一种像素限定层结构及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种像素限定层结构的制备方法，包括提供基板，在基板上间隔设置多个像素界定结构；配制聚噻吩衍生物溶液，将聚噻吩衍生物溶液涂布于基板和多个像素界定结构的上表面和侧表面，形成聚噻吩衍生物层；通过掩膜板使像素界定结构的上表面的聚噻吩衍生物层曝光转变为疏有机溶剂层，基板上的聚噻吩衍生物层避光，像素界定结构的侧表面的聚噻吩衍生物层受到光衍射转变为亲有机溶剂层，亲有机溶剂层的材质的极性大于乙酸乙酯的极性；通过显影过程，去除基板上的聚噻吩衍生物层，得到像素限定层结构，其中，像素界定结构的上表面为疏有机溶剂层，侧表面为亲有机溶剂层；制得的像素限定层结构可以缓解喷墨打印过程中液滴混淆造成的混色。

【技术实现步骤摘要】
一种像素限定层结构及其制备方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种像素限定层结构及其制备方法。
技术介绍
有机发光二极管(OLED)和量子点-有机发光二极管(QLED)的低成本、高产能、易于实现大尺寸等优点被作为下一代显示技术。无论是OLED还是QLED的工艺中，喷墨打印技术都是一个无法逾越的话题。采用喷墨打印的方式可以极大的避免材料的浪费，节省了材料的生产成本。因此，喷墨打印技术的广泛应用无疑是显示行业一个研究热点。目前，喷墨打印的工艺还不是十分的成熟，存在诸多待解决的问题。在常规喷墨打印中为了限制量子点或发光材料液滴在印刷时四周溢出，像素限定层结构(Bank)中的像素界定结构顶部设置成平坦结构，但是这会导致在打印过程中的液滴容易滴落在像素界定结构顶部，导致相邻不同颜色的量子点或者发光材料造成混淆，容易形成混色，影响色纯度。因此，需要一种能够缓解混色的像素限定层结构。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种像素限定层结构，通过在像素界定结构的上表面设置疏有机溶剂层，侧表面设置亲有机溶剂层，使得喷墨打印过程中液滴不会滞留在像素界定结构顶部，有利于液滴与侧表面接触，缓解喷墨打印中液滴混淆造成的混色。第一方面，本专利技术提供了像素限定层结构的制备方法，包括：提供基板，在所述基板上间隔设置多个像素界定结构；配制聚噻吩衍生物溶液，将所述聚噻吩衍生物溶液涂布于所述基板和多个所述像素界定结构的上表面和侧表面，形成聚噻吩衍生物层；通过掩膜板使所述像素界定结构的上表面的所述聚噻吩衍生物层曝光转变为疏有机溶剂层，所述基板上的所述聚噻吩衍生物层避光，所述像素界定结构的侧表面的所述聚噻吩衍生物层受到光衍射转变为亲有机溶剂层，所述亲有机溶剂层的材质的极性大于乙酸乙酯的极性；通过显影过程，去除所述基板上的所述聚噻吩衍生物层，得到像素限定层结构，其中，所述像素界定结构的上表面为所述疏有机溶剂层，侧表面为所述亲有机溶剂层。在本专利技术中，将基板以及像素界定结构的上表面和侧表面上形成聚噻吩衍生物层，通过掩膜板使得沉积在像素界定结构上表面的聚噻吩衍生物层受到充分的光照，聚噻吩衍生物发生解离生成亲水性物质，所述亲水性物质为含羧酸根的高极性物质，所述聚噻吩衍生物层转变为所述疏有机溶剂层，所述疏有机溶剂层具有疏低极性有机溶剂的性质；通过掩膜板使得沉积在基板上的聚噻吩衍生物层中的聚噻吩衍生物避光、不经过光照，聚噻吩衍生物层不发生任何变化，仍然呈疏水性，即具有亲低极性有机溶剂的性质；通过掩膜板使得沉积在像素界定结构侧表面的聚噻吩衍生物层只能受到衍射光的作用，解离不充分，转变为亲有机溶剂层，所述亲有机溶剂层的材质的极性大于乙酸乙酯的极性，整体具有亲高极性有机溶剂的性质。