一种半导体器件及其制备方法和电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种半导体器件及其制备方法和电子装置。所述半导体器件包括：半导体衬底，在所述半导体衬底上相邻设置有第一鳍片和第二鳍片；第一抬升源漏，横跨所述第一鳍片；第二抬升源漏，横跨所述第二鳍片；隔离结构，设置于所述第一抬升源漏和所述第二抬升源漏之间并且位于所述半导体衬底上。所述器件可以避免所述第一抬升源漏和所述第二抬升源漏之间的桥连，进一步提高了所述半导体器件的性能和良率。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其制备方法和电子装置
本专利技术涉及半导体
，具体而言涉及一种半导体器件及其制备方法和电子装置。
技术介绍
随着半导体技术的不断发展，集成电路性能的提高主要是通过不断缩小集成电路器件的尺寸以提高它的速度来实现的。目前，由于在追求高器件密度、高性能和低成本中半导体工业已经进步到纳米技术工艺节点，半导体器件的制备受到各种物理极限的限制。随着CMOS器件尺寸的不断缩小，来自制造和设计方面的挑战促使了三维设计如鳍片场效应晶体管(FinFET)的发展。相对于现有的平面晶体管，FinFET是用于20nm及以下工艺节点的先进半导体器件，其可以有效控制器件按比例缩小所导致的难以克服的短沟道效应，还可以有效提高在衬底上形成的晶体管阵列的密度，同时，FinFET中的栅极环绕鳍片(鳍形沟道)设置，因此能从三个面来控制静电，在静电控制方面的性能也更突出。在FinFET器件制备过程中通常会在源漏区上通过外延形成抬升的源漏，以在所述沟道引入应力，同时减小源漏外延电阻和寄生电阻。随着尺寸的不断缩小，相邻器件之间的抬升源漏之间的距离不断减小，甚至会发生桥连，从而致使器件失效。因此，为了提高半导体器件的性能和良率，需要对器件的制备方法作进一步的改进，以便消除上述问题。
技术实现思路
在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本专利技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。针对现有技术的不足，本专利技术提供一种半导体器件，所述半导体器件包括：半导体衬底，在所述半导体衬底上相邻设置有第一鳍片和第二鳍片；第一抬升源漏，横跨所述第一鳍片；第二抬升源漏，横跨所述第二鳍片；隔离结构，设置于所述第一抬升源漏和所述第二抬升源漏之间并且位于所述半导体衬底上。可选地，所述第一鳍片和所述第二鳍片平行设置。可选地，所述半导体器件还包括第一栅极结构和第二栅极结构，其中，所述第一栅极结构横跨所述第一鳍片，所述第一抬升源漏设置于所述第一栅极结构的两侧；所述第二栅极结构横跨所述第二鳍片，所述第二抬升源漏设置于所述第二栅极结构的两侧。可选地，在所述第一鳍片和所述第二鳍片上还形成有栅极介电层。可选地，所述栅极介电层上还形成有间隙壁材料层。可选地，所述隔离结构的材料包括氧化物和氮化物。本专利技术还提供了一种半导体器件的制备方法，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上相邻设置有第一鳍片和第二鳍片；在所述第一鳍片和所述第二鳍片中预定形成抬升源漏的区域之间的所述半导体衬底上形成隔离结构；在所述第一鳍片上预定形成抬升源漏的区域形成横跨所述第一鳍片的第一抬升源漏，同时在所述第二鳍片预定形成抬升源漏的区域上形成横跨所述第二鳍片的第二抬升源漏，其中所述隔离结构位于所述第一抬升源漏和所述第二抬升源漏之间。可选地，形成所述第一鳍片和所述第二鳍片的方法包括：提供半导体衬底并对所述半导体衬底进行图案化，以在所述半导体衬底中形成相互平行的所述第一鳍片和所述第二鳍片；在所述半导体衬底上形成隔离材料层，以覆盖所述第一鳍片和所述第二鳍片；回蚀刻所述隔离材料层，以露出目标高度的所述第一鳍片和所述第二鳍片。可选地，形成所述隔离结构的方法包括：在所述隔离材料层、所述第一鳍片和所述第二鳍片的表面形成牺牲材料层；蚀刻所述牺牲材料层，以在所述第一鳍片和所述第二鳍片的侧壁上形成牺牲层；在所述牺牲层的侧壁上形成隔离结构并填充所述第一鳍片和所述第二鳍片之间的间隙；去除所述牺牲层。可选地，所述牺牲层的材料包括无定型碳，并通过灰化的方法去除所述牺牲层。可选地，在形成所述隔离结构之后，形成所述第一抬升源漏和所述第二抬升源漏之前，所述方法还包括：在所述第一鳍片和所述第二鳍片上形成栅极介电层；在所述栅极介电层上形成横跨所述第一鳍片的第一栅极结构，同时形成横跨所述第二鳍片的第二栅极结构。可选地，在形成栅极介电层之后，形成所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之前，所述方法还包括：在所述栅极介电层上形成间隙壁材料层。