电压切换装置及方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种电压切换装置及方法，电压切换装置包括接收器、电压控制开关、第一电压产生电路、电压检测器与第一开关电路。电压控制开关连接在输入数据端与接收器之间，第一电压产生电路提供第一电压。当检测到第一电压高于预定电压时，电压检测器输出第一逻辑信号。第一开关电路连接在第一电压产生电路与电压控制开关之间，第一开关电路根据第一逻辑信号接通，使电压控制开关由第一电压接通，而数据从输入数据端发送到接收器，让接收器始终得到正确的数据。

【技术实现步骤摘要】
电压切换装置及方法
本专利技术是有关于电压切换装置及电压切换方法。
技术介绍
闩锁是在集成电路(IC)中可能发生的一种短路。更具体地说，在MOSFET电路的电源轨之间无意中产生低阻抗路径，从而触发破坏部件正常功能的寄生结构，甚至可能导致其由过电流引起的破坏。在一些方法中，电压产生器提供泵浦电压(例如VCCP)，并且接收器使用泵浦电压来导通MOSFET电路的栅极。如果发生电压发生器的闭锁，泵浦电压将下降，MOSFET电路不能将输入信号传递给接收器。这使得产品工程师难以进行除错和分析。
技术实现思路
本专利技术提出一种创新的电压切换装置及电压切换方法，以解决先前技术的困境。在本专利技术的一实施例中，一种电压切换装置包括接收器、电压控制开关、第一电压产生电路、电压检测器与第一开关电路。电压控制开关连接在输入数据端与接收器之间，第一电压产生电路提供第一电压。当检测到第一电压高于预定电压时，电压检测器输出第一逻辑信号。第一开关电路连接在第一电压产生电路与电压控制开关之间，第一开关电路根据第一逻辑信号接通，使电压控制开关由第一电压接通，而数据从输入数据端发送到接收器。在本专利技术的一实施例中，电压切换装置还包括第二电压产生电路与第二开关电路：在电压检测器输出第二逻辑信号之后，当检测到第二电压高于预定电压时，第二电压产生电路提供第二电压；第二开关电路，连接在第二电压产生电路与电压控制开关之间，其中第一开关电路根据第二逻辑信号而关闭，并且第二开关电路根据第二逻辑信号而接通，使电压控制开关由第二电压接通，数据从输入数据端发送到接收器。在本专利技术的一实施例中，第一开关电路包括第一半导体开关与第一反相器。第一半导体开关连接于第一电压产生电路与电压控制开关之间；第一反相器连接在电压检测器和第一开关之间，其中当电压检测器输出第一逻辑信号时，第一反相器将第一逻辑信号反相转换成第二逻辑信号以接通第一半导体开关，使第一电压产生电路输出第一电压，通过第一半导体开关打开电压控制开关。在本专利技术的一实施例中，第一逻辑信号是逻辑高电平信号，第二逻辑信号是逻辑低电平信号，并且第一半导体开关是PMOS晶体管。在本专利技术的一实施例中，第二开关电路包括第二半导体开关与第二反相器。第二半导体开关连接在第二电压产生电路与电压控制开关之间；第二反相器连接在电压检测器与第二电压产生电路之间，其中当电压检测器将第二逻辑信号输出到第一反相器时，第二反相器及第二半导体开关，其中第一反相器将第二逻辑信号反转为第一逻辑信号以关闭第一半导体开关，第二反相器将第二逻辑信号反转为第一逻辑信号，以启用第二电压产生电路，并且第二半导体开关由第二个逻辑信号打开，使得第二电压产生电路输出第二电压以通过第二半导体开关打开电压控制开关。在本专利技术的一实施例中，第一逻辑信号是逻辑高电平信号，第二逻辑信号是逻辑低电平信号，并且第二半导体开关是PMOS晶体管。在本专利技术的一实施例中，电压控制开关是NMOS晶体管。在本专利技术的另一实施例中，一种电压切换装置包括第一电压产生电路、第一开关电路、第二电压产生电路、电压检测器与电压检测器。第一电压产生电路提供第一电压。第一开关电路连接在第一电压产生电路与电压控制开关之间，其中电压控制开关连接在输入数据端与接收器之间。第二开关电路连接在第二电压产生电路与电压控制开关之间。在检测到第一电压高于预定电压时，电压检测器向第一开关电路和第二开关电路输出第一逻辑信号，其中第一开关电路被接通，第二开关电路根据第一逻辑信号而关闭，使电压控制开关由第一电压接通，数据从输入数据端发送到接收器。