基板处理装置和制造集成电路器件的装置制造方法及图纸

一种基板处理装置包括：容器，其提供用于处理基板的处理空间；基板支撑部，其支撑装载在处理空间中的基板；以及屏障，其在容器的侧壁与基板支撑部之间并围绕由基板支撑部支撑的基板的边缘。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置和制造集成电路器件的装置
本专利技术构思涉及集成电路器件和制造集成电路器件的方法，更具体地，涉及使用超临界流体的基板处理装置和制造集成电路器件的装置。
技术介绍
随着集成电路器件的设计规则减少，半导体器件的临界尺寸减小至约20nm到约30nm或更小，因此，可以使用具有约5或更大的相对高的高宽比的深且窄的图案形成工艺以及伴随于其的清洁和干燥工艺。为了制造高度集成的电路器件，已经提出了使用超临界流体的方法以对其中形成具有高的高宽比的结构的基板执行诸如蚀刻、清洁或干燥的预定工艺。然而，在使用超临界流体的常规基板处理装置及方法中，诸如颗粒的污染物会在使用超临界流体的基板处理装置的容器中产生并留下，并且污染物会再次吸附于基板上并在基板上导致缺陷。
技术实现思路
本专利技术构思提供了能够在用于基板的干燥工艺期间防止缺陷由于容器中的颗粒而在基板中产生的基板处理装置、以及包括该基板处理装置的制造集成电路器件的装置。本专利技术构思提供了能够提高基板干燥工艺的生产率的基板处理装置、以及包括该基板处理装置的制造集成电路器件的装置。根据本专利技术构思的一方面，提供了一种基板处理装置，其包括：容器，其包括用于处理基板的处理空间；基板支撑部，其被构造为支撑装载在处理空间中的基板；以及屏障，其在容器的侧壁与基板支撑部之间，被构造为围绕基板支撑部。根据本专利技术构思的另一方面，提供了一种基板处理装置，其包括：包括构造为处理基板的处理空间的至少一个容器，所述至少一个容器包括上容器和下容器，上容器和下容器可移动地彼此联接为可打开和可关闭以在用于密封处理空间的关闭位置与用于打开处理空间的打开位置之间转换；基板支撑部，其被构造为支撑装载在处理空间中的基板，其中基板支撑部联接到限定所述至少一个容器的处理空间的上壁；屏障，其在所述至少一个容器的侧壁与基板支撑部之间，其中屏障联接到限定所述至少一个容器的处理空间的上壁；以及排气口，其在所述至少一个容器的与上壁相对的底壁中并被构造为从所述至少一个容器内部排放流体，其中屏障沿着所述至少一个容器的侧壁的周界方向朝底壁向下延伸，以及其中当容器处于关闭位置时，屏障的最下部从上壁延伸经过基板支撑部的最下部。根据本专利技术构思的另一方面，提供了一种制造集成电路器件的装置，其中该装置包括构造为清洁基板的清洁单元、以及包括用于干燥清洁后的基板的干燥腔室的干燥单元，其中干燥腔室包括：容器，其包括构造为处理清洁后的基板的处理空间，其中容器包括上容器和下容器，上容器和下容器彼此联接为可打开和可关闭以在用于密封处理空间的关闭位置与用于打开处理空间的打开位置之间转换；基板支撑部，其被构造为支撑装载在处理空间中的基板，其中基板支撑部联接到上容器；屏障，其联接到上容器以围绕由基板支撑部支撑的基板的边缘；以及驱动装置，其被构造为将上容器和下容器中的至少一个移动到关闭位置或打开位置。附图说明本专利技术构思的实施方式将由以下结合附图的详细描述被更清楚地理解，附图中：图1A和1B是示意性地示出根据实施方式的基板处理装置的剖视图；图2和3是示意性地示出根据实施方式的基板处理装置的剖视图；图4是示意性地示出根据实施方式的基板处理装置的剖视图；图5和6是示意性地示出根据实施方式的基板处理装置的显示与图1A中的区域A对应的部分的剖视图；图7是示出从根据一些实施方式的基板处理装置中的处于关闭位置的容器排放流体的流路(stream)的图；图8是示出供应到根据一些实施方式的基板处理装置中的容器内的超临界流体的流路的图；图9和10是示意性地示出根据一些实施方式的基板处理装置的视图；图11是示意性地示出根据一些实施方式的集成电路器件制造装置的俯视图；图12是用于说明根据实施方式的基板处理方法的流程图；以及图13是示出在图12的干燥基板的操作中容器的处理空间中的压力变化的示例的曲线图。具体实施方式在下文中，将参照附图详细描述本专利技术构思的实施方式。图1A和1B是示意性地示出根据实施方式的基板处理装置100的剖视图。图1A中所示的基板处理装置100对应于提供用于处理基板W的处理空间PS的容器110处于用于向大气打开处理空间PS的打开位置的情况，图1B中所示的基板处理装置100可以对应于提供用于处理基板W的处理空间PS的容器110处于用于密封处理空间PS的关闭位置的情况。参照图1A和1B，基板处理装置100可以包括容器110、基板支撑部130、流体供应单元140、排气单元141、屏障150、阻挡板160和驱动装置170。容器110可以提供用于处理基板W的处理空间PS。例如，在处理空间PS中，可以执行使用超临界流体的用于基板W的干燥工艺。容器110可以包括能够承受等于或大于临界压力的高压的材料。超临界流体具有取决于压力变化而从类气态连续地变化到类液态的诸如密度、粘度、扩散系数和极性的物理性质。例如，当液态二氧化碳被置于密封容器中并被加热时，气体与液体之间的界面可以随着温度和压力超过临界点而消失。超临界流体具有高溶解度、高扩散系数、低粘度和低表面张力。超临界流体在扩散性方面与气体相似，因而可以渗透到精细的凹槽中，因为超临界流体没有表面张力。此外，超临界流体的溶解度与压力成比例地增加，并且超临界流体在溶解性方面与液体溶剂相似。因此，当使用超临界流体时，基板W上的清洁液体或冲洗液体可以被干燥而不经过气体与液体之间的界面，从而抑制了倾斜现象或基板W上的水渍产生。在一些实施方式中，超临界流体可以包括二氧化碳。二氧化碳具有约31℃的低临界温度和约73atm的低临界压力，并且无毒、不易燃且相对便宜，所以二氧化碳可以容易地用于基板W的干燥处理。容器110可以包括上容器110U、下容器110L、升降构件120、第一供应口111、第二供应口113和排气口115。上容器110U和下容器110L可以彼此联接为可打开和可关闭，以在用于密封处理空间PS的关闭位置与用于向大气打开处理空间PS的打开位置之间转换。在一些实施方式中，下容器110L形成具有敞开的上部的空间，并且上容器110U可以联接到下容器110L以覆盖下容器110L的所述空间。在这种情况下，上容器110U可以大体上形成容器110的上壁，并且下容器110L可以大体上形成容器110的底壁和侧壁。然而，在另外的实施方式中，上容器110U可以大体上形成容器110的上壁和侧壁，并且下容器110L可以大体上形成容器110的底壁。或者，上容器110U和下容器110L可以一起形成容器110的侧壁。容器110在关闭位置与打开位置之间的转换可以由稍后将描述的升降构件120和驱动装置170执行。在一些实施方式中，当容器110在关闭位置与打开位置之间转换的同时，上容器110U可以被固定，并且因为下容器110L放置在上容器110U下方所以下容器110L可以相对于固定的上容器110U升降。例如，如图1A中所示，当下容器110L下降并与上容器110U分离时，处理空间PS向大气打开。当处理空间PS打开时，基板W可以从外部被运载到处理空间PS中或者从处理空间PS被运载到容器110的外部。运载到处理空间PS中的基板W可以处于有机溶剂经过清洁工艺残留的状态。在容器110的打开位置，上容器110U和下容器110L可以以离彼此预定距离而彼此面对。例如，预定距离可以为约5mm到约本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理装置，包括：容器，其包括用于处理基板的处理空间；基板支撑部，其被构造为支撑装载在所述处理空间中的所述基板；以及屏障，其在所述容器的侧壁与所述基板支撑部之间，被构造为围绕所述基板支撑部。

