,唐琨,
申请(专利权)人:瑞声科技南京有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。