在本专利技术的另一实施例中，在检测到第一电压低于预定电压时，电压检测器向第一开关电路和第二开关电路输出第二逻辑信号，其中第一开关电路为关闭，第二开关电路根据第二逻辑信号而接通，使第二电压产生电路能够提供一第二电压，电压控制开关由第二电压接通，数据从输入数据端传送到接收器。在本专利技术的另一实施例中，第一开关电路包括第一个半导体开关与第一反相器。第一个半导体开关，连接于第一电压产生电路与电压控制开关之间；第一反相器，连接在电压检测器和第一开关之间，其中当电压检测器输出第一逻辑信号时，第一反相器将第一逻辑信号反相转换成第二逻辑信号以接通第一半导体开关，使第一电压产生电路输出第一电压，通过第一半导体开关打开电压控制开关。在本专利技术的另一实施例中，第一逻辑信号是逻辑高电平信号，第二逻辑信号是逻辑低电平信号，并且第一半导体开关是PMOS晶体管。在本专利技术的另一实施例中，第二开关电路包括第二半导体开关与第二反相器。第二半导体开关连接在第二电压产生电路与电压控制开关之间；第二反相器连接在电压检测器与第二电压产生电路之间，其中当电压检测器将第二逻辑信号输出到第一反相器时，第二反相器及第二半导体开关，其中第一反相器将第二逻辑信号反转为第一逻辑信号以关闭第一半导体开关，第二反相器将第二逻辑信号反转为第一逻辑信号，以启用第二电压产生电路，并且第二半导体开关由第二个逻辑信号打开，使得第二电压产生电路输出第二电压以通过第二半导体开关打开电压控制开关。在本专利技术的另一实施例中，第一逻辑信号是逻辑高电平信号，第二逻辑信号是逻辑低电平信号，并且第二半导体开关是PMOS晶体管。在本专利技术的另一实施例中，电压控制开关是NMOS晶体管。在本专利技术的又一实施例中，一种电压切换方法包括：检测从第一电压产生电路输出的第一电压，其中第一开关电路连接在第一电压产生电路与电压控制开关之间，电压控制开关连接在输入数据端与接收器之间；确定第一电压是否低于预定电压；当第一电压高于预定电压时，输出第一逻辑信号以接通第一开关电路，使电压控制开关由第一电压接通，并将数据从输入数据端发送至接收器。在本专利技术的又一实施例中，第二开关电路连接在第二电压产生电路与电压控制开关之间，电压切换方法还包括：输出第二逻辑信号以关闭第一开关电路，并在第一电压低于预定电压时，接通第二开关电路，使得第二电压产生电路能够提供第二电压，电压控制开关由第二电压接通，数据从输入数据端发送到接收器。在本专利技术的又一实施例中，第一开关电路包括第一反相器以及第一半导体开关，第一半导体开关连接在第一电压产生电路与电压控制开关之间，电压切换方法还包括：使用第一反相器将第一逻辑信号转换成第二逻辑信号以打开第一半导体开关，使第一电压产生电路输出第一电压以通过第一半导体开关开启电压控制开关。在本专利技术的又一实施例中，电压切换方法还包括：使用第一反相器将第二逻辑信号转换成第一逻辑信号以关闭第一半导体开关，使第一电压产生电路与电压控制开关电隔离。在本专利技术的又一实施例中，第二开关电路包括第二反相器和第二半导体开关，第二半导体开关连接在第二电压产生电路与电压控制开关之间，电压切换方法还包括：使用第二反相器将第二逻辑信号反转为第一逻辑信号，以启用第二电压产生电路，并且第二半导体开关由第二个逻辑信号打开，使得第二电压产生电路输出第二电压以通过第二半导体开关打开电压控制开关。在本专利技术的又一实施例中，第一逻辑信号是逻辑高电平信号，第二逻辑信号是逻辑低电平信号，第一半导体开关是PMOS晶体管，第二半导体开关为PMOS晶体管，电压控制开关是NMOS晶体管。综上所述，本专利技术的技术方案与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。以下将以实施方式对上述的说本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电压切换装置，其特征在于，包括：接收器；电压控制开关，连接在输入数据端与所述接收器之间；第一电压产生电路，提供第一电压；电压检测器，当检测到所述第一电压高于预定电压时，输出第一逻辑信号；以及第一开关电路，连接在所述第一电压产生电路与所述电压控制开关之间，所述第一开关电路根据所述第一逻辑信号接通，使所述电压控制开关由所述第一电压接通，而数据从所述输入数据端发送到所述接收器。