【技术特征摘要】
2017.06.08 KR 10-2017-00717291.一种基板处理装置，包括：容器，其包括用于处理基板的处理空间；基板支撑部，其被构造为支撑装载在所述处理空间中的所述基板；以及屏障，其在所述容器的侧壁与所述基板支撑部之间，被构造为围绕所述基板支撑部。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，还包括在所述处理空间中的接触并支撑所述屏障的至少一个引导销。3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中所述屏障具有环形状并且沿着由所述基板支撑部支撑的所述基板的边缘延伸。4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中所述容器包括上容器和下容器，所述上容器和所述下容器彼此联接为可打开和可关闭以在用于密封所述处理空间的关闭位置与用于打开所述处理空间的打开位置之间转换。5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中所述基板支撑部和所述屏障联接到所述上容器，其中所述屏障从所述上容器向下延伸到低于由所述基板支撑部支撑的所述基板的点。6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中所述屏障的下部成形为远离所述容器的所述侧壁向内弯曲。7.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中所述容器包括接触部，所述上容器和所述下容器在所述关闭位置在所述接触部处彼此接触，以及所述基板处理装置还包括在所述接触部上的第一保护层。8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其中所述第一保护层在所述上容器的表面的一部分和所述下容器的表面的一部分中的至少一个上，其中所述上容器的所述表面的所述部分和所述下容器的所述表面的所述部分构成所述接触部。9.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中所述容器包括升降杆，所述升降杆联接到所述上容器和所述下容器以在所述关闭位置与所述打开位置之间引导所述上容器和所述下容器中的至少一个，以及所述基板处理装置还包括在所述升降杆上的第二保护层。10.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中所述容器包括：第一供应口，其在所述下容器中以将超临界流体供应到所述容器中；第二供应口，其在所述上容器中以将超临界流体供应到所述容器中；以及排气口，其在所述下容器中以从所述容器内部排放流体。11.一种基板处理装置，包括：包括构造为处理基板的处理空间的至少一个容器，其中所述至少一个容器包括上容器和下容器，所述上容器和所述下容器可移动地彼此联接为可打开和可关闭以在用于密封所述处理空间的关闭位置与用于打开所述处理空间的打开位置之间转换；基板支撑部，其被构造为支撑装载在所述处理空间中的所述基板，其中所述基板支撑部联接到所述至少一个容器的上壁；屏障，其在所述至少一个容器的侧壁与所述基板支撑部之间，其中所述屏障联接到限定所述至少一个容器的所述处理空间的所述上壁；以及排气口，其在所述至少一个容器的与所述上壁相对的底壁中并被构造为从所...

【专利技术属性】
技术研发人员：金伶厚，朴相真，赵庸真，吉娟真，郑志薰，赵炳权，高镛璿，李根泽，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR