一种OLED显示面板的制备方法及OLED显示面板、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供了OLED显示面板的制备方法，包括：提供一基底，在所述基底上形成TFT阵列层、第一钝化层和像素定义层；通过构图工艺在所述像素定义层上形成至少一个过孔和至少一个像素凹槽；每个所述过孔与每个所述像素凹槽间隔设置；继续制备形成至少一个第一电极层，所述第一电极层同时覆盖所述像素凹槽和所述过孔的整个内壁；所述像素凹槽底部上的所述第一电极层上形成光阻层，在整个面板上形成第二钝化层；剥离所述光阻层以暴露所述像素凹槽底部上的所述第一电极层；在所述像素凹槽底部上的所述第一电极层上形成有机发光层和第二电极层，得到所述OLED显示面板。该制备方法工艺简单，有效减少侧向漏光现象。

【技术实现步骤摘要】
一种OLED显示面板的制备方法及OLED显示面板、显示装置
本专利技术涉及显示
，特别是涉及一种OLED显示面板的制备方法及OLED显示面板、显示装置。
技术介绍
OLED(OrganicLight-EmittingDiode，有机发光二极管)，特别是AMOLED(Active-matrixorganiclightemittingdiode，主动矩阵有机发光二极管)显示技术，具有色域广、自发光、轻薄和响应速度快等优势。随着OLED显示面板越来越被广泛使用，人们对OLED显示面板的显示画面效果的要求也不断提升。现有OLED显示面板的制作过程中，通常会使用有色的有机光阻材料作为像素定义层(PDL)，然而这些有色的有机光阻材料对可见光有较高的透过率，会导致色彩的饱和度下降，出现漏光情形，影响显示画面质量的提升。因此，有必要开发一种能够良好改善OLED显示面板的显示画面效果的方法。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供一种OLED显示面板的制备方法及OLED显示面板、显示装置，所述制备方法能够良好改善OLED显示面板的显示画面效果。第一方面，本专利技术提供了一种OLED显示面板的制备方法，包括：提供一基底，在所述基底上形成TFT阵列层；在所述TFT阵列层上依次形成第一钝化层和像素定义层，通过一次构图工艺在显示区的所述像素定义层形成用于使所述TFT阵列层的源极或漏极部分暴露的过孔，以及形成与所述过孔间隔设置的像素凹槽；在显示区的所述像素定义层上形成第一电极层，所述第一电极层覆盖所述像素凹槽和所述过孔的内壁，所述第一电极层通过所述过孔与所述源极或漏极形成接触；通过构图工艺在覆盖有所述第一电极层的所述像素凹槽底部形成光阻层，再在整个所述像素定义层和所述第一电极层上形成第二钝化层，所述第二钝化层填充所述过孔；剥离所述光阻层以暴露所述像素凹槽底部的所述第一电极层；在覆盖有所述第一电极层的所述像素凹槽底部形成有机发光层，再在所述有机发光层和所述第二钝化层上形成第二电极层，得到所述OLED显示面板。可选地，所述像素凹槽与所述过孔之间的间距为2-50μm。可选地，所述有机发光层的厚度小于所述像素凹槽的深度。可选地，所述像素凹槽内壁和底部之间的夹角α的大小为90°-120°。可选地，所述通过一次构图工艺通的过程包括：采用半色调掩膜工艺，刻蚀所述像素定义层。可选地，所述第一钝化层或所述第二钝化层的材质包括氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiOx)中的一种或多种。可选地，所述第一电极层或所述第二电极层的材质包括铝(Al)、钕(Nd)、铬(Cr)、钼(Mo)、钛(Ti)、银(Ag)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铝锌氧化物(AZO)和铟镓锌氧化物(IGZO)中的一种或多种。本专利技术第一方面所述的OLED显示面板的制备方法，该制备方法通过在所述像素定义层同时制被至少一个间隔设置的像素凹槽和过孔，并使所述第一电极层包裹像素定义层的像素凹槽侧壁，有效防止有机发光层中发出的光的侧向传输，减少侧向漏光现象，大大提升显示面板的显示效果；本专利技术所述制备方法不增加光罩数量，极大地简化工艺流程；降低生产成本，可用于大规模工业化生产。本本专利技术所述制备方法制得的OLED显示面板具有良好的阻隔水汽和氧气的能力，有效提升有机发光材料的使用寿命，大幅提高设备产能和利用率。第二方面，本专利技术提供了一种OLED显示面板，包括：基底；TFT阵列层，设置在所述基底上；第一钝化层，设置在所述TFT阵列层上；像素定义层，设置在所述第一钝化层上，显示区的所述像素定义层上设有间隔设置的过孔和像素凹槽，所述过孔用于使所述TFT阵列层的源极或漏极部分暴露；第一电极层，设置在显示区的所述像素定义层上，所述第一电极层覆盖所述像素凹槽和所述过孔的内壁，所述第一电极层通过所述过孔与所述源极或所述漏极形成接触；第二钝化层，覆盖整个所述像素定义层以及除所述像素凹槽底部上的所述第一电极层表面外的整个所述第一电极层，所述第二钝化层填充所述过孔；有机发光层，覆盖在所述像素凹槽底部上的所述第一电极层上；第二电极层，设置在所述有机发光层和所述第二钝化层上。可选地，所述第二电极层表面还设有薄膜封装层、偏光层、触控层和盖板中的一种或多种。本专利技术第二方面所述OLED显示面板，简化了传统的平坦化层，在设置的像素定义层中制备像素凹槽和过孔，并通过将第一电极层包裹像素定义层的像素凹槽侧壁，有效减少光通过像素定义层的侧向传输，较少漏光现象，大大提升显示面板的显示效果；设置第二钝化层防止第一电极层和第二电极层之间的直接接触。本专利技术所述OLED显示面板还具有良好的阻隔水汽和氧气的作用，具有很长的使用寿命。第三方面，本专利技术还提供了一种显示装置，所述显示装置包括如本专利技术第一方面所述制备方法制备的OLED显示面板，或本专利技术第二方面所述OLED显示面板。所述显示装置包括移动终端、电脑、手表或其他显示设备。本专利技术的优点将会在下面的说明书中部分阐明，一部分根据说明书是显而易见的，或者可以通过本专利技术实施例的实施而获知。附图说明图1为本专利技术一实施例提供的OLED显示面板的制备方法的工艺流程图；图2为本专利技术一实施例提供的OLED显示面板的制备方法的S10步骤的结构示意图；图3为本专利技术一实施例提供的OLED显示面板的制备方法的S20步骤的一部分结构示意图；图4为本专利技术一实施例提供的OLED显示面板的制备方法的S20步骤的另一部分结构示意图；图5为本专利技术一实施例提供的OLED显示面板的制备方法的S30步骤的结构示意图；图6为本专利技术一实施例提供的OLED显示面板的制备方法的S40步骤的一部分结构示意图；图7为本专利技术一实施例提供的OLED显示面板的制备方法的S40步骤的另一部分结构示意图；图8为本专利技术一实施例提供的OLED显示面板的制备方法的S50步骤的结构示意图。具体实施方式以下所述是本专利技术实施例的优选实施方式，应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术实施例原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本专利技术实施例的保护范围。本申请说明书、权利要求书和附图中出现的术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。此外，术语“第一”、“第二”和“第三”等是用于区别不同的对象，而并非用于描述特定的顺序。请参阅图1所示，本专利技术提供了一种OLED显示面板的制备方法，包括：S10、提供一基底10，在所述基底上形成TFT阵列层20，如图2所示；S20、在所述TFT阵列层20上依次形成第一钝化层30和像素定义层40，通过一次构图工艺在显示区的所述像素定义层40形成用于使所述TFT阵列层20的源极206或漏极207部分暴露的过孔402，以及形成与所述过孔402间隔设置的像素凹槽401，一并参见图3和图4；S30、在显示区的所述像素定义层40上形成第一电极层50，所述第一电极层50覆盖所述像素凹槽401和所述过孔402的内壁，所述第一电极层50通过所述过孔402与所述源极206或漏极207形成接触，参见图5；本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种OLED显示面板的制备方法，其特征在于，包括：提供一基底，在所述基底上形成TFT阵列层；在所述TFT阵列层上依次形成第一钝化层和像素定义层，通过一次构图工艺在显示区的所述像素定义层形成用于使所述TFT阵列层的源极或漏极部分暴露的过孔，以及形成与所述过孔间隔设置的像素凹槽；在显示区的所述像素定义层上形成第一电极层，所述第一电极层覆盖所述像素凹槽和所述过孔的内壁，所述第一电极层通过所述过孔与所述源极或漏极形成接触；通过构图工艺在覆盖有所述第一电极层的所述像素凹槽底部形成光阻层，再在整个所述像素定义层和所述第一电极层上形成第二钝化层，所述第二钝化层填充所述过孔；剥离所述光阻层以暴露所述像素凹槽底部的所述第一电极层；在覆盖有所述第一电极层的所述像素凹槽底部形成有机发光层，再在所述有机发光层和所述第二钝化层上形成第二电极层，得到所述OLED显示面板。

