【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置的制造方法
本专利技术涉及半导体装置的制造方法。
技术介绍
在半导体装置的制造工序中,在将半导体晶片进行磨削的工序中,为了防止半导体晶片的损伤,在半导体晶片上粘贴有粘着性膜。这样的粘着性膜通常使用在基材膜上层叠紫外线固化型的粘着性树脂层而成的膜。该粘着性膜通过照射紫外线,从而粘着性树脂层交联而粘着性树脂层的粘着力降低,因此能够从半导体晶片容易地剥离粘着性膜。另一方面,在使用了这样的粘着性膜的半导体装置的制造工序中,从半导体晶片剥离粘着性膜时,有时会产生被称为剥离带电的静电。有时由这样的操作而产生的静电会破坏半导体晶片上所形成的电路(静电破坏),或尘埃等异物会附着于半导体晶片上所形成的电路。特别是,随着近年来的半导体晶片的高密度化、配线的窄间距化,半导体晶片具有比以往更易于受到的静电带来的影响的倾向。鉴于这样的情况,近年来,对于半导体装置的制造工序中用于防止半导体晶片损伤的粘着性膜,也要求进一步提高抗静电性能。作为关于这样的半导体晶片加工用粘着性膜的技术,可举出例如,专利文献1(日本特开2011-210944号公报)所记载的技术。专利文献1中记载了一种抗静电性半导体加工用粘着带,其特征在于:是由基材膜和光固化型的粘着剂层构成的粘着带,其在上述基材膜的至少一面具有含有导电性高分子的抗静电层、以及在上述抗静电层上的在基础聚合物的分子内含有光固化性不饱和碳键的粘着剂层,紫外线固化前后的上述粘着剂层侧的表面电阻率为1×106~5×1012Ω/□,粘着剂层的厚度为20~250μm,将粘着带贴合于硅镜面晶片时的粘着剂层的紫外线固化后的90度剥离粘着力(按照JI ...
【技术保护点】
1.一种半导体装置的制造方法,至少具备下述工序:工序(A),准备结构体,所述结构体具备具有电路形成面的半导体晶片、以及贴合于所述半导体晶片的所述电路形成面侧的粘着性膜,工序(B),将所述半导体晶片的与所述电路形成面侧相反侧的面进行背面研磨,工序(C),对所述粘着性膜照射紫外线之后,从所述半导体晶片除去所述粘着性膜,作为所述粘着性膜,使用具备基材层、以及设置于所述基材层的一面侧的紫外线固化型的粘着性树脂层的粘着性膜,所述粘着性树脂层包含紫外线固化型粘着性树脂,利用下述方法测定得到的紫外线固化后的所述粘着性树脂层表面的饱和带电压V 1为2.0kV以下,方法:对于所述粘着性树脂层,在25℃的环境下使用高压水银灯,以照射强度100mW/cm2照射紫外线量1080mJ/cm2的主波长365nm的紫外线,使所述粘着性树脂层光固化,然后在外加电压10kV、试样与电极的距离20mm、25℃、50%RH的条件下,对于所述粘着性树脂层的表面外加电压30秒,按照JIS L1094算出所述粘着性树脂层的表面的饱和带电压(V1)。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.03.31 JP 2016-0709551.一种半导体装置的制造方法,至少具备下述工序:工序(A),准备结构体,所述结构体具备具有电路形成面的半导体晶片、以及贴合于所述半导体晶片的所述电路形成面侧的粘着性膜,工序(B),将所述半导体晶片的与所述电路形成面侧相反侧的面进行背面研磨,工序(C),对所述粘着性膜照射紫外线之后,从所述半导体晶片除去所述粘着性膜,作为所述粘着性膜,使用具备基材层、以及设置于所述基材层的一面侧的紫外线固化型的粘着性树脂层的粘着性膜,所述粘着性树脂层包含紫外线固化型粘着性树脂,利用下述方法测定得到的紫外线固化后的所述粘着性树脂层表面的饱和带电压V1为2.0kV以下,方法:对于所述粘着性树脂层,在25℃的环境下使用高压水银灯,以照射强度100mW/cm2照射紫外线量1080mJ/cm2的主波长365nm的紫外线,使所述粘着性树脂层光固化,然后在外加电压10kV、试样与电极的距离20mm、25℃、50%RH的条件下,对于所述粘着性树脂层的表面外加电压30秒,按照JISL1094算出所述粘着性树脂层的表面的饱和带电压(V1)。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法,在所述工序(C)中,通过对于所述粘着性膜照射350mJ/cm2以上的剂量的紫外线,从而使所述粘着性树脂层光固化来降低所述粘着性树脂层的粘着力,然后,从所述半导体晶片除去所述粘着性膜。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法,所述半导体晶片的所述电路形成面形成有凸块电极。4.根据权利要求1~3中任一项所述的半导体装置的制造方法,利用下述方法测定得到的紫外线固化后的所述粘着性树脂层的表面的粘性力为0.1N/cm2以下,方法:对于所述粘着性树脂层,在25℃的环境下使用高压水银灯,以照射强度100mW/cm2照射紫外线量1080mJ/cm2的主波长365nm的紫外线,使所述粘着性树脂层光固化,然后使用探针初粘力测试仪作为测定装置,使直径5mm的探针与所述粘着性树脂层的表面以10mm/秒的速度进行接触,以0.98N/cm2的接触载荷接触10秒之后,以...
【专利技术属性】
技术研发人员:栗原宏嘉,福本英树,
申请(专利权)人:三井化学东赛璐株式会社,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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