低频段腔体滤波器宽带端口及其宽度调节方法与滤波器技术

本发明专利技术涉及一种低频段腔体滤波器宽带端口及其宽度调节方法与滤波器，包括导电壳、谐振柱、耦合环及连接端口。导电壳设有腔体。谐振柱设置在腔体内，谐振柱与腔体底壁电性连接，谐振柱设有台阶。耦合环套设在谐振柱上并与台阶相邻设置，且耦合环分别与台阶、谐振柱绝缘配合。连接端口装设在导电壳上，连接端口的内芯贯穿导电壳伸入到腔体内。内芯与耦合环电性连接。上述的低频段腔体滤波器宽带端口，由于耦合环不仅与谐振柱侧壁耦合配合，还与台阶耦合配合，这样耦合环与谐振柱在谐振柱的轴向方向及径向方向上均有耦合量，从而能够增大耦合宽度，可以使得低频率产品的相位宽度达到30％以上的耦合宽度。

【技术实现步骤摘要】
低频段腔体滤波器宽带端口及其宽度调节方法与滤波器
本专利技术涉及滤波器
，特别是涉及一种低频段腔体滤波器宽带端口及其宽度调节方法与滤波器。
技术介绍
传统的低频段(频率低于1500MHz)腔体滤波器宽带端口，通常是采用镀银导线来连接射频连接器和谐振柱。通过调整镀银导线在谐振柱上焊接的高度来实现不同的端口带宽。然而，可抬高的高度也只能限制在谐振柱的高度范围之内，但即使将焊接高度抬高到谐振柱的顶部，端口耦合带宽也是不够的。
技术实现思路
基于此，有必要克服现有技术的缺陷，提供一种低频段腔体滤波器宽带端口及其宽度调节方法与滤波器，它能够增大耦合宽度。其技术方案如下：一种低频段腔体滤波器宽带端口，包括：导电壳，所述导电壳设有腔体；谐振柱，所述谐振柱设置在所述腔体内，所述谐振柱与所述腔体底壁电性连接，所述谐振柱设有台阶；耦合环，所述耦合环套设在所述谐振柱上并与所述台阶相邻设置，且所述耦合环分别与所述台阶、所述谐振柱绝缘配合；连接端口，所述连接端口装设在所述导电壳上，所述连接端口的内芯贯穿所述导电壳伸入到所述腔体内，所述内芯与所述耦合环电性连接。一种低频段腔体滤波器宽带端口的宽度调节方法，包括如下步骤：调整耦合环的内环的直径大小，以调整耦合环的内侧壁与谐振柱外侧壁之间的间隙大小；和/或调整耦合环的厚度大小，以调整耦合环与台阶之间的间隙大小；和/或调整设置在耦合环与台阶之间的绝缘隔离环的绝缘底环的厚度大小，以调整耦合环与台阶之间的间隙大小。一种滤波器，包括所述的低频段腔体滤波器宽带端口。上述的低频段腔体滤波器宽带端口及其宽度调节方法与滤波器，由于耦合环不仅与谐振柱侧壁耦合配合，还与台阶耦合配合，这样耦合环与谐振柱在谐振柱的轴向方向及径向方向上均有耦合量，从而能够增大耦合宽度，可以使得低频率产品的相位宽度达到30％以上的耦合宽度。另外，装置结构简单，能减小滤波器的整体体积，满足极端条件下的扩容需要，成本低廉，适合集成化与小型化。进一步地，所述的低频段腔体滤波器宽带端口还包括绝缘隔离环，所述绝缘隔离环包括绝缘底环与绝缘侧环，所述绝缘底环与所述绝缘侧环连接，所述绝缘侧环位于所述谐振柱外侧壁与所述谐振柱外侧壁之间，所述绝缘底环位于所述耦合环与所述台阶之间。进一步地，所述耦合环或所述谐振柱外侧壁上设置有绝缘涂料层或绝缘镀层。进一步地，所述谐振柱包括第一导电柱、第二导电柱与导电套；所述第一导电柱与所述腔体底壁电性连接；所述第二导电柱与所述第一导电柱电性连接，所述第二导电柱上设置有所述台阶；所述导电套套设在所述第一导电柱外，所述导电套一端与所述第二导电柱端面相连，所述导电套另一端与所述腔体底壁间隔设置。进一步地，所述台阶设置在所述第二导电柱靠近于所述第一导电柱的一端，所述耦合环位于所述台阶上方；或者，所述台阶设置在所述第二导电柱远离于所述第一导电柱的一端，所述耦合环位于所述台阶下方。进一步地，所述第一导电柱与所述第二导电柱可拆卸连接，所述第一导电柱与所述导电壳为一体化结构；所述第二导电柱与所述导电套为一体化结构。进一步地，所述导电壳与所述腔体底壁相对的顶面设有可拆卸的盖体，所述盖体设有通孔，所述通孔内设有可升降的调谐杆。进一步地，所述的低频段腔体滤波器宽带端口还包括固定设置在所述盖体上的螺母，所述螺母的螺孔与所述通孔相应设置，所述调谐杆为与所述螺母相配合的螺杆或螺钉，所述调谐杆穿过所述螺母的螺孔及所述通孔伸入到所述腔体中。附图说明图1为本专利技术一实施例所述的低频段腔体滤波器宽带端口的结构示意图；图2为本专利技术另一实施例所述的低频段腔体滤波器宽带端口的结构示意图；图3为本专利技术又一实施例所述的低频段腔体滤波器宽带端口的结构示意图；图4为本专利技术再一实施例所述的低频段腔体滤波器宽带端口的结构示意图；图5为本专利技术实施例所述的低频段腔体滤波器宽带端口的相位宽带示意图。附图标记：10、导电壳，11、腔体，12、盖体，13、调谐杆，14、螺母，20、谐振柱，21、台阶，22、第一导电柱，23、第二导电柱，24、导电套，25、凹部，30、耦合环，40、连接端口，41、内芯，50、绝缘隔离环，51、绝缘底环，52、绝缘侧环。具体实施方式为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术。但是本专利技术能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似改进，因此本专利技术不受下面公开的具体实施例的限制。在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本专利技术的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。在本专利技术的描述中，需要理解的是，当一个元件被认为是“连接”另一个元件，可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在中间元件。相反，当元件为称作“直接”与另一元件连接时，不存在中间元件。在一个实施例中，请参阅图1、图2及图5，一种低频段腔体滤波器宽带端口，包括导电壳10、谐振柱20、耦合环30及连接端口40。所述导电壳10设有腔体11。所述谐振柱20设置在所述腔体11内，所述谐振柱20与所述腔体11底壁电性连接，所述谐振柱20设有台阶21。所述耦合环30套设在所述谐振柱20上并与所述台阶21相邻设置，且所述耦合环30分别与所述台阶21、所述谐振柱20绝缘配合。所述连接端口40装设在所述导电壳10上，所述连接端口40的内芯41贯穿所述导电壳10伸入到所述腔体11内。所述内芯41与所述耦合环30电性连接。上述的低频段腔体滤波器宽带端口，由于耦合环30不仅与谐振柱20侧壁耦合配合，还与台阶21耦合配合，这样耦合环30与谐振柱20在谐振柱20的轴向方向及径向方向上均有耦合量，从而能够增大耦合宽度，可以使得低频率产品的相位宽度达到30％以上的耦合宽度(如图5所示)。另外，装置结构简单，能减小滤波器的整体体积，满足极端条件下的扩容需要，成本低廉，适合集成化与小型化。具体地，耦合环30既可以位于台阶21上方，在台阶21上方能与台阶21相耦合，并能够便于装设在谐振柱20；耦合环30也可以位于台阶21下方，在台阶21下方也能实现与台阶21相耦合，具体可以通过粘胶粘设装设在谐振柱20上或者通过卡接固定在谐振柱20上。进一步地，请再参阅图1，所述的低频段腔体滤波器宽带端口还包括绝缘隔离环50。所述绝缘隔离环50包括绝缘底环51与绝缘侧环52。所述绝缘底环51与所述绝缘侧环52连接，所述绝缘侧环52位于所述谐振柱20外侧壁与所述谐振柱20外侧壁之间，所述绝缘底环51位于所述耦合环30与所述台阶21之间。如此，绝缘隔离环50能够将耦合环30与谐振柱20之间隔离开，从而实现耦合环30分别与台阶21、谐振柱20之间绝缘配合。绝缘隔离环50具体采用聚四氟乙烯介质环。在一个实施例中，并不设置绝缘隔离环50，而是在耦合环30或谐振柱20侧壁上设置有绝缘涂料层或绝缘镀层，也能使得耦合环30分别与台阶21、谐振柱20绝缘配合。进一步地，请参阅图3与图4，所述谐振柱本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低频段腔体滤波器宽带端口，其特征在于，包括：导电壳，所述导电壳设有腔体；谐振柱，所述谐振柱设置在所述腔体内，所述谐振柱与所述腔体底壁电性连接，所述谐振柱设有台阶；耦合环，所述耦合环套设在所述谐振柱上并与所述台阶相邻设置，且所述耦合环分别与所述台阶、所述谐振柱绝缘配合；连接端口，所述连接端口装设在所述导电壳上，所述连接端口的内芯贯穿所述导电壳伸入到所述腔体内，所述内芯与所述耦合环电性连接。

【技术特征摘要】
1.一种低频段腔体滤波器宽带端口，其特征在于，包括：导电壳，所述导电壳设有腔体；谐振柱，所述谐振柱设置在所述腔体内，所述谐振柱与所述腔体底壁电性连接，所述谐振柱设有台阶；耦合环，所述耦合环套设在所述谐振柱上并与所述台阶相邻设置，且所述耦合环分别与所述台阶、所述谐振柱绝缘配合；连接端口，所述连接端口装设在所述导电壳上，所述连接端口的内芯贯穿所述导电壳伸入到所述腔体内，所述内芯与所述耦合环电性连接。2.根据权利要求1所述的低频段腔体滤波器宽带端口，其特征在于，还包括绝缘隔离环，所述绝缘隔离环包括绝缘底环与绝缘侧环，所述绝缘底环与所述绝缘侧环连接，所述绝缘侧环位于所述谐振柱外侧壁与所述谐振柱外侧壁之间，所述绝缘底环位于所述耦合环与所述台阶之间。3.根据权利要求1所述的低频段腔体滤波器宽带端口，其特征在于，所述耦合环或所述谐振柱外侧壁上设置有绝缘涂料层或绝缘镀层。4.根据权利要求1所述的低频段腔体滤波器宽带端口，其特征在于，所述谐振柱包括第一导电柱、第二导电柱与导电套；所述第一导电柱与所述腔体底壁电性连接；所述第二导电柱与所述第一导电柱电性连接，所述第二导电柱上设置有所述台阶；所述导电套套设在所述第一导电柱外，所述导电套一端与所述第二导电柱端面相连，所述导电套另一端与所述腔体底壁间隔设置。5.根据权利要求4所述的低频段腔体滤波器宽带端口，其特征在于，所述台阶...

【专利技术属性】
技术研发人员：何涛，陈凯，陈嘉元，
申请(专利权)人：京信通信系统中国有限公司，京信通信技术广州有限公司，京信通信系统广州有限公司，天津京信通信系统有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44