【技术特征摘要】
1.一种OLED显示面板的制备方法，其特征在于，包括：提供一基底，在所述基底上形成TFT阵列层；在所述TFT阵列层上依次形成第一钝化层和像素定义层，通过一次构图工艺在显示区的所述像素定义层形成用于使所述TFT阵列层的源极或漏极部分暴露的过孔，以及形成与所述过孔间隔设置的像素凹槽；在显示区的所述像素定义层上形成第一电极层，所述第一电极层覆盖所述像素凹槽和所述过孔的内壁，所述第一电极层通过所述过孔与所述源极或漏极形成接触；通过构图工艺在覆盖有所述第一电极层的所述像素凹槽底部形成光阻层，再在整个所述像素定义层和所述第一电极层上形成第二钝化层，所述第二钝化层填充所述过孔；剥离所述光阻层以暴露所述像素凹槽底部的所述第一电极层；在覆盖有所述第一电极层的所述像素凹槽底部形成有机发光层，再在所述有机发光层和所述第二钝化层上形成第二电极层，得到所述OLED显示面板。2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述像素凹槽与所述过孔之间的间距为2-50μm。3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述有机发光层的厚度小于所述像素凹槽的深度。4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述像素凹槽内壁和底部之间的夹角α的大小为90°-120°。5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述通过一次构图工艺通的过程包括：采用半色调掩膜工艺，刻蚀所述像素定义层。6.如权利要求1所述的制备...

【专利技术属性】
技术研发人员：周星宇，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44