【技术特征摘要】
2017.06.11 US 15/619,5371.一种电压切换装置，其特征在于，包括：接收器；电压控制开关，连接在输入数据端与所述接收器之间；第一电压产生电路，提供第一电压；电压检测器，当检测到所述第一电压高于预定电压时，输出第一逻辑信号；以及第一开关电路，连接在所述第一电压产生电路与所述电压控制开关之间，所述第一开关电路根据所述第一逻辑信号接通，使所述电压控制开关由所述第一电压接通，而数据从所述输入数据端发送到所述接收器。2.如权利要求1所述的电压切换装置，其特征在于，还包括：第二电压产生电路，在所述电压检测器输出第二逻辑信号之后，当检测到所述第二电压高于所述预定电压时，提供第二电压；以及第二开关电路，连接在所述第二电压产生电路与所述电压控制开关之间，其中所述第一开关电路根据所述第二逻辑信号而关闭，并且所述第二开关电路根据所述第二逻辑信号而接通，使所述电压控制开关由所述第二电压接通，所述数据从所述输入数据端发送到所述接收器。3.如权利要求2所述的电压切换装置，其特征在于，所述第一开关电路包括：第一半导体开关，连接于所述第一电压产生电路与所述电压控制开关之间；以及第一反相器，连接在所述电压检测器和所述第一开关之间，其中当所述电压检测器输出所述第一逻辑信号时，所述第一反相器将所述第一逻辑信号反相转换成所述第二逻辑信号以接通所述第一半导体开关，使所述第一电压产生电路输出所述第一电压，通过所述第一半导体开关打开所述电压控制开关。4.如权利要求3所述的电压切换装置，其特征在于，所述第一逻辑信号是逻辑高电平信号，所述第二逻辑信号是逻辑低电平信号，并且所述第一半导体开关是PMOS晶体管。5.如权利要求3所述的电压切换装置，其特征在于，所述第二开关电路包括：第二半导体开关，连接在所述第二电压产生电路与所述电压控制开关之间；以及第二反相器，连接在所述电压检测器与所述第二电压产生电路之间，其中当所述电压检测器将所述第二逻辑信号输出到所述第一反相器时，所述第二反相器及所述第二半导体开关，其中所述第一反相器将所述第二逻辑信号反转为所述第一逻辑信号以关闭所述第一半导体开关，所述第二反相器将所述第二逻辑信号反转为所述第一逻辑信号，以启用所述第二电压产生电路，并且所述第二半导体开关由所述第二个逻辑信号打开，使得所述第二电压产生电路输出所述第二电压以通过所述第二半导体开关打开所述电压控制开关。6.如权利要求5所述的所述电压切换装置，其特征在于，所述第一逻辑信号是逻辑高电平信号，所述第二逻辑信号是逻辑低电平信号，并且所述第二半导体开关是PMOS晶体管。7.如权利要求6所述的电压切换装置，其特征在于，所述电压控制开关是NMOS晶体管。8.一种电压切换装置，其特征在于，包括：第一电压产生电路，提供第一电压；第一开关电路，连接在所述第一电压产生电路与电压控制开关之间，其中所述电压控制开关连接在输入数据端与接收器之间；第二电压产生电路；第二开关电路，连接在所述第二电压产生电路与所述电压控制开关之间；以及电压检测器，在检测到所述第一电压高于预定电压时，向所述第一开关电路和所述第二开关电路输出第一逻辑信号，其中所述第一开关电路被接通，所述第二开关电路根据所述第一逻辑信号而关闭，使所述电压控制开关由所述第一电压接通，数据从所述输入数据端发送到所述接收器。9.如权利要求8所述的电压切换装置，其特征在于，在检测到所述第一电压低于所述预定电压时，所述电压检测器向所述第一开关电路和所述第二开关电路输出第二逻辑信号，其中所述第一开关电路为关闭，所述第二开关电路根据所述第二逻辑信号而接通，使所述第二电压产生电路能够提供第二电压，所述电压控制开关由所述第二电压接通，所述数据从所述输入数据端传送到所述接收器。10.如权利要求9所述的电压切换装置，其特征在于，所述第一开关电路包括：第一个半导体开关，连接于所...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈至仁，许庭硕，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71