半导体装置的制造方法制造方法及图纸

技术编号:19879568 阅读:32 留言:0更新日期:2018-12-22 18:26
本发明专利技术的半导体装置的制造方法至少具备以下3个工序。工序(A),准备结构体,所述结构体具备具有电路形成面的半导体晶片、以及贴合于上述半导体晶片的上述电路形成面侧的粘着性膜(100);工序(B),将上述半导体晶片的与上述电路形成面侧相反侧的面进行背面研磨;工序(C),对粘着性膜(100)照射紫外线之后从上述半导体晶片除去粘着性膜(100)。作为粘着性膜(100),使用具备基材层(10)、以及设置于基材层(10)的一面侧的紫外线固化型的粘着性树脂层(20)的粘着性膜。而且,在粘着性膜(100)中,粘着性树脂层(20)包含紫外线固化型粘着性树脂,利用特定的方法测定得到的紫外线固化后的粘着性树脂层(20)的表面的饱和带电压V1为2.0kV以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置的制造方法
本专利技术涉及半导体装置的制造方法。
技术介绍
在半导体装置的制造工序中,在将半导体晶片进行磨削的工序中,为了防止半导体晶片的损伤,在半导体晶片上粘贴有粘着性膜。这样的粘着性膜通常使用在基材膜上层叠紫外线固化型的粘着性树脂层而成的膜。该粘着性膜通过照射紫外线,从而粘着性树脂层交联而粘着性树脂层的粘着力降低,因此能够从半导体晶片容易地剥离粘着性膜。另一方面,在使用了这样的粘着性膜的半导体装置的制造工序中,从半导体晶片剥离粘着性膜时,有时会产生被称为剥离带电的静电。有时由这样的操作而产生的静电会破坏半导体晶片上所形成的电路(静电破坏),或尘埃等异物会附着于半导体晶片上所形成的电路。特别是,随着近年来的半导体晶片的高密度化、配线的窄间距化,半导体晶片具有比以往更易于受到的静电带来的影响的倾向。鉴于这样的情况,近年来,对于半导体装置的制造工序中用于防止半导体晶片损伤的粘着性膜,也要求进一步提高抗静电性能。作为关于这样的半导体晶片加工用粘着性膜的技术,可举出例如,专利文献1(日本特开2011-210944号公报)所记载的技术。专利文献1中记载了一种抗静电性半导体加工用粘着带,其特征在于:是由基材膜和光固化型的粘着剂层构成的粘着带,其在上述基材膜的至少一面具有含有导电性高分子的抗静电层、以及在上述抗静电层上的在基础聚合物的分子内含有光固化性不饱和碳键的粘着剂层,紫外线固化前后的上述粘着剂层侧的表面电阻率为1×106~5×1012Ω/□,粘着剂层的厚度为20~250μm,将粘着带贴合于硅镜面晶片时的粘着剂层的紫外线固化后的90度剥离粘着力(按照JISZ0237;剥离速度为50mm/min)为0.15~0.25N/25mm。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2011-210944号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题如上述
技术介绍
的项目中所述那样,近年来,对于半导体晶片加工用粘着性膜的静电对策这样的观点所要求的技术水平越来越高。关于专利文献1所记载的那样的现有的半导体晶片加工用粘着性膜,本专利技术人等发现了以下那样的课题。首先,本专利技术人等认识到专利文献1所记载的粘着性膜在从半导体晶片剥离粘着性膜时,半导体晶片的电路形成面易于残留粘着性膜的粘着成分,即易于发生残胶,对半导体晶片表面的耐污染性差。进一步,根据本专利技术人等的研究,明确了对于专利文献1所记载的粘着性膜,如果为了抑制残胶的发生而增加紫外线的照射量以提高粘着剂层的交联度,则残胶的发生被抑制而改善对半导体晶片表面的耐污染性,然而,此时抗静电性恶化。即,根据本专利技术人等的研究,明确了现有的半导体晶片加工用粘着性膜中,对半导体晶片表面的耐污染性与抗静电性之间存在权衡关系。即,本专利技术人等发现在现有的半导体晶片加工用粘着性膜中,从平衡良好地提高对半导体晶片表面的耐污染性和抗静电性这样的观点出发,有改善的余地。