因此，通过显影过程，最终在像素界定结构的上表面形成所述疏有机溶剂层，侧表面形成所述亲有机溶剂层，使得在喷墨打印过程中液滴更快的离开像素界定结构的上表面，与像素界定结构的侧表面接触，有效地缓解液滴混淆造成的混色。可选的，在所述基板上间隔设置多个像素界定结构，包括：在所述基板上设置像素限定材料层，通过掩膜板对所述像素限定材料层进行曝光、显影和烘烤后形成间隔设置的多个所述像素界定结构。进一步可选的，所述烘烤包括在60℃-90℃下烘烤10s-30s，再在100℃-160℃下烘烤10min-30min。可选的，任意相邻的所述像素界定结构之间间隔相等。可选的，所述聚噻吩衍生物溶液中的聚噻吩衍生物具有如式(Ⅰ)所示的结构，其中，R1、R2独立地选自C1-C25的烷基、C1-C25的卤代烷基和C6-C25的芳香基中的至少一种，所述烷基为直链或带有支链的链状烷基，所述卤代烷基为直链或带有支链的卤代烷基，n为100-180的整数。进一步可选的，所述芳香基结构为时，R3选自C1-C25的烷基、C1-C25的烷氧基和C1-C25的烯基中的至少一种；R4、R5、R6独立地选自H、C1-C25的烷基、C1-C25的烷氧基和C1-C25的卤代烷基中的至少一种。更进一步可选的，所述烷基为直链或带有支链的链状烷基，所述卤代烷基为直链或带有支链的卤代烷基，所述烷氧基为直链或带有支链的烷氧基。进一步可选的，所述聚噻吩衍生物中的R1和R2基团相同。可选的，所述聚噻吩衍生物的光解离反应为：可选的，所述聚噻吩衍生物的合成途径可以但不限于为：第一步：其中，R1选自C1-C25的烷基、C1-C25的卤代烷基和C6-C25的芳香基中的至少一种，所述烷基为直链或带有支链的链状烷基，所述卤代烷基为直链或带有支链的卤代烷基。第二步：其中，R2选自C1-C25的烷基、C1-C25的卤代烷基和C6-C25的芳香基中的至少一种，所述烷基为直链或带有支链的链状烷基，所述卤代烷基为直链或带有支链的卤代烷基。第三步：第四步：其中，Pb(dba)3的结构式为在此反应过程中，碳酸钾(K2CO3)、碘化钾(KI)、N,N-二甲基甲酰胺(DMF)、二环己基碳二亚胺(DCC)、4-二甲氨基吡啶(DMAP)、四氢呋喃(THF)、甲苯(Toluene)均为常规化学试剂。可选的，所述聚噻吩衍生物的数均分子质量为20000-30000。在本专利技术中，所述聚噻吩衍生物经过光照后发生裂解，生成亲水性物质，需要聚噻吩衍生物的数均分子质量大。可选的，所述聚噻吩衍生物溶液中聚噻吩衍生物的固含量为12％-20％，所述聚噻吩衍生物溶液在25℃的粘度为2.5mPa·s-5mPa·s。进一步可选的，所述聚噻吩衍生物溶液中聚噻吩衍生物的固含量为15％-17％，所述聚噻吩衍生物溶液在25℃的粘度为2.5mPa·s-3mPa·s。进一步可选的，所述聚噻吩衍生物溶液包括所述聚噻吩衍生物、乙醇胺和丙二醇甲醚醋酸酯。可选的，所述聚噻吩衍生物层的厚度为0.5μm-3μm。进一步可选的，所述聚噻吩衍生物层的厚度为0.5μm-1μm。所述显影过程包括采用有机溶剂进行显影，所述有机溶剂包括乙酸乙酯、正己烷、乙醚、异丙醚、二氯甲烷、氯仿、溴乙烷、苯、四氯化碳、二硫化碳、环己烷和石油醚中的至少一种。