一种有机电致发光器件制造技术

本发明专利技术提供一种有机电致发光器件，涉及有机电致发光技术领域。该器件通过设计合理的器件结构，并且使用性能优良的芴类衍生物和芳胺类衍生物作为光取出层，有效克服了基板模式损失、表面等离子损失和波导效应，从而改善了半透射电极的透过率，提高了OLED器件的外量子效率，在可见光范围内的透过率达80％以上，进而有效提高了器件的发光效率。

【技术实现步骤摘要】
一种有机电致发光器件
本专利技术属于有机电致发光
，具体涉及一种有机电致发光器件。
技术介绍
近年来，有机发光二极管(OLED)凭借其自发光、形体薄、柔性化、高亮度、高分辨率、高效率、宽视角、响应速度快、低功耗等优势，成为当今最具有应用价值的显示和照明器件。OLED器件是一种双注入型发光器件，当在两极之间施加适当的电压时，空穴从阳极一侧注入，电子从阴极一侧注入，二者通过电荷传输层到达发光层，通过相互作用形成激子(exciton)，激子由激发态回到稳定的基态产生辐射发光，从而实现由电能转换成光能。一般的OLED器件由阳极、阴极及二者之间的有机功能层构成，其中有机功能层包括空穴注入层、空穴传输层、发光辅助层、缓冲层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层中的一种或多种。经过几十年的发展，OLED器件的内量子效率已经达到接近100％，但由于基板模式损失、表面等离子损失以及波导效应等因素，大部分光仍被限制在发光器件的内部，导致大量能量的损失，其外量子效率仅在20％左右。
技术实现思路
针对现有技术存在的上述问题，本专利技术提供一种有机电致发光器件，包括阳极、阴极、位于所述阳极与所述阴极之间的发光层、位于所述阳极与所述发光层之间的空穴传输层、位于所述空穴传输层与所述阳极之间的空穴注入层、位于所述发光层与所述阴极之间的电子传输层、位于所述发光层与所述电子传输层之间的空穴阻挡层、位于所述电子传输层与所述阴极之间的电子注入层、位于所述阴极背离所述阳极一侧的光取出层，其特征在于，所述的光取出层包括通式(I)所示的芴类衍生物和通式(II)所示的芳胺类衍生物：其中，所述的Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、Ar5、Ar6独立地选自取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C12～C30的芳胺基中的一种；所述的Ar1’、Ar2’、Ar3’、Ar4’独立地选自取代或未取代的C6～C60的芳基、取代或未取代的C3～C60的杂芳基中的一种；所述的L’选自取代或未取代的C6～30的二价芳基、取代或未取代的C3～C30的二价杂芳基中的一种。优选的，所述的光取出层包括第一光取出层和第二光取出层；所述的第一光取出层位于所述阴极背离所述阳极一侧，厚度为40～60nm；所述的第二光取出层位于所述第一光取出层背离所述阴极一侧，厚度为50～70nm。优选的，所述的第一光取出层含有通式(I)所示的芴类衍生物，所述的第二光取出层含有通式(II)所示的芳胺类衍生物。优选的，所述的Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、Ar5、Ar6独立地选自甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、苯基或者如下所示基团中的一种：优选的，所述的L’选自如下所示基团中的一种：优选的，所述的Ar1’、Ar2’、Ar3’、Ar4’独立地选自如下所示基团中的一种：优选的，所述的芴类衍生物选自如下所示化合物中的任意一种：优选的，所述的芳胺类衍生物选自如下所示化合物中的任意一种：本专利技术的有益效果：本专利技术提供的有机电致发光器件，通过设计合理的器件结构，在传统的OLED器件结构基础上，在阴极背离阳极一侧增加了第一光取出层，同时，在第一光取出层背离阴极一侧增加了第二光取出层；第一光取出层采用本专利技术通式(I)所示的芴类衍生物，第二光取出层采用本专利技术通式(II)所示的芳胺类衍生物；第一光取出层的折射率在1.7～2.2之间，第二光取出层的折射率在1.8～2.3之间。在两个光取出层的共同作用下，能够有效克服基板模式损失、表面等离子损失和波导效应，从而改善半透射电极的透过率，提高OLED器件的外量子效率，在可见光范围内透过率达80％以上，提高器件的发光效率。具体实施方式本专利技术提供一种有机电致发光器件，包括阳极、阴极、位于所述阳极与所述阴极之间的发光层、位于所述阳极与所述发光层之间的空穴传输层、位于所述空穴传输层与所述阳极之间的空穴注入层、位于所述发光层与所述阴极之间的电子传输层、位于所述发光层与所述电子传输层之间的空穴阻挡层、位于所述电子传输层与所述阴极之间的电子注入层、位于所述阴极背离所述阳极一侧的光取出层，其特征在于，所述的光取出层包括通式(I)所示的芴类衍生物和通式(II)所示的芳胺类衍生物：其中，所述的Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、Ar5、Ar6独立地选自取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C12～C30的芳胺基中的一种；所述的Ar1’、Ar2’、Ar3’、Ar4’独立地选自取代或未取代的C6～C60的芳基、取代或未取代的C3～C60的杂芳基中的一种；所述的L’选自取代或未取代的C6～30的二价芳基、取代或未取代的C3～C30的二价杂芳基中的一种。本专利技术所述的烷基是指烷烃分子中少掉一个氢原子而成的烃基，其可以为直链烷基、支链烷基、环烷基，实例可包括甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、异戊基、环戊基、环己基等，但不限于此。本专利技术所述的芳基是指芳烃分子的一个芳核碳上去掉一个氢原子后，剩下的基团的总称，其可以为单环芳基或稠环芳基，例如可选自苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基、芴基或苯并菲基等，但不限于此。本专利技术所述的芳胺基是指具有一个芳香性取代基的氨基，苯胺基是所述芳胺基中最简单的实例，除此之外，还有二苯胺基、萘胺基、联苯胺基、二萘胺基、N-苯基-4-联苯胺基等，但不限于此。本专利技术所述的杂芳基是指芳基中的一个或多个芳核碳被杂原子替换得到的基团的总称，所述杂原子包括但不限于氧、硫或氮原子，所述杂芳基可以为单环杂芳基或稠环杂芳基，例如可以选自吡啶基、喹啉基、咔唑基、噻吩基、苯并噻吩基、呋喃基、苯并呋喃基、嘧啶基、苯并嘧啶基、咪唑基或苯并咪唑基等，但不限于此。本专利技术所述的二价芳基是指芳烃分子的两个芳核碳上各去掉一个氢原子后，剩下的二价基团的总称，其可以为二价单环芳基或二价稠环芳基，例如可选自亚苯基、亚联苯基、亚三联苯基、亚萘基、亚蒽基、亚菲基、亚芘基、亚芴基或亚苯并菲基等，但不限于此。本专利技术所述的二价杂芳基是指二价芳基中的一个或多个芳核碳被杂原子替换得到的基团的总称，所述杂原子包括但不限于氧、硫或氮原子，所述二价杂芳基可以为二价单环杂芳基或二价稠环杂芳基，例如可以选自亚吡啶基、亚喹啉基、亚咔唑基、亚噻吩基、亚苯并噻吩基、亚呋喃基、亚苯并呋喃基、亚嘧啶基、亚苯并嘧啶基、亚咪唑基或亚苯并咪唑基等，但不限于此。本专利技术所述的取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C12～C30的芳胺基是指被取代前烷基、芳基、芳胺基的碳原子总数分别为1～12、6～30、12～30，以此类推。优选的，所述的光取出层包括第一光取出层和第二光取出层；所述的第一光取出层位于所述阴极背离所述阳极一侧，厚度为40～60nm；所述的第二光取出层位于所述第一光取出层背离所述阴极一侧，厚度为50～70nm。优选的，所述的第一光取出层含有通式(I)所示的芴类衍生物，所述的第二光取出层含有通式(II)所示的芳胺类衍生物。优选的，所述的Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、Ar5、Ar6独立地选自甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、苯基本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有机电致发光器件，包括阳极、阴极、位于所述阳极与所述阴极之间的发光层、位于所述阳极与所述发光层之间的空穴传输层、位于所述空穴传输层与所述阳极之间的空穴注入层、位于所述发光层与所述阴极之间的电子传输层、位于所述发光层与所述电子传输层之间的空穴阻挡层、位于所述电子传输层与所述阴极之间的电子注入层、位于所述阴极背离所述阳极一侧的光取出层，其特征在于，所述的光取出层包括通式(I)所示的芴类衍生物和通式(II)所示的芳胺类衍生物：

【技术特征摘要】
1.一种有机电致发光器件，包括阳极、阴极、位于所述阳极与所述阴极之间的发光层、位于所述阳极与所述发光层之间的空穴传输层、位于所述空穴传输层与所述阳极之间的空穴注入层、位于所述发光层与所述阴极之间的电子传输层、位于所述发光层与所述电子传输层之间的空穴阻挡层、位于所述电子传输层与所述阴极之间的电子注入层、位于所述阴极背离所述阳极一侧的光取出层，其特征在于，所述的光取出层包括通式(I)所示的芴类衍生物和通式(II)所示的芳胺类衍生物：其中，所述的Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、Ar5、Ar6独立地选自取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C12～C30的芳胺基中的一种；所述的Ar1’、Ar2’、Ar3’、Ar4’独立地选自取代或未取代的C6～C60的芳基、取代或未取代的C3～C60的杂芳基中的一种；所述的L’选自取代或未取代的C6～30的二价芳基、取代或未取代的C3～C30的二价杂芳基中的一种。2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述的光取出层包括第一光取出层和第二光取出...

【专利技术属性】
技术研发人员：周雯庭，蔡辉，
申请(专利权)人：长春海谱润斯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：吉林,22