【技术实现步骤摘要】
具有多栅极晶体管结构的半导体装置相关申请的交叉引用本申请要求于2017年6月9日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2017-0072391的权益,该申请的公开内容通过引用方式整体并入本文。
本公开涉及半导体装置。
技术介绍
对于半导体装置密度增大,已提出多栅极晶体管作为缩放技术之一,根据该技术,在衬底上形成鳍形或纳米线形的多沟道有源图案(或硅体),随后在多沟道有源图案的表面上形成栅极。这种多栅极晶体管由于其使用三维沟道而允许容易的缩放。此外,可提高电流控制能力而不需要增加多栅极晶体管的栅极长度。这种结构可有效地抑制其中沟道区的电势受到漏极电压的影响的短沟道效应(SCE)。
技术实现思路
本公开的示例性实施例可解决现有技术的问题。示例性实施例可提供一种半导体装置结构,其能够降低在由单元区的宽度、金属线之间的间距和金属线的宽度之间的关系限定的单元区中,将栅极接触件与源极/漏极接触件分离的工艺的难度水平。一些实施例提供了一种半导体装置,该半导体装置包括:单元区,其包括在第一方向上延伸的第一有源区和第二有源区以及所述第一有源区与第二有源区之间的分离区。所述单元区在垂直于第一方向的第二方向上具有第一宽度。第一栅极结构和第二栅极结构布置在所述单元区上,所述二者在第一方向上彼此间隔开,并且在第二方向上延伸。第一金属线和第二金属线布置在单元区上,所述二者在第一方向上延伸,并且在第二方向上彼此间隔开第一间距。第一金属线和第二金属线中的每一个在第二方向上具有第二宽度。第一栅极接触件将第一栅极结构与第一金属线电连接。第一栅极接触件的至少一部分覆盖所述分离区。第二栅极接触 ...
【技术保护点】
1.一种半导体装置,包括:单元区,其包括在第一方向上延伸的第一有源区和第二有源区以及所述第一有源区与所述第二有源区之间的分离区,所述单元区在垂直于所述第一方向的第二方向上具有第一宽度;所述单元区上的第一栅极结构和第二栅极结构,所述第一栅极结构和第二栅极结构在所述第一方向上彼此间隔开,并且在所述第二方向上延伸;所述单元区上的第一金属线和第二金属线,所述第一金属线和第二金属线在所述第一方向上延伸,并且在所述第二方向上彼此间隔开第一间距,所述第一金属线和第二金属线中的每一个在所述第二方向上具有第二宽度;第一栅极接触件,其将所述第一栅极结构与所述第一金属线电连接,所述第一栅极接触件的至少一部分覆盖所述分离区;以及第二栅极接触件,其将所述第二栅极结构与所述第二金属线电连接,所述第二栅极接触件的至少一部分覆盖所述分离区,其中,所述第一宽度除以所述第一间距和所述第二宽度之和的结果为六或更小。
【技术特征摘要】
2017.06.09 KR 10-2017-00723911.一种半导体装置,包括:单元区,其包括在第一方向上延伸的第一有源区和第二有源区以及所述第一有源区与所述第二有源区之间的分离区,所述单元区在垂直于所述第一方向的第二方向上具有第一宽度;所述单元区上的第一栅极结构和第二栅极结构,所述第一栅极结构和第二栅极结构在所述第一方向上彼此间隔开,并且在所述第二方向上延伸;所述单元区上的第一金属线和第二金属线,所述第一金属线和第二金属线在所述第一方向上延伸,并且在所述第二方向上彼此间隔开第一间距,所述第一金属线和第二金属线中的每一个在所述第二方向上具有第二宽度;第一栅极接触件,其将所述第一栅极结构与所述第一金属线电连接,所述第一栅极接触件的至少一部分覆盖所述分离区;以及第二栅极接触件,其将所述第二栅极结构与所述第二金属线电连接,所述第二栅极接触件的至少一部分覆盖所述分离区,其中,所述第一宽度除以所述第一间距和所述第二宽度之和的结果为六或更小。2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述第一栅极接触件和所述第二栅极接触件仅布置在所述分离区上。3.根据权利要求2所述的半导体装置,其中,第一栅极接触件的边缘布置在所述第一有源区与所述分离区之间的第一边界上,并且其中,所述第二栅极接触件的边缘布置在所述第二有源区与所述分离区之间的第二边界上。4.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述第一栅极接触件的一部分覆盖所述第一有源区。5.根据权利要求4所述的半导体装置,其中,所述第二栅极接触件的一部分覆盖所述第二有源区。6.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述第一有源区包括在所述第一方向上延伸并且从衬底突出的第一鳍式图案,并且其中,所述第二有源区包括在所述第一方向上延伸并且从所述衬底突出的第二鳍式图案。7.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述第一栅极结构包括:在所述第一方向上延伸的第一纳米线;在所述第一方向上延伸的第二纳米线,其布置在所述第一纳米线上,并且与所述第一纳米线间隔开;以及栅电极,其围绕所述第一纳米线和所述第二纳米线。8.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述第一金属线的至少一部分和所述第二金属线的至少一部分覆盖所述分离区。9.根据权利要求1所述的半导体装置,还包括:在所述第一有源区上,在所述第一方向上延伸并且在第所述二方向上与所述第一金属线间隔开第二间距的第三金属线;以及在所述第二有源区上,在所述第一方向上延伸并且在所述第二方向上与所述第二金属线间隔开第三间距的第四金属线,其中,所述第一间距、第二间距和第三间距相同,并且所述第一金属线和所述第二金属线仅布置在所述分离区上。10.一种半导体装置,包括:单元区,其包括第一有源区、第二有源区和所述第一有源区与所述第二有源区之间的分离区;所述单元区上的多条金属线,所述多条金属线在第一方向上延伸,并且在垂直于所述第一方向的第二方向上彼此间隔开;栅极结构,其横向于所述多条金属线,并且在所述第二方向上延伸;以及栅极接触件,其至少部分地覆盖所述分离区,并且将所述多条金属线中的至少一条与所...
【专利技术属性】
技术研发人员:金孝真,千宽永,
申请(专利权)人:三星电子株式会社,
类型:发明
国别省市:韩国,KR
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。