【技术实现步骤摘要】
垂直存储器件
与示例实施方式一致的装置和方法涉及垂直存储器件。
技术介绍
电子产品在仍被期望于处理高容量数据的同时已随着时间推移在尺寸上大大减小。因此,电子产品中使用的半导体存储器件的集成度也已增加。为了增加半导体存储器件的集成度,已提出了制造其中堆叠具有垂直晶体管结构而非传统的平面晶体管结构的存储单元的垂直存储器件的方法。
技术实现思路
一个或更多个示例实施方式提供了其中修复与沟道孔的蚀刻工艺有关的缺陷的垂直存储器件。根据一示例实施方式的一方面,一种垂直存储器件可以包括:堆叠在半导体衬底的单元区域中的多个栅电极层;划分所述多个栅电极层当中最上面的栅电极层的多个上隔离绝缘层,所述多个上隔离绝缘层设置为在第一方向上延伸并彼此间隔开;多个垂直孔,其中所述多个垂直孔中任意两个相邻的垂直孔在整个单元区域彼此具有均匀的距离,所述多个垂直孔包括多个沟道孔和多个第一支撑孔,所述多个沟道孔贯穿所述多个栅电极层并设置在所述多个上隔离绝缘层之间,所述多个第一支撑孔贯穿所述多个上隔离绝缘层的至少一部分;设置在所述多个沟道孔中的多个沟道结构;以及设置在所述多个第一支撑孔中的多个第一支撑结构。所述多个沟道孔和所述多个第一支撑孔可以具有相同的直径,而所述多个沟道结构可以包括与所述多个第一支撑结构不同的材料。根据一示例实施方式的一方面,一种垂直存储器件可以包括:交替地堆叠在半导体衬底的单元区域中的多个栅电极层和多个模制绝缘层;将所述多个栅电极层当中最上面的栅电极层分成多个区域的多个隔离绝缘层,所述多个隔离绝缘层设置为在第一方向上延伸并彼此间隔开;以及多个垂直结构,所述多个垂直结构在垂直于半 ...
【技术保护点】
1.一种垂直存储器件,包括:堆叠在半导体衬底的单元区域中的多个栅电极层;划分所述多个栅电极层当中最上面的栅电极层的多个上隔离绝缘层,所述多个上隔离绝缘层设置为在第一方向上延伸并且彼此间隔开;多个垂直孔,所述多个垂直孔包括:贯穿所述多个栅电极层的多个沟道孔,所述多个沟道孔设置在所述多个上隔离绝缘层之间;以及贯穿所述多个上隔离绝缘层的至少一部分的多个第一支撑孔,其中所述多个垂直孔中任意两个相邻的垂直孔在整个所述单元区域彼此具有均匀的距离;设置在所述多个沟道孔中的多个沟道结构;以及设置在所述多个第一支撑孔中的多个第一支撑结构,其中所述多个沟道孔和所述多个第一支撑孔具有相同的直径,并且所述多个沟道结构包括与所述多个第一支撑结构不同的材料。
【技术特征摘要】
2017.06.21 KR 10-2017-00785311.一种垂直存储器件,包括:堆叠在半导体衬底的单元区域中的多个栅电极层;划分所述多个栅电极层当中最上面的栅电极层的多个上隔离绝缘层,所述多个上隔离绝缘层设置为在第一方向上延伸并且彼此间隔开;多个垂直孔,所述多个垂直孔包括:贯穿所述多个栅电极层的多个沟道孔,所述多个沟道孔设置在所述多个上隔离绝缘层之间;以及贯穿所述多个上隔离绝缘层的至少一部分的多个第一支撑孔,其中所述多个垂直孔中任意两个相邻的垂直孔在整个所述单元区域彼此具有均匀的距离;设置在所述多个沟道孔中的多个沟道结构;以及设置在所述多个第一支撑孔中的多个第一支撑结构,其中所述多个沟道孔和所述多个第一支撑孔具有相同的直径,并且所述多个沟道结构包括与所述多个第一支撑结构不同的材料。2.根据权利要求1所述的垂直存储器件,其中所述多个垂直孔还包括贯穿所述多个栅电极层的多个第二支撑孔,所述多个第二支撑孔设置在所述多个上隔离绝缘层之间并且设置于在所述第一方向上延伸的虚拟线上,以及其中所述垂直存储器件还包括设置在所述多个第二支撑孔中的多个第二支撑结构。3.根据权利要求1所述的垂直存储器件,其中所述多个垂直孔还包括贯穿所述多个栅电极层的多个第二支撑孔,所述多个第二支撑孔设置在所述多个上隔离绝缘层之间并且设置于在交叉所述第一方向的第二方向上延伸的虚拟线上,以及其中所述垂直存储器件还包括设置在所述多个第二支撑孔中的多个第二支撑结构。4.根据权利要求1所述的垂直存储器件,其中所述多个垂直孔布置成六方堆积图案,在所述六方堆积图案中彼此相邻设置的三个垂直孔设置在等边三角形的顶点处。5.根据权利要求1所述的垂直存储器件,其中所述多个垂直孔布置为具有四方格子图案。6.根据权利要求1所述的垂直存储器件,其中所述多个第一支撑孔布置为沿着所述多个上隔离绝缘层具有Z字形形式。7.根据权利要求1所述的垂直存储器件,其中所述多个第一支撑孔沿着所述多个上隔离绝缘层布置成直线。8.根据权利要求1所述的垂直存储器件,其中所述多个第一支撑孔的每个用与所述半导体衬底接触的绝缘层填充。9.根据权利要求8所述的垂直存储器件,其中所述半导体衬底由多晶半导体材料形成,以及其中所述垂直存储器件还包括在所述半导体衬底下方形成外围电路的外围晶体管。10.根据权利要求1所述的垂直存储器件,其中所述多个第一支撑结构的每个包括:与所述半导体衬底接触的导电层;以及设置在所述导电层与所述多个栅电极层之间的绝缘层。11.根据权利要求10所述的垂直存储器件,其中所述半导体衬底包括连接到所述导电层的公共源极区域,所述公共源极区域在所述第一方向上延伸并且掺杂以杂质。12.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员:金爀,张大铉,郑丞弼,赵诚一,
申请(专利权)人:三星电子株式会社,
类型:发明
国别省市:韩国,KR
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