本专利技术是鉴于上述情况做出的专利技术,提供能够抑制电路的绝缘击穿和对电路形成面的残胶,能够稳定地获得品质优异的半导体装置的半导体装置的制造方法。用于解决课题的方法本专利技术人等为了完成上述课题而反复进行了深入研究。其结果得到了下述认识:对于具备基材层、以及设置于基材层的一面侧的紫外线固化型的粘着性树脂层的粘着性膜而言,以高紫外线量进行光固化后的粘着性树脂层的饱和带电压这样的标准作为用于兼具对半导体晶片表面的耐污染性和抗静电性的设计指针是有效的。而且,本专利技术人等基于上述认识,进一步进行了深入研究,结果发现,通过使以高紫外线量进行光固化后的粘着性树脂层的饱和带电压处于特定值以下,能够改善上述权衡关系,能够平衡良好地提高对半导体晶片表面的耐污染性和抗静电性,由此完成本专利技术。根据本专利技术,提供以下所示的半导体装置的制造方法。[1]一种半导体装置的制造方法,至少具备下述工序:工序(A),准备结构体,所述结构体具备具有电路形成面的半导体晶片、以及贴合于上述半导体晶片的上述电路形成面侧的粘着性膜,工序(B),将上述半导体晶片的与上述电路形成面侧相反侧的面进行背面研磨,工序(C),对上述粘着性膜照射紫外线之后,从上述半导体晶片除去上述粘着性膜,作为上述粘着性膜,使用具备基材层、以及设置于上述基材层的一面侧的紫外线固化型的粘着性树脂层的粘着性膜,上述粘着性树脂层包含紫外线固化型粘着性树脂,利用下述方法测定得到的紫外线固化后的上述粘着性树脂层表面的饱和带电压V1为2.0kV以下。(方法)对于上述粘着性树脂层,在25℃的环境下使用高压水银灯,以照射强度100mW/cm2照射紫外线量1080mJ/cm2的主波长365nm的紫外线,使上述粘着性树脂层光固化。然后在外加电压10kV、试样与电极的距离20mm、25℃、50%RH的条件下,对于上述粘着性树脂层的表面外加电压30秒,按照JISL1094算出上述粘着性树脂层的表面的饱和带电压(V1)。[2]根据上述[1]所述的半导体装置的制造方法,在上述工序(C)中,通过对于上述粘着性膜照射350mJ/cm2以上的剂量的紫外线,从而使上述粘着性树脂层光固化来降低上述粘着性树脂层的粘着力,然后,从上述半导体晶片除去上述粘着性膜。[3]根据上述[1]或[2]所述的半导体装置的制造方法,上述半导体晶片的上述电路形成面形成有凸块电极。[4]根据上述[1]~[3]中任一项所述的半导体装置的制造方法,利用下述方法测定得到的紫外线固化后的上述粘着性树脂层的表面的粘性力为0.1N/cm2以下。(方法)对于上述粘着性树脂层,在25℃的环境下使用高压水银灯,以照射强度100mW/cm2照射紫外线量1080mJ/cm2的主波长365nm的紫外线,使上述粘着性树脂层光固化。然后使用探针初粘力测试仪作为测定装置,使直径5mm的探针与上述粘着性树脂层的表面以10mm/秒的速度进行接触,以0.98N/cm2的接触载荷接触10秒之后,以10mm/秒的速度将上述探针从上述粘着性树脂层的表面沿垂直方向进行剥离,以该方法测定上述粘着性树脂层的表面的粘性力。[5]根据上述[1]~[4]中任一项所述的半导体装置的制造方法,将利用下述方法测定得到的紫外线固化后的上述粘着性树脂层的表面的饱和带电压设为V2时,V1/V2为5.0以下。(方法)对于上述粘着性树脂层,在25℃的环境下使用高压水银灯,以照射强度100mW/cm2照射紫外线量200mJ/cm2的主波长365nm的紫外线,使上述粘着性树脂层光固化。然后在外加电压10kV、试样与电极的距离20mm、25℃、50%RH的条件下,对于上述粘着性树脂层的表面外加电压30秒,按照JISL1094算出上述粘着性树脂层的表面的饱和带电压(V2)。[6]根据上述[1]~[5]中任一项所述的半导体装置的制造方法,上述饱和带电压V1的半衰期为100秒以下。[7]根据上述[1]~[6]中任一项所述的半导体装置的制造方法,上述粘着性树脂层的厚度为5μm以上550μm以下。[8]根据上述[1]~[7]中任一项所述的半导体装置的制造方法,上述粘着性树脂层从上述基材层侧起依次具有抗静电层和粘着性层。