半导体封装件及其制造方法技术

一种半导体封装件及其制造方法。半导体封装件包括基板、芯片、包覆材料及散热片。基板具有外侧面。芯片设于基板上。包覆材料包覆芯片且具有上表面及外侧面，包覆材料的外侧面相对基板的外侧面内缩。散热片设于包覆材料的上表面且具有外侧面，散热片的外侧面相对包覆材料的外侧面内缩。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装件及其制造方法本案是申请号为201310357681.2，申请日为2013年08月15日的专利技术专利的分案申请。
本专利技术是有关于一种半导体封装件及其制造方法，且特别是有关于一种具有散热片的半导体封装件及其制造方法。
技术介绍
受到提升工艺速度及尺寸缩小化的需求，半导体元件变得甚复杂。当工艺速度的提升及小尺寸的效益明显增加时，半导体元件的特性也出现问题。特别是指，较高的工作时脉(clockspeed)在信号电平(signallevel)之间导致更频繁的转态(transition)，因而半导体元件的工作负担加重，产生更多的热量，因而导致工作温度上升。因此，如何驱散半导体元件产生的热量，成为本
业界努力重点之一。
技术实现思路
本专利技术是有关于一种半导体封装件及其制造方法，可驱散半导体封装件的热量。根据本专利技术，提出一种半导体封装件。半导体封装件包括一基板、一芯片、一包覆材料及一散热片。基板具有一外侧面。芯片设于基板上。包覆材料包覆芯片且具有一上表面及一第一外侧面，包覆材料的第一外侧面相对基板的外侧面内缩。散热片设于包覆材料的上表面且具有一外侧面，散热片的外侧面相对包覆材料的第一外侧面内缩。根据本专利技术，提出一种半导体封装件的制造方法。制造方包括以下步骤。设置一芯片于一基板上；并列设置一散热片对应于基板；形成一包覆材料于散热片及基板之间，其中包覆材料包覆该芯片且具有一上表面；形成一第一切割道依序经过散热片及包覆材料的一部分，其中散热片形成一外侧面，而包覆材料形成一第一外侧面；蚀刻散热片，使散热片的外侧面相对包覆材料的第一外侧面内缩；形成一第二切割道经过基板及包覆材料的其余部分，其中基板形成一外侧面，且包覆材料的第一外侧面相对基板的外侧面内缩。为让本专利技术的上述内容能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图，作详细说明如下：附图说明图1绘示依照本专利技术一实施例的半导体封装件的剖视图。图2A至2H绘示图1的半导体封装件的制造过程图。主要元件符号说明：100：半导体封装件110：基板110a：封装单元区110b、141b：下表面110s、140s：外侧面110u、130u、141u：上表面120：芯片121：焊球130：包覆材料130s1：第一外侧面130s2：第二外侧面140：散热片141：铜层141s：第三外侧面1411、1421：毛边142：金属层150：电性接点P1：第一切割道P2：第二切割道T1：第一刀具T2：第二刀具W1、W2：宽度具体实施方式请参照图1，其绘示依照本专利技术一实施例的半导体封装件的剖视图。半导体封装件100包括基板110、芯片120、包覆材料130、散热片140及电性接点150。芯片120是以其主动面朝下方位设于基板110上并透过至少一凸块121电性连接于基板110，此种电性连接芯片120与基板110的方式称为覆晶技术。另一例中，芯片120可以其主动面朝上方位设于基板110上并透过至少一焊线电性连接于基板110。包覆材料130覆盖基板110的上表面110u且包覆芯片120。包覆材料130具有上表面130u及外侧面，其中外侧面包含第一外侧面130s1及第二外侧面130s2。由于第一外侧面130s1及第二外侧面130s2分别于二道不同切割工艺形成，因此第一外侧面130s1与第二外侧面130s2之间形成一横向段差。本例中，第一外侧面130s1相对第二外侧面130s2内缩。此外，由于第二外侧面130s2与基板110的外侧面110s于同一道切割工艺形成，因此第二外侧面130s2与基板110的外侧面110s实质上对齐，如齐平。包覆材料130可包括酚醛基树脂(Novolac-basedresin)、环氧基树脂(epoxy-basedresin)、硅基树脂(silicone-basedresin)或其他适当的包覆剂。包覆材料130亦可包括适当的填充剂，例如是粉状的二氧化硅。