用于声控开关的控制电路制造技术

本发明专利技术属于电子电路技术领域，具体的说涉及一种用于声控开关的控制电路。本发明专利技术提供的电路主要包括声音传感器、模数转换器和开关控制器，其特征在于，还包括信号放大电路；所述声音传感器的输出端接信号放大电路的输入端；所述信号放大电路的输出端接模数转换器的输入端；所述模数转换器的输出端接开关控制器的输入端；所述信号放大电路包括依次相连接的偏置电路、第一级放大电路和第二级放大电路。本发明专利技术的有益效果为，极大的提高了声控开关的灵敏度，延缓了声控开关因老化而导致的检测度下降的问题。本发明专利技术尤其适应性于声控开关。

【技术实现步骤摘要】
用于声控开关的控制电路
本专利技术属于电子电路
，具体的说涉及一种用于声控开关的控制电路。
技术介绍
声控开关因为其实用性和便利性，目前得到了十分广泛的应用，特别是住宅楼楼梯内的路灯控制。声控开关的原理是通过声音传感器采集声音信号，再通过模数转换器将信号转换为开关控制器可识别的数字信号后控制开关打开。目前常用的声音传感器的原理是通过对声音敏感的电容，在声音的影响下其电容发生变化从而产生微小的电压，经过转换后识别。但是在实际使用过程中，对声音敏感的电容经过一段时间使用后其对声音的敏感度会严重降低，其在声音信号的影响下产生的电压十分微小而难以识别，导致经常出现用户需要十分用力的跺脚或击掌产生较大的声音才能打开声控开关。这不仅会给用户带来极大的不便，同时产生的巨大噪音还会影响到其他人。因此目前的声控开关的灵敏度存在较大的问题。
技术实现思路
本专利技术所要解决的，就是针对目前的声控开关存在的灵敏度问题，提出一种用于声控开关的控制电路。为实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案：一种用于声控开关的控制电路，包括声音传感器、模数转换器和开关控制器，其特征在于，还包括信号放大电路；所述声音传感器的输出端接信号放大电路的输入端；所述信号放大电路的输出端接模数转换器的输入端；所述模数转换器的输出端接开关控制器的输入端；所述信号放大电路包括依次相连接的偏置电路、第一级放大电路和第二级放大电路；所述第一级放大电路包括第一PMOS管M0、第二PMOS管M1、第三PMOS管M2、第四PMOS管M11、第五PMOS管M12、第一NMOS管M3、第二NMOS管M4、第三NMOS管M5、第四NMOS管M6、第五NMOS管M7、第六NMOS管M8、第七NMOS管M9、第八NMOS管M10和第一电容Cm；所述第二级放大电路包括第六PMOS管M13、第七PMOS管M15、第九NMOS管M14和第二电容Cb；所述偏置电路包括第八PMOS管Mb0、第九PMOS管Mb1、第十NMOS管Mb2、第十一NMOS管Mb3和电流源；第一PMOS管M0的源极、第四PMOS管M11的源极、第五PMOS管M12的源极、第七PMOS管M15的源极、第八PMOS管Mb0的源极和第九PMOS管Mb1的源极均接电源VDD；第八PMOS管Mb0的栅极和漏极、第九PMOS管Mb1的栅极、第一PMOS管M0的栅极与电流源的正向端连接；第一PMOS管M0的漏极与第二PMOS管M1的源极和第三PMOS管M2的源极连接，第二PMOS管M1的栅极为信号放大电路的正向输入端，第三PMOS管M2的栅极为信号放大电路的反向输入端；第二PMOS管M1的漏极与第一电容Cm的一端、第一NMOS管M3的漏极、第二NMOS管M4的栅极、第三NMOS管M5的漏极和栅极以及第四NMOS管M6的栅极连接；第三PMOS管M2的漏极与第二NMOS管M4的漏极、第一NMOS管M3的栅极、第五NMOS管M7的漏极和栅极以及第六NMOS管M8的栅极连接；第四NMOS管M6的漏极连接第七NMOS管M9的源极，第七NMOS管M9的栅极与第八NMOS管M10的栅极、第十NMOS管Mb2的漏极和栅极连接，第七NMOS管M9的漏极与第四PMOS管M11的漏极和栅极以及第五PMOS管M12的栅极连接；第五PMOS管M12的漏极连接第八NMOS管M10的漏极、第七PMOS管M15的栅极和第二电容Cb的一端，第八NMOS管M10的源极和第六NMOS管M8的漏极连接；第二电容Cb的另一端与第六PMOS管M13的栅极和漏极以及第九NMOS管M14的栅极连接；第六PMOS管M13的源极与第十一NMOS管Mb3的栅极和漏极以及第十NMOS管Mb2的源极连接；第九NMOS管M14的漏极、第七PMOS管M15的漏极以及第一电容Cm的另一端连接作为信号放大电路的输出端；电流源的反向端、第十一NMOS管Mb3的源极、第一NMOS管M3的源极、第二NMOS管M4的源极、第三NMOS管M5的源极、第四NMOS管M6的源极、第五NMOS管M7的源极、第六NMOS管M8的源极和第九NMOS管M14的源极均接地。本专利技术的有益效果为，极大的提高了声控开关的灵敏度，延缓了声控开关因老化而导致的检测度下降的问题。附图说明图1为本专利技术的逻辑结构示意图；图2为本专利技术中信号放大电路的电路结构图。具体实施方式图1为本专利技术的一种用于声控开关的控制电路，包括声音传感器、模数转换器和开关控制器，其特征在于，还包括信号放大电路；所述声音传感器的输出端接信号放大电路的输入端；所述信号放大电路的输出端接模数转换器的输入端；所述模数转换器的输出端接开关控制器的输入端；所述信号放大电路包括依次相连接的偏置电路、第一级放大电路和第二级放大电路；如图2所示，所述第一级放大电路包括第一PMOS管M0、第二PMOS管M1、第三PMOS管M2、第四PMOS管M11、第五PMOS管M12、第一NMOS管M3、第二NMOS管M4、第三NMOS管M5、第四NMOS管M6、第五NMOS管M7、第六NMOS管M8、第七NMOS管M9、第八NMOS管M10和第一电容Cm；所述第二级放大电路包括第六PMOS管M13、第七PMOS管M15、第九NMOS管M14和第二电容Cb；所述偏置电路包括第八PMOS管Mb0、第九PMOS管Mb1、第十NMOS管Mb2、第十一NMOS管Mb3和电流源；第一PMOS管M0的源极、第四PMOS管M11的源极、第五PMOS管M12的源极、第七PMOS管M15的源极、第八PMOS管Mb0的源极和第九PMOS管Mb1的源极均接电源VDD；第八PMOS管Mb0的栅极和漏极、第九PMOS管Mb1的栅极、第一PMOS管M0的栅极与电流源的正向端连接；第一PMOS管M0的漏极与第二PMOS管M1的源极和第三PMOS管M2的源极连接，第二PMOS管M1的栅极为信号放大电路的正向输入端，第三PMOS管M2的栅极为信号放大电路的反向输入端；第二PMOS管M1的漏极与第一电容Cm的一端、第一NMOS管M3的漏极、第二NMOS管M4的栅极、第三NMOS管M5的漏极和栅极以及第四NMOS管M6的栅极连接；第三PMOS管M2的漏极与第二NMOS管M4的漏极、第一NMOS管M3的栅极、第五NMOS管M7的漏极和栅极以及第六NMOS管M8的栅极连接；第四NMOS管M6的漏极连接第七NMOS管M9的源极，第七NMOS管M9的栅极与第八NMOS管M10的栅极、第十NMOS管Mb2的漏极和栅极连接，第七NMOS管M9的漏极与第四PMOS管M11的漏极和栅极以及第五PMOS管M12的栅极连接；第五PMOS管M12的漏极连接第八NMOS管M10的漏极、第七PMOS管M15的栅极和第二电容Cb的一端，第八NMOS管M10的源极和第六NMOS管M8的漏极连接；第二电容Cb的另一端与第六PMOS管M13的栅极和漏极以及第九NMOS管M14的栅极连接；第六PMOS管M13的源极与第十一NMOS管Mb3的栅极和漏极以及第十NMOS管Mb2的源极连接；第九NMOS管M14的漏极、第七PMOS管M15的漏极以及第一电容Cm的另一端连接作为信号放大电路的输出端；电流源的反向端、第十一NMOS管Mb3的源极、第一NMOS管M3的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.