显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种显示装置，其目的在于实现特性稳定且与漏电极以及源电极的导通的可靠性高的显示装置。显示装置在像素形成有TFT，该TFT在基板上将第一氧化物半导体(16)作为有源层，并在漏电极(14)与源电极(15)之间具有沟道部，该显示装置的特征在于，所述漏电极(14)和所述源电极(15)由基底金属、Al层、覆盖金属这三层形成，所述基底金属具有延伸部(bb)，该延伸部(bb)在俯视时与所述Al层以及所述覆盖金属相比更向所述沟道部的沟道长度方向的中心侧延伸，所述第一氧化物半导体(16)的下表面与所述延伸部(bb)接触。

【技术实现步骤摘要】
显示装置
本技术涉及具有使用了氧化物半导体的TFT的显示装置。
技术介绍
在液晶显示装置中，构成如下的结构：配置有呈矩阵状地形成了具有像素电极以及薄膜晶体管(TFT：ThinFilmTransistor)等的像素的TFT基板、和与TFT基板相对置的对置基板，在TFT基板与对置基板之间夹持有液晶。而且，通过针对每个像素控制液晶分子对光的透射率来形成图像。另一方面，有机EL显示装置通过在各像素配置自发光的有机EL层和TFT，来形成彩色图像。由于有机EL显示装置不需要设置背光源，所以作为柔性显示装置等是有利的。在显示装置中，TFT被用于像素中开关元件、扫描线驱动电路等。由于使用了氧化物半导体的TFT的截止(OFF)电阻很高，所以适于用作开关晶体管。另外，与使用了多晶硅(poly-Si)的TFT相比，能够以比较低的温度形成。若氧化物半导体脱氧则电阻变小，从而得不到规定的特性。在专利文献1中记载了如下的结构：覆盖氧化物半导体地形成了第一栅绝缘膜，并覆盖在其上地形成了第二栅绝缘膜。第一栅绝缘膜具有以不从氧化物半导体的表面脱氧的方式进行保护的作用。作为将构成TFT的半导体与漏电极或源电极连接的方法，有底接触方式和顶接触方式。在专利文献2中使用了a-Si(amorphousSilicon：非晶硅)，并记载了在底接触方式的TFT中在a-Si、漏电极以及源电极之下设置由氧化硅(SiO)构成的中间层的结构。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2007-73561号公报专利文献2：日本特开2010-45243号公报氧化物半导体为与漏电极或源电极直接接触的结构。在氧化物半导体的下表面(与TFT基板相对置的面)与漏电极或源电极连接的方法称为底接触，在上表面进行连接的方法称为顶接触。在底接触的情况下，氧化物半导体的膜厚比漏电极或源电极更小，因此，氧化物半导体与漏电极或源电极之间的连接容易出现问题。另一方面，在顶接触的情况下，在形成氧化物半导体后再进行漏电极或源电极的加工，因此，在该工艺中，存在氧化物半导体被污染的危险。
技术实现思路
本技术的课题在于，防止在连接氧化物半导体与漏电极或源电极时氧化物半导体被污染，且确保氧化物半导体与源电极或源电极之间的连接的可靠性。本技术用于克服上述问题，具体的手段如下。(1)一种显示装置，其在像素形成有TFT，该TFT在基板上将第一氧化物半导体作为有源层，在漏电极与源电极之间具有沟道部，所述显示装置的特征在于，所述漏电极和所述源电极由基底金属、Al层、覆盖金属这三层形成，所述基底金属具有延伸部，该延伸部在俯视时与所述Al层以及所述覆盖金属相比更像所述沟道部的沟道长度方向的中心侧延伸，所述第一氧化物半导体的下表面与所述延伸部接触。(2)根据(1)所述的显示装置的特征在于，在所述基底金属的下侧，与所述基底金属接触地形成有第二氧化物半导体。(3)一种显示装置，其形成有TFT，该TFT在基板上形成有栅电极，覆盖所述栅电极地形成有栅绝缘膜，在所述栅绝缘膜之上，将第一氧化物半导体作为有源层，在漏电极与源电极之间具有沟道部，所述显示装置的特征在于，所述漏电极和所述源电极由基底金属、Al层、覆盖金属这三层形成，在所述基底金属与所述栅绝缘膜之间形成有第二氧化物半导体，所述第二氧化物半导体没有形成在所述第一氧化物半导体与所述栅绝缘膜之间。(4)一种显示装置，其形成有具有如下的结构的像素：在基板上形成有第一绝缘膜，在所述第一绝缘膜之上形成有漏电极和源电极，以覆盖所述漏电极与所述源电极之间、所述漏电极以及所述源电极的方式形成有作为有源层的第一氧化物半导体，覆盖所述第一氧化物半导体地形成有栅绝缘膜，在所述栅绝缘膜之上形成有栅电极，所述显示装置的特征在于，所述漏电极和所述源电极由基底金属、Al层、覆盖金属这三层形成，在所述基底金属与所述第一绝缘膜之间形成有第二氧化物半导体，所述第二氧化物半导体没有形成在所述第一氧化物半导体与所述第一绝缘膜之间。附图说明图1是液晶显示装置的俯视图。图2是液晶显示装置的像素部的俯视图。图3是液晶显示装置的像素部的剖视图。图4是使用了氧化物半导体的TFT的顶接触构造的剖视图。图5是示出形成顶接触构造的工艺的示意图。图6是示出使用了氧化物半导体的TFT的底接触构造的问题点的剖视图。图7是示出使用了氧化物半导体的TFT的底接触构造的其他问题点的剖视图。图8是本技术的TFT的剖视图。图9是在栅绝缘膜之上形成了作为保护膜的第二氧化物半导体的状态下的剖视图。图10是成膜有成为漏电极以及源电极的连接金属的状态下的剖视图。图11是示出形成了用于形成漏电极以及源电极的抗蚀剂的状态下的剖视图。图12是通过干式蚀刻将覆盖金属图案化的状态下的剖视图。图13是通过干式蚀刻将Al层图案化的状态下的剖视图。图14是通过干式蚀刻将基底金属图案化的状态下的剖视图。图15是示出在漏电极以及源电极的基底金属形成了延伸部的状态下的剖视图。图16是示出将抗蚀剂以及第二氧化物半导体除去的状态下的剖视图。图17是通过反溅射将氧化膜除去的状态下的剖视图。图18是形成了作为有源层的氧化物半导体的状态下的剖视图。图19是示出在不存在作为保护层的第二氧化物半导体的情况下的干式蚀刻的剖视图。图20是示出在不存在作为保护层的第二氧化物半导体的情况下的问题点的剖视图。图21是示出在不存在作为保护层的第二氧化物半导体的情况下的干式蚀刻的剖视图。图22是示出在不存在作为保护层的第二氧化物半导体的情况下的干式蚀刻后的形状的剖视图。图23是具有顶栅方式的TFT的像素的俯视图。图24是基于本技术的顶栅方式的TFT的剖视图。附图标记说明1…扫描线、2…影像信号线、3…像素、10…TFT基板、11…基底膜、12…栅电极、13…栅绝缘膜、14…漏电极、15…源电极、16…氧化物半导体、17…无机钝化膜、18…有机钝化膜、19…公共电极、20…电容绝缘膜、21…像素电极、22…取向膜、23…通孔、40…保护膜(第二氧化物半导体)、50…抗蚀剂、60…氧化铝、141…基底金属、142…Al层、143…覆盖金属、150…密封材料、151…基底金属、152…Al层、153…覆盖金属、160…驱动IC、170…端子部、300…液晶层、301…液晶分子、500…显示区域、bb…延伸部具体实施方式以下，根据实施例详细说明本技术的内容。在以下的说明中，以液晶显示装置为例进行说明，但本技术还能够应用于有机EL显示装置。实施例1图1是应用了本技术的液晶显示装置的俯视图。在图1中，形成有TFT、和像素电极的TFT基板10和对置基板200在周边通过密封材料150粘结，并在内部封入有液晶。由密封材料150包围的区域成为显示区域500。在显示区域500，扫描线1沿横向(x方向)延伸，并沿纵向(y方向)排列。另外，影像信号线2沿纵向(y方向)延伸，并沿横向(x方向)排列。由扫描线1和影像信号线2包围的区域成为像素3。在图1中，TFT基板10形成得比对置基板200更大，TFT基板10与对置基板200未重叠的部分成为端子部170，在该部分配置有驱动IC160。另外，在端子部170形成有用于连接向液晶显示装置供给电源或信号的柔性布线基板的端子。图2是TFT本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示装置，其在各像素形成有TFT，所述TFT在基板上具有第一氧化物半导体、漏电极和源电极，所述显示装置的特征在于，所述漏电极和所述源电极在所述基板上分隔地形成，而且在所述漏电极和所述源电极的上层配置所述第一氧化物半导体，所述漏电极和所述源电极从靠近所述基板一侧起依次由基底金属、Al层、覆盖金属这三层形成，所述基底金属具有延伸部，所述延伸部在俯视时与所述Al层以及所述覆盖金属相比更向所述漏电极与所述源电极的分隔部的中心侧延伸，所述第一氧化物半导体的与所述基板相对置的面与所述延伸部接触。

【技术特征摘要】
2017.07.04 JP 2017-1310891.一种显示装置，其在各像素形成有TFT，所述TFT在基板上具有第一氧化物半导体、漏电极和源电极，所述显示装置的特征在于，所述漏电极和所述源电极在所述基板上分隔地形成，而且在所述漏电极和所述源电极的上层配置所述第一氧化物半导体，所述漏电极和所述源电极从靠近所述基板一侧起依次由基底金属、Al层、覆盖金属这三层形成，所述基底金属具有延伸部，所述延伸部在俯视时与所述Al层以及所述覆盖金属相比更向所述漏电极与所述源电极的分隔部的中心侧延伸，所述第一氧化物半导体的与所述基板相对置的面与所述延伸部接触。2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述延伸部的长度为0.1μm～0.5μm。3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述Al层的端部在俯视时存在于与所述覆盖金属的端部相比更靠近所述漏电极与所述源电极的分隔部的中心侧。4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第一氧化物半导体的下表面存在于所述Al层的侧面以及所述覆盖金属的上表面。5.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述基底金属以及所述覆盖金属由Ti形成。6.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第一氧化物半导体为IGZO。7.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，在所述基底金属的下侧，与所述基底金属接触地形成有第二氧化物半导体。8.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于，所述第二氧化物半导体的膜厚比所述第一氧化物半导体薄。9.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于，所述第二氧化物半导体由IGZO形成。10.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述TFT为在所述基板与所述第一氧化物半导体之间配置有栅电极的结构。11.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述TFT为在所述基板与栅电极之间配置...

【专利技术属性】
技术研发人员：岩崎一晃，
申请(专利权)人：株式会社日本显示器，
类型：新型
国别省市：日本,JP