可利用数种封装技术形成包覆材料，例如是压缩成型(compressionmolding)、液态封装(liquidencapsulation)、注射成型(injectionmolding)或转注成型(transfermolding)。散热片140设于包覆材料130的上表面130u且具有外侧面140s。透过蚀刻移除散热片140的侧面材料，可使散热片140的蚀刻后的外侧面140s相对包覆材料130的第一外侧面130s1内缩。此外，透过蚀刻也可减少因为切割散热片140所导致的毛边量，最小可获得3英丝(mil)以下的毛边量。当毛边量控制在3英丝以下时，用手几乎感觉不到毛边。散热片140包含铜层141及金属层142，其中金属层142形成于铜层141的上表面141u。在蚀刻散热片140工艺中，蚀刻液会移除铜层141的材料，使铜层141形成一第三外侧面141s，第三外侧面141s是内凹曲面；由于蚀刻液对金属层142不会产生作用或仅产生微小作用，因此于蚀刻后，金属层142几乎完整地覆盖铜层141的上表面141u，以保护铜层141。金属层142可以是单层或多层结构。以多层结构来说，金属层142可包含镍层及铬层，其中镍层形成于铜层141与铬层之间，作为铬层电镀于铜层上的介质，其中铬层为高硬度材料，具有耐磨及防刮特性。另一实施例中，金属层142的材料不限于镍及铬。另一例中，铜层141的上表面141u及下表面141b可分别形成有金属层142。电性接点150例如是焊球、接垫、导电柱或凸块，本例是以焊球为例说明。电性接点150形成于基板110的下表面110b。芯片120可透过基板110及电性接点150电性连接一外部电路元件，如电路板、芯片或半导体封装件。请参照图2A至2H，其绘示图1的半导体封装件的制造过程图。如图2A所示，提供基板110，其中基板110例如是长条基板，具有上表面110u，且定义多个封装单元区110a在上表面110u上。如图2B所示，以例如是覆晶技术，设置至少一芯片120于基板110的上表面110u上，其中芯片120位于对应的封装单元区110a上。如图2C所示，并列设置基板110与散热片140于下模具10的模穴10a内，其中基板110与散热片140是相对。模穴10a包括第一子模穴10a1及第二子模穴10a2，第一子模穴10a1的宽度大于第二子模穴10a2，使第一子模穴10a1形成一承载面10u。基板110设于承载面10u上，而散热片140设于第二子模穴10a2的底面10b上。下模具10具有数个吸气道11，其连通一真空源，可吸住散热片140，避免散热片140轻易位移。下模具10具有至少一第一定位件12，例如是定位销，而基板110具有至少一第二定位件111，例如是定位孔。基板110透过第二定位件111与第一定位件12的结合而定位于下模具10上。本例中，散热片140是多层结构，其包括铜层141及金属层142，金属层142形成于铜层141的上表面141u上。另一例中，散热片140包括铜层141及二金属层142，其中二金属层142分别形成于铜层141的上表面141u与下表面141b；或者，散热片140的所有外表面都可形成有金属层142。如图2C所示，合模一上模具20与下模具10，以将基板110抵压于上模具20与下模具10之间。上模具20抵压在基板1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体封装件，包括：一基板，具有一外侧面；一芯片，设于该基板上；一包覆材料，包覆该芯片且具有一上表面及一第一外侧面，该包覆材料的该第一外侧面相对该基板的该外侧面内缩；以及一散热片，设于该包覆材料的该上表面上且具有一外侧面，该散热片的该外侧面相对该包覆材料的该第一外侧面内缩，其中该散热片包括一铜层，设于该包覆材料的该上表面上且具有一上表面，且其中该铜层具有一第二外侧面，该铜层的该第二外侧面是一内凹曲面。

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装件，包括：一基板，具有一外侧面；一芯片，设于该基板上；一包覆材料，包覆该芯片且具有一上表面及一第一外侧面，该包覆材料的该第一外侧面相对该基板的该外侧面内缩；以及一散热片，设于该包覆材料的该上表面上且具有一外侧面，该散热片的该外侧面相对该包覆材料的该第一外侧面内缩，其中该散热片包括一铜层，设于该包覆材料的该上表面上且具有一上表面，且其中该铜层具有一第二外侧面，该铜层的该第二外侧面是一内凹曲面。2....

【专利技术属性】
技术研发人员：翁承谊，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71