在本专利技术中，经过掩膜板光照后，所述像素界定结构上表面的聚噻吩衍生物层转变为所述疏有机溶剂层不会被有机溶剂去除，所述基板上的聚噻吩衍生物层不发生变化，仍然具有疏水性，从而可以被低极性有机溶剂去除，所述像素界定结构侧表面的聚噻吩衍生物层只能受到衍射光的作用，转变为亲有机溶剂层，所述亲有机溶剂层的材质的极性大于乙酸乙酯的极性，不会被低极性有机溶剂去除；因此，采用低极性有机溶剂，即有机溶剂的极性均不大于乙酸乙酯的极性，从而更有利于洗去经过未经曝光的基板上的聚噻吩衍生物层，不会将受到光衍射的像素界定结构侧表面的所述亲有机溶剂层去除。可选的，所述曝光的曝光时间为1s-3s，曝光强度为10mJ/cm2-30mJ/cm2，光波长为300nm-380nm。本专利技术第一方面提供了一种像素限定层结构的制备方法，将基板以及像素界定结构的上表面和侧表面上形成聚噻吩衍生物层，通过掩膜板使得沉积在像素界定结构上表面的聚噻吩衍生物层受到充分的光照，聚噻吩衍生物发生解离生成亲水性物质，所述亲水性物质为含羧酸根的高极性物质，所述聚噻吩衍生物层转变为所述疏有机溶剂层，所述疏有机溶剂层具有疏低极性有机溶剂的性质；通过掩膜板使得沉积在基板上的聚噻吩衍生本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种像素限定层结构的制备方法，其特征在于，包括：提供基板，在所述基板上间隔设置多个像素界定结构；配制聚噻吩衍生物溶液，将所述聚噻吩衍生物溶液涂布于所述基板和多个所述像素界定结构的上表面和侧表面，形成聚噻吩衍生物层；通过掩膜板使所述像素界定结构的上表面的所述聚噻吩衍生物层曝光转变为疏有机溶剂层，所述基板上的所述聚噻吩衍生物层避光，所述像素界定结构的侧表面的所述聚噻吩衍生物层受到光衍射转变为亲有机溶剂层，所述亲有机溶剂层的材质的极性大于乙酸乙酯的极性；通过显影过程，去除所述基板上的所述聚噻吩衍生物层，得到像素限定层结构，其中，所述像素界定结构的上表面为所述疏有机溶剂层，侧表面为所述亲有机溶剂层。

【技术特征摘要】
1.一种像素限定层结构的制备方法，其特征在于，包括：提供基板，在所述基板上间隔设置多个像素界定结构；配制聚噻吩衍生物溶液，将所述聚噻吩衍生物溶液涂布于所述基板和多个所述像素界定结构的上表面和侧表面，形成聚噻吩衍生物层；通过掩膜板使所述像素界定结构的上表面的所述聚噻吩衍生物层曝光转变为疏有机溶剂层，所述基板上的所述聚噻吩衍生物层避光，所述像素界定结构的侧表面的所述聚噻吩衍生物层受到光衍射转变为亲有机溶剂层，所述亲有机溶剂层的材质的极性大于乙酸乙酯的极性；通过显影过程，去除所述基板上的所述聚噻吩衍生物层，得到像素限定层结构，其中，所述像素界定结构的上表面为所述疏有机溶剂层，侧表面为所述亲有机溶剂层。2.如权利要求1所述的像素限定层结构的制备方法，其特征在于，所述聚噻吩衍生物溶液中的聚噻吩衍生物具有如式(Ⅰ)所示的结构，其中，R1、R2独立地选自C1-C25的烷基、C1-C25的卤代烷基和C6-C25的芳香基中的至少一种，所述烷基为直链或带有支链的链状烷基，所述卤代烷基为直链或带有支链的卤代烷基，n为100-180的整数。3.如权利要求2所述的像素限定层结构的制备方法，其特征在于，所述芳香基结构为时，R3选自C1-C25的烷基、C1-C25的烷氧基和C1-C25的烯基中的至少一种；R4、R5、R6独立地选自H、C1-C25的烷基、C1-C25的烷氧基和C1-C25的卤代烷基中的至少一种。4.如权利要求1所述的像素限定层结构的制备方法，其特征在于，所述聚噻...

【专利技术属性】
技术研发人员：查宝，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44