带保护膜的半导体芯片的制造方法及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种带保护膜的半导体芯片(19)的制造方法，其中，在半导体晶圆(18)贴附能量射线固化性的保护膜形成用膜(13)后，对保护膜形成用膜(13)照射能量射线而使其固化，接着，对半导体晶圆(18)进行切割。对保护膜形成用膜(13)照射能量射线而制成保护膜(13’)时，保护膜(13’)的拉伸弹性模量为500MPa以上。本发明专利技术也涉及一种半导体装置的制造方法，其中，拾取带保护膜的半导体芯片(19)，并将半导体芯片(19)连接于衬底。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】带保护膜的半导体芯片的制造方法及半导体装置的制造方法
本专利技术涉及一种带保护膜的半导体芯片的制造方法及半导体装置的制造方法。本申请基于2016年4月28日在日本提出申请的日本特愿2016-92010号而主张优先权，并将其内容援引至本文中。
技术介绍
近年来，正在应用被称为所谓倒装(facedown)方式的安装方法制造半导体装置。在倒装方式中，使用在电路面上具有凸块等电极的半导体芯片，所述电极与衬底接合。因此，半导体芯片的与电路面为相反侧的背面有时会露出。有时在该露出的半导体芯片的背面形成含有有机材料的树脂膜作为保护膜，从而以带保护膜的半导体芯片的形式组入至半导体装置中。保护膜用于防止在切割工序、封装之后在半导体芯片产生裂纹。为了形成这样的保护膜，例如使用在支撑片上具备用于形成保护膜的保护膜形成用膜而成的保护膜形成用复合片。在保护膜形成用复合片中，保护膜形成用膜能够通过固化而形成保护膜，并且能够利用支撑片作为切割片，能够制成将保护膜形成用膜与切割片一体化的保护膜形成用复合片。作为这样的保护膜形成用复合片，例如当前主要利用具备热固化性的保护膜形成用膜的保护膜形成用复合片，所述热固化性的保护膜形成用膜通过加热而固化，由此形成保护膜。此时，例如在半导体晶圆的背面(与电极形成面为相反侧的面)通过热固化性的保护膜形成用膜贴附保护膜形成用复合片后，通过加热使保护膜形成用膜固化而制成保护膜，通过切割将半导体晶圆连同保护膜一起分割而制成半导体芯片。然后，将半导体芯片在贴附有该保护膜的状态下直接从支撑片分离而进行拾取。应予说明，保护膜形成用膜的固化和切割有时也以与此相反的顺序进行。但是，热固化性的保护膜形成用膜的加热固化通常需要数小时左右的长时间，因此期望缩短固化时间。针对上述情况，正在研究将能够通过照射紫外线等能量射线而固化的保护膜形成用膜用于形成保护膜。例如公开了：形成在剥离膜上的能量射线固化型保护膜(参照专利文献1)；能够形成高硬度且对半导体芯片的密合性优异的保护膜的能量射线固化型芯片保护用膜(参照专利文献2)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利第5144433号公报专利文献2：日本特开2010-031183号公报
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题但是，在使用了专利文献1及2中所公开的能量射线固化型芯片保护用膜的半导体芯片、半导体装置的制造中，在切割半导体晶圆时，有刀片堵塞的问题、保护层产生小的缺损即碎屑的顾虑。另外，对于拾取后的带保护膜的半导体芯片，有时为了在下一工序中使用而包装于如图8所示的压纹载带102，且该压纹载带102以卷绕于绕线盘的状态进行保管、搬运或商品交易。收纳于所述压纹载带102时，拾取后的带保护膜的半导体芯片101通常使半导体芯片的电路面侧朝向压纹载带102的口袋102a的底部，使保护膜侧朝向所述口袋102a的开口部而进行收纳。贴附构成压纹载带102的盖部的外封带103，由此将所述开口部封闭而进行包装。将带保护膜的半导体芯片101在下一工序中使用时，例如，将包装有带保护膜的半导体芯片101的压纹载带102连同绕线盘一起设置于贴片机，在衬底安装带保护膜的半导体芯片101。此时，剥离所述外封带103，从压纹载带102的口袋102a取出带保护膜的半导体芯片101，但有时带保护膜的半导体芯片101通过保护膜附着于外封带103而成为对衬底安装带保护膜的半导体芯片101的工序的障碍。因此，本专利技术的目的在于提供一种带保护膜的半导体芯片的制造方法及半导体装置的制造方法，所述带保护膜的半导体芯片的制造方法具有如下特性：在切割半导体晶圆时，不易产生刀片堵塞、碎屑，在将带保护膜的半导体芯片收纳于压纹载带的口袋时，能够抑制带保护膜的半导体芯片附着于外封带。