电连接装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种电连接装置，其包含一金属内连线结构、一第一垂直单元以及一第二垂直单元。金属内连线结构包含多个水平单元。第一垂直单元物理性连接各水平单元的一上表面。第二垂直单元物理性连接各水平单元的一下表面，且第一垂直单元与第二垂直单元错位。本发明专利技术又提供一种电连接装置，其特征在于包含一第一垂直单元以及一第二垂直单元。第一垂直单元物理性连接一水平单元的一上表面。第二垂直单元物理性连接水平单元的一下表面，且第一垂直单元与第二垂直单元错位，施加电压时在第二垂直单元烧断之前第一垂直单元或水平单元先烧断。

【技术实现步骤摘要】
电连接装置
本专利技术涉及一种电连接装置，尤其是涉及一种连接金属内连线结构的电连接装置。
技术介绍
静电放电(ElectrostaticDischarge,ESD)是造成大多数的电子元件或电子系统受到过度电性应力(ElectricalOverstress,EOS)破坏的主要因素。这种破坏会导致半导体元件以及电脑系统等，形成一种永久性的毁坏，因而影响集成电路(IntegratedCircuits,ICs)的电路功能，而使得电子产品工作不正常。静电放电破坏的产生，多是由于人为因素所形成，但又很难避免。电子元件或系统在制造、生产、组装、测试、存放、搬运等的过程中，静电会累积在人体、仪器、储放设备等之中，甚至在电子元件本身也会累积静电，而人们在不知情的情况下，使这些物体相互接触，因而形成了一放电路径，使得电子元件或系统遭到静电放电的肆虐。因此，除了加强对静电累积的控制之外，必须在电子产品中加入具有防患静电放电破坏的装置。
技术实现思路
本专利技术提出一种电连接装置，通过设置电连接装置的局部最大电压乘载量，以限制电连接装置的融断位置，因而能保护电路正常运作，达到延长整体电路装置寿命的效果。本专利技术提供一种电连接装置，其特征在于包含一金属内连线结构、一第一垂直单元以及一第二垂直单元。金属内连线结构包含多个水平单元。第一垂直单元物理性连接各水平单元的一上表面。第二垂直单元物理性连接各水平单元的一下表面，且第一垂直单元与第二垂直单元错位。本专利技术提供一种电连接装置，其特征在于包含一第一垂直单元以及一第二垂直单元。第一垂直单元物理性连接一水平单元的一上表面。第二垂直单元物理性连接水平单元的一下表面，且第一垂直单元与第二垂直单元错位，其中施加电压时，在第二垂直单元烧断之前第一垂直单元或水平单元先烧断。基于上述，本专利技术提出一种电连接装置，其具有一第一垂直单元连接一水平单元的一上表面，且一第二垂直单元连接水平单元的一下表面。当施加电压大于特定电压时，水平单元或其上方的第一垂直单元较水平单元下方的第二垂直单元更易烧断，而能在第二垂直单元烧断前先形成断路，以能避免因水平单元下方的第二垂直单元融断而造成整体电路装置永久损坏，进而延长装置寿命。附图说明图1为本专利技术一优选实施例中电连接装置的剖面示意图；图2为本专利技术一优选实施例中静电防护元件的剖面示意图；图3为本专利技术另一优选实施例中电连接装置的剖面示意图；图4为本专利技术另一优选实施例中电连接装置的剖面示意图；图5为本专利技术一优选实施例中电连接装置的俯视示意图。主要元件符号说明5：绝缘结构10：基底11：重掺杂阱13、14：阱20：电极30：源极区40：掺杂区100、200：电连接装置110、130、210、230、310：金属内连线结构112、112a、112b：水平单元122、122a、122b、322、324：第一垂直单元124、124a、124b：第二垂直单元140、240：扩散区S1、S3、S5、S7：上表面S2、S4、S6、S8：下表面A：静电防护元件CC’：线段C1：第一方向D：阳极S：阴极W：宽度具体实施方式图1绘示本专利技术一优选实施例中电连接装置的剖面示意图。如图1所示，一电连接装置100可包含一金属内连线结构110，此金属内连线结构110则包含一水平单元112。图1为电连接装置的剖面示意图，故仅绘示一水平单元112，但本实施例的水平单元112可为多个，其可向纸面方向排列。每一水平单元112的一上表面S1物理性连接一第一垂直单元122，而此水平单元112的一下表面S2物理性连接一第二垂直单元124。水平单元112、第一垂直单元122及第二垂直单元124可由铜、铝或钨等金属组成。在本实施例中，金属内连线结构110为一第一层金属层(Metal1)，因而第一垂直单元122上方可物理性连接例如一第二层金属层(Metal2)等其他金属内连线结构，但本专利技术不以此为限。本实施例中，第一垂直单元122为一导孔，但在其他实施例中第一垂直单元122可为多个导孔。本实施例中，第二垂直单元124为一接触插塞，但在其他实施例中第二垂直单元124可为多个接触插塞。在本实施例中，第一垂直单元122的材料不同于第二垂直单元124的材料，但本专利技术不以此为限。在此强调，本专利技术的第一垂直单元122与第二垂直单元124错位设置，因而在第一垂直单元122与第二垂直单元124之间所连接的水平单元112可作为通电流时整体电连接装置100的最易局部融断位置，当施加于电连接装置100的电压大于一特定电压(此电压小于第二垂直单元124的融断电压)时，水平单元112则先烧断而使电连接装置100形成断路，如此能防止更高的电压融断第二垂直单元124而造成整体电路装置永久损坏，以能延长装置寿命。在本实施例中，整体电连接装置100的最易局部融断位置位于第一垂直单元122与第二垂直单元124之间所连接的水平单元112，但整体电连接装置100的最易局部融断位置也可位于第一垂直单元122。换言之，第一垂直单元122及水平单元112在整体电路装置中具有可替代性，当第一垂直单元122或水平单元112损坏后，也可由其他金属内连线结构，或者金属内连线结构110中的其他水平单元(未绘示)取代原有流经第一垂直单元122及水平单元112的电路路径，以维持整体电路装置的正常运作。在其他实施例中，也可设置为第一垂直单元122及水平单元112的最大能乘载电压都小于第二垂直单元124的最大能乘载电压，使烧断第二垂直单元124之前必先烧断第一垂直单元122或水平单元112，以能更进一步防止第二垂直单元124损坏，以达到本专利技术防止整体电路装置永久损坏并延长装置寿命的目的。换言之，本专利技术的水平单元112的最大电流乘载量小于第二垂直单元124的最大电流乘载量；或者，第一垂直单元122的最大电流乘载量小于第二垂直单元124的最大电流乘载量。更甚者，水平单元112及第一垂直单元122的最大电流乘载量都小于第二垂直单元124的最大电流乘载量。在一实施例中，第二垂直单元124可包含多个接触插塞，而第一垂直单元122仅包含单一导孔。如此一来，即便接触插塞与导孔具有相同的最大电流乘载量，但由于第二垂直单元124包含了多个接触插塞可分摊电流，因而仅具有单一导孔的第一垂直单元122在施加过大电压时，会较第二垂直单元124先烧断，以保护第二垂直单元124及其连接的电路装置。再者，本实施例的第二垂直单元124设置于一扩散区140上以及电连接扩散区140。在一优选实施例中，第二垂直单元124物理性连接扩散区140，因而本实施例即可防止第二垂直单元124以及第二垂直单元124所直接连接的扩散区140损坏。扩散区140可例如为一源极区或一漏极区，但本专利技术不以此为限。在一实施例中，扩散区140可例如为一高分子静电防护元件(polymerelectrostaticdischarge,PESD)的一漏极区，如2图绘示本专利技术一优选实施例中静电防护元件的剖面示意图。在此强调，本实施例仅为本专利技术的一实施例，但本专利技术也可适用于其他静电防护元件，其例如为一双载流子接面晶体管(bipolarjunctiontransistor，BJT)、一二极管(Diode)或一硅控整流器(SiliconControlledRect本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电连接装置，其特征在于，包含：金属内连线结构，包含多个水平单元；第一垂直单元，物理性连接各该水平单元的一上表面；以及第二垂直单元，物理性连接各该水平单元的一下表面，且该第一垂直单元与该第二垂直单元错位，其中该第二垂直单元物理性连接一扩散区。