可选地，在形成所述隔离结构之后，形成所述第一抬升源漏和所述第二抬升源漏之前，所述方法还包括：回蚀刻所述第一鳍片和所述第二鳍片，以降低所述第一鳍片和所述第二鳍片的高度。可选地，使用外延生长的方法形成所述第一抬升源漏和所述第二抬升源漏。可选地，所述隔离结构的材料包括氧化物和氮化物。本专利技术还提供了一种电子装置，所述电子装置包括上述的半导体器件。本专利技术提供了一种半导体器件及其制备方法，所述方法在形成抬升源漏之前在所述第一鳍片和所述第二鳍片中预定形成抬升源漏的区域之间的所述半导体衬底上形成隔离结构，然后再在预定的区域形成第一抬升源漏和所述第二抬升源漏，通过所述设置可以使所述第一抬升源漏和所述第二抬升源漏被所述隔离结构相隔离，从而避免所述第一抬升源漏和所述第二抬升源漏之间的桥连，进一步提高了所述半导体器件的性能和良率。附图说明本专利技术的下列附图在此作为本专利技术的一部分用于理解本专利技术。附图中示出了本专利技术的实施例及其描述，用来解释本专利技术的原理。附图中：图1A示出了现有技术中所述半导体器件的结构的俯视图；图1B示出了现有技术中所述半导体器件的结构的剖视图；图2A至图2I示出了本专利技术一个实施方式的半导体器件的制备方法的相关步骤所获得的器件的剖面示意图；图3示出了本专利技术一个实施方式的半导体器件的制备方法的工艺流程图；图4示出了本专利技术一实施例中的电子装置的示意图。具体实施方式在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本专利技术更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本专利技术可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本专利技术发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。应当理解的是，本专利技术能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本专利技术的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本专利技术教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：半导体衬底，在所述半导体衬底上相邻设置有第一鳍片和第二鳍片；第一抬升源漏，横跨所述第一鳍片；第二抬升源漏，横跨所述第二鳍片；隔离结构，设置于所述第一抬升源漏和所述第二抬升源漏之间并且位于所述半导体衬底上。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：半导体衬底，在所述半导体衬底上相邻设置有第一鳍片和第二鳍片；第一抬升源漏，横跨所述第一鳍片；第二抬升源漏，横跨所述第二鳍片；隔离结构，设置于所述第一抬升源漏和所述第二抬升源漏之间并且位于所述半导体衬底上。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一鳍片和所述第二鳍片平行设置。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括第一栅极结构和第二栅极结构，其中，所述第一栅极结构横跨所述第一鳍片，所述第一抬升源漏设置于所述第一栅极结构的两侧；所述第二栅极结构横跨所述第二鳍片，所述第二抬升源漏设置于所述第二栅极结构的两侧。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，在所述第一鳍片和所述第二鳍片上还形成有栅极介电层。5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述栅极介电层上还形成有间隙壁材料层。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述隔离结构的材料包括氧化物和氮化物。7.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上相邻设置有第一鳍片和第二鳍片；在所述第一鳍片和所述第二鳍片中预定形成抬升源漏的区域之间的所述半导体衬底上形成隔离结构；在所述第一鳍片上预定形成抬升源漏的区域形成横跨所述第一鳍片的第一抬升源漏，同时在所述第二鳍片预定形成抬升源漏的区域上形成横跨所述第二鳍片的第二抬升源漏，其中所述隔离结构位于所述第一抬升源漏和所述第二抬升源漏之间。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，形成所述第一鳍片和所述第二鳍片的方法包括：提供半导体衬底并对所述半导体衬底进行图案化，以在所述半导体衬底中形成相互平行的所...

【专利技术属性】
技术研发人员：周飞，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31