[9]根据上述[8]所述的半导体装置的制造方法,上述抗静电层包含导电性高分子。[10]根据上述[8]或[9]所述的半导体装置的制造方法,上述粘着性层包含紫外线固本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种半导体装置的制造方法,至少具备下述工序:工序(A),准备结构体,所述结构体具备具有电路形成面的半导体晶片、以及贴合于所述半导体晶片的所述电路形成面侧的粘着性膜,工序(B),将所述半导体晶片的与所述电路形成面侧相反侧的面进行背面研磨,工序(C),对所述粘着性膜照射紫外线之后,从所述半导体晶片除去所述粘着性膜,作为所述粘着性膜,使用具备基材层、以及设置于所述基材层的一面侧的紫外线固化型的粘着性树脂层的粘着性膜,所述粘着性树脂层包含紫外线固化型粘着性树脂,利用下述方法测定得到的紫外线固化后的所述粘着性树脂层表面的饱和带电压V 1为2.0kV以下,方法:对于所述粘着性树脂层,在25℃的环境下使用高压水银灯,以照射强度100mW/cm2照射紫外线量1080mJ/cm2的主波长365nm的紫外线,使所述粘着性树脂层光固化,然后在外加电压10kV、试样与电极的距离20mm、25℃、50%RH的条件下,对于所述粘着性树脂层的表面外加电压30秒,按照JIS L1094算出所述粘着性树脂层的表面的饱和带电压(V1)。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.03.31 JP 2016-0709551.一种半导体装置的制造方法,至少具备下述工序:工序(A),准备结构体,所述结构体具备具有电路形成面的半导体晶片、以及贴合于所述半导体晶片的所述电路形成面侧的粘着性膜,工序(B),将所述半导体晶片的与所述电路形成面侧相反侧的面进行背面研磨,工序(C),对所述粘着性膜照射紫外线之后,从所述半导体晶片除去所述粘着性膜,作为所述粘着性膜,使用具备基材层、以及设置于所述基材层的一面侧的紫外线固化型的粘着性树脂层的粘着性膜,所述粘着性树脂层包含紫外线固化型粘着性树脂,利用下述方法测定得到的紫外线固化后的所述粘着性树脂层表面的饱和带电压V1为2.0kV以下,方法:对于所述粘着性树脂层,在25℃的环境下使用高压水银灯,以照射强度100mW/cm2照射紫外线量1080mJ/cm2的主波长365nm的紫外线,使所述粘着性树脂层光固化,然后在外加电压10kV、试样与电极的距离20mm、25℃、50%RH的条件下,对于所述粘着性树脂层的表面外加电压30秒,按照JISL1094算出所述粘着性树脂层的表面的饱和带电压(V1)。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法,在所述工序(C)中,通过对于所述粘着性膜照射350mJ/cm2以上的剂量的紫外线,从而使所述粘着性树脂层光固化来降低所述粘着性树脂层的粘着力,然后,从所述半导体晶片除去所述粘着性膜。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法,所述半导体晶片的所述电路形成面形成有凸块电极。4.根据权利要求1~3中任一项所述的半导体装置的制造方法,利用下述方法测定得到的紫外线固化后的所述粘着性树脂层的表面的粘性力为0.1N/cm2以下,方法:对于所述粘着性树脂层,在25℃的环境下使用高压水银灯,以照射强度100mW/cm2照射紫外线量1080mJ/cm2的主波长365nm的紫外线,使所述粘着性树脂层光固化,然后使用探针初粘力测试仪作为测定装置,使直径5mm的探针与所述粘着性树脂层的表面以10mm/秒的速度进行接触,以0.98N/cm2的接触载荷接触10秒之后,以...

【专利技术属性】
技术研发人员:栗原宏嘉福本英树
申请(专利权)人:三井化学东赛璐株式会社
类型:发明
国别省市:日本,JP

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