用于声控开关的控制电路，包括声音传感器、模数转换器和开关控制器，其特征在于，还包括信号放大电路；所述声音传感器的输出端接信号放大电路的输入端；所述信号放大电路的输出端接模数转换器的输入端；所述模数转换器的输出端接开关控制器的输入端；所述信号放大电路包括依次相连接的偏置电路、第一级放大电路和第二级放大电路；所述第一级放大电路包括第一PMOS管M0、第二PMOS管M1、第三PMOS管M2、第四PMOS管M11、第五PMOS管M12、第一NMOS管M3、第二NMOS管M4、第三NMOS管M5、第四NMOS管M6、第五NMOS管M7、第六NMOS管M8、第七NMOS管M9、第八NMOS管M10和第一电容Cm；所述第二级放大电路包括第六PMOS管M13、第七PMOS管M15、第九NMOS管M14和第二电容Cb；所述偏置电路包括第八PMOS管Mb0、第九PMOS管Mb1、第十NMOS管Mb2、第十一NMOS管Mb3和电流源；第一PMOS管M0的源极、第四PMOS管M11的源极、第五PMOS管M12的源极、第七PMOS管M15的源极、第八PMOS管Mb0的源极和第九PMOS管Mb1的源极均接电源VDD；第八PMOS管Mb0的栅极和漏极、第九PMOS管Mb1的栅极、第一PMOS管M0的栅极与电流源的正向端连接；第一PMOS管M0的漏极与第二PMOS管M1的源极和第三PMOS管M2的源极连接，第二PMOS管M1的栅极为信号放大电路的正向输入端，第三PMOS管M2的栅极为信号放大电路的反向输入端；第二PMOS管M1的漏极与第一电容Cm的一端、第一NMOS管M3的漏极、第二NMOS管M4的栅极、第三NMOS管M5的漏极和栅极以及第四NMOS管M6的栅极连接；第三PMOS管M2的漏极与第二NMOS管M4的漏极、第一NMOS管M3的栅极、第五NMOS管M7的漏极和栅极以及第六NMOS管M8的栅极连接；第四NMOS管M6的漏极连接第七NMOS管M9的源极，第七NMOS管M9的栅极与第八NMOS管M10的栅极、第十NMOS管Mb2的漏极和栅极连接，第七NMOS管M9的漏极与第四PMOS管M11的漏极和栅极以及第五PMOS管M12的栅极连接；第五PMOS管M12的漏极连接第八NMOS管M10的漏极、第七PMOS管M15的栅极和第二电容Cb的一端，第八NMOS管M10的源极和第六NMOS管M8的漏极连接；第二电容Cb的另一端与第六PMOS管M13的栅极和漏极以及第九NMOS管M14的栅极连接；第六PMOS管M13的源极与第十一NMOS管Mb3的栅极和漏极以及第十NMOS管Mb2的源极连接；第九NMOS管M14的漏极、第七PMOS管M15的漏极以及第一电容Cm的另一端连接作为信号放大电路的输出端；电流源的反向端、第十一NMOS管Mb3的源极、第一NMOS管M3的源极、第二NMOS管M4的源极、第三NMOS管M5的源极、第四NMOS管M6的源极、第五NMOS管M7的源极、第六NMOS管M8的源极和第九NMOS管M14的源极均接地。...

【技术特征摘要】
1.用于声控开关的控制电路，包括声音传感器、模数转换器和开关控制器，其特征在于，还包括信号放大电路；所述声音传感器的输出端接信号放大电路的输入端；所述信号放大电路的输出端接模数转换器的输入端；所述模数转换器的输出端接开关控制器的输入端；所述信号放大电路包括依次相连接的偏置电路、第一级放大电路和第二级放大电路；所述第一级放大电路包括第一PMOS管M0、第二PMOS管M1、第三PMOS管M2、第四PMOS管M11、第五PMOS管M12、第一NMOS管M3、第二NMOS管M4、第三NMOS管M5、第四NMOS管M6、第五NMOS管M7、第六NMOS管M8、第七NMOS管M9、第八NMOS管M10和第一电容Cm；所述第二级放大电路包括第六PMOS管M13、第七PMOS管M15、第九NMOS管M14和第二电容Cb；所述偏置电路包括第八PMOS管Mb0、第九PMOS管Mb1、第十NMOS管Mb2、第十一NMOS管Mb3和电流源；第一PMOS管M0的源极、第四PMOS管M11的源极、第五PMOS管M12的源极、第七PMOS管M15的源极、第八PMOS管Mb0的源极和第九PMOS管Mb1的源极均接电源VDD；第八PMOS管Mb0的栅极和漏极、第九PMOS管Mb1的栅极、第一PMOS管M0的栅极与电流源的正向端连接；第一PMOS管M0的漏极与第二PMOS管M1的源极和第三PMOS管M2的源极连接，第二PMOS管M1的栅极为信号放大电路的正向输入端，第三PMOS管M2的...

【专利技术属性】
技术研发人员：马朝凤，黑芳，
申请(专利权)人：乐山加兴科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川,51