【技术特征摘要】
1.一种电连接装置，其特征在于，包含：金属内连线结构，包含多个水平单元；第一垂直单元，物理性连接各该水平单元的一上表面；以及第二垂直单元，物理性连接各该水平单元的一下表面，且该第一垂直单元与该第二垂直单元错位，其中该第二垂直单元物理性连接一扩散区。2.如权利要求1所述的电连接装置，其特征在于，该些水平单元沿着一第一方向并排。3.如权利要求2所述的电连接装置，其特征在于，该些水平单元彼此平行。4.如权利要求2所述的电连接装置，其特征在于，物理性连接各该水平单元的该第一垂直单元在该第一方向仅具有单一导孔。5.如权利要求1所述的电连接装置，其特征在于，各该第一垂直单元包含一导孔或多个导孔。6.如权利要求1所述的电连接装置，其特征在于，各该第二垂直单元包含一接触插塞或多个接触插塞。7.如权利要求6所述的电连接装置，其特征在于，各该第二垂直单元包含多个接触插塞且各该第一垂直单元仅包含单一导孔。8.如权利要求1所述的电连接装置，其特征在于，该金属内连线结构包含第一层金属层。9.如权利要求1所述的电连接装置，其特征在于，该金属内连线结构设置于该扩散区上。10.如权利要求1所述的电连接装置，其特征在于，该扩散区包含静电防护元件的阳极区或阴极区。11.如权利要求1所述的电连接装置，其特征在于，各该水...

【专利技术属性】
技术研发人员：王志铭，王礼赐，唐天浩，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71