解决技术问题的技术手段为了解决上述课题，本专利技术的带保护膜的半导体芯片的制造方法在将能量射线固化性的保护膜形成用膜贴附于半导体晶圆后，对所述保护膜形成用膜照射能量射线而使其固化，接着，对所述半导体晶圆进行切割，其中，对所述保护膜形成用膜照射能量射线而制成保护膜时，所述保护膜的拉伸弹性模量为500MPa以上。在本专利技术的带保护膜的半导体芯片的制造方法中，可以对所述保护膜形成用膜照射能量射线而制成保护膜后，将所述保护膜贴附于支撑片，接着，对所述半导体晶圆进行切割。在本专利技术的带保护膜的半导体芯片的制造方法中，可以将在支撑片上具备所述保护膜形成用膜而成的保护膜形成用复合片的所述保护膜形成用膜侧贴附于所述半导体晶圆。本专利技术的半导体装置的制造方法拾取通过上述任一项所述的制造方法而得到的带保护膜的半导体芯片，并将所述半导体芯片连接于衬底。专利技术效果根据本专利技术，提供一种带保护膜的半导体芯片的制造方法及半导体装置的制造方法，所述带保护膜的半导体芯片的制造方法在切割半导体晶圆时不易产生刀片堵塞、碎屑，在将带保护膜的半导体芯片收纳于压纹载带的口袋时，能够抑制带保护膜的半导体芯片附着于外封带。附图说明图1为表示本专利技术的带保护膜的半导体芯片的制造方法的概略图。图2为示意性地表示能够用于本专利技术的保护膜形成用复合片的一实施方式的截面图。图3为示意性地表示能够用于本专利技术的保护膜形成用复合片的另一实施方式的截面图。图4为示意性地表示能够用于本专利技术的保护膜形成用复合片的又一实施方式的截面图。图5为示意性地表示能够用于本专利技术的保护膜形成用复合片的又一实施方式的截面图。图6为示意性地表示能够用于本专利技术的保护膜形成用复合片的又一实施方式的截面图。图7为示意性地表示能够用于本专利技术的保护膜形成用片的实施方式的截面图。图8为示意性地表示将带保护膜的半导体芯片收纳于压纹载带的口袋并贴附外封带而封盖的状态、以及剥离所述外封带后的状态的截面图。具体实施方式◇带保护膜的半导体芯片及半导体装置的制造方法图1为表示本专利技术的带保护膜的半导体芯片的制造方法的概略图。本专利技术的带保护膜的半导体芯片19的制造方法在将能量射线固化性的保护膜形成用膜13贴附于半导体晶圆18后，对保护膜形成用膜13照射能量射线而使其固化，接着，对半导体晶圆18进行切割。对保护膜形成用膜13照射能量射线而使其固化后进行切割，由此切割时的保护膜13’硬，因此，在切割半导体晶圆18时不易产生刀片堵塞、碎屑。另外，由于保护膜13’的拉伸弹性模量为500MPa以上，较硬，因此，能够抑制带保护膜的半导体芯片附着于外封带。在本专利技术的带保护膜的半导体芯片的制造方法中，可以在对上述保护膜形成用膜照射能量射线而制成保护膜后，将上述保护膜贴附于支撑片，接着，对上述半导体晶圆进行切割。此时，可以分别适当选择使用适于半导体晶圆的制品、制造的保护膜形成用膜及支撑片。此时的本专利技术的带保护膜的半导体芯片的制造方法如下：即，在将能量射线固化性的保护膜形成用膜贴附于半导体晶圆的背面(与电极形成面为相反侧的面)后，对上述保护膜形成用膜照射能量射线而使其固化，制成保护膜后，将上述保护膜贴附于支撑片，接着，对上述半导体晶圆进行切割。在本专利技术的带保护膜的半导体芯片的制造方法中，可以将在支撑片上具备上述保护膜形成用膜而成的保护膜形成用复合片的上述保护膜形成用膜侧贴附于上述半导体晶圆，由此能够将贴附工序简化。此时的本专利技术的带保护膜的半导体芯片的制造方法可以如下所示。本专利技术的带保护膜的半导体芯片本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种带保护膜的半导体芯片的制造方法，在将能量射线固化性的保护膜形成用膜贴附于半导体晶圆后，对所述保护膜形成用膜照射能量射线而使其固化，接着，对所述半导体晶圆进行切割，其中，对所述保护膜形成用膜照射能量射线而制成保护膜时，所述保护膜的拉伸弹性模量为500MPa以上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.04.28 JP 2016-0920101.一种带保护膜的半导体芯片的制造方法，在将能量射线固化性的保护膜形成用膜贴附于半导体晶圆后，对所述保护膜形成用膜照射能量射线而使其固化，接着，对所述半导体晶圆进行切割，其中，对所述保护膜形成用膜照射能量射线而制成保护膜时，所述保护膜的拉伸弹性模量为500MPa以上。2.根据权利要求1所述的带保护膜的半导体芯片的制造方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：稻男洋